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Toshiba Semiconductor 东芝

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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：8Gb （1G x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：48-TSOP I
料号：C1-15702
包装： 托盘
参考价格:￥85.970400
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封装：67-VFBGA（6.5x8）
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：4Gb （512M x 8）
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丝印：
外壳：
封装：67-VFBGA（6.5x8）
料号：C1-15769
包装： 托盘
参考价格:￥85.970400
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：4Gb （512M x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
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封装：48-TSOP I
料号：C1-15770
包装： 托盘
参考价格:￥85.970400
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
参数： *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:8Gb （1G x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：4Gb （512M x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：63-TFBGA（9x11）
料号：C1-15775
包装： 托盘
参考价格:￥85.970400
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料号：C1-15778
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
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丝印：
外壳：
封装：48-TSOP I
料号：C1-15799
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参考价格:￥85.970400
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外壳：
封装：48-TSOP I
料号：C1-19726
包装： 托盘
参考价格:￥85.970400
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：1Gb（128M x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：48-TSOP I
料号：C1-19763
包装： 托盘
参考价格:￥85.970400
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可供数量:咨询
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描述： IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
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可供数量:咨询
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丝印：
外壳：
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参考价格:￥85.970400
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存储器格式：闪存
存储容量：1Gb（128M x 8）
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA
参数： *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:8Gb （1G x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb （256M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb （256M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:8Gb （1G x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:8Gb （1G x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:8Gb （1G x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：1Gb（128M x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：63-TFBGA（9x11）
料号：C1-19797
包装： 托盘
参考价格:￥85.970400
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现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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