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IDT, Integrated Device Technology Inc (艾迪特)->瑞萨

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封装图	商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
	状态：易失型号： 71V67703S80PF复制品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc复制 IDT (艾迪特)->瑞萨描述： IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP 参数：存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:8 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 类别：存储器替代：	存储器类型：SRAM 存储器格式：SRAM - 同步，SDR 存储容量：并联电压 - 电源：0°C ~ 70°C（TA）	丝印：外壳：封装：料号：C1-52253 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥43.844000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：易失型号： 71T75602S100PF复制品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc复制 IDT (艾迪特)->瑞萨描述： 512K X 36 SYNCHRONOUS ZBT SRAM 参数：存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:8 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（512K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 类别：存储器替代：	存储器类型：SRAM 存储器格式：SRAM - 同步，SDR（ZBT）存储容量：并联电压 - 电源：0°C ~ 70°C（TA）	丝印：外壳：封装：料号：C1-52256 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥43.844000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：易失型号： 71V67603S133PFI复制品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc复制 IDT (艾迪特)->瑞萨描述： IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP 参数：存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:8 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（512K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 类别：存储器替代：	存储器类型：SRAM 存储器格式：SRAM - 同步，SDR 存储容量：并联电压 - 电源：-40°C ~ 85°C（TA）	丝印：外壳：封装：料号：C1-52330 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥43.844000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：易失型号： 71T75802S100PFI复制品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc复制 IDT (艾迪特)->瑞萨描述： 1M X 18, SYNCHRONOUS ZBT SRAM 参数：存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:8 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（512K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（1M x 18）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 类别：存储器替代：	存储器类型：SRAM 存储器格式：SRAM - 同步，SDR（ZBT）存储容量：并联电压 - 电源：-40°C ~ 85°C（TA）	丝印：外壳：封装：料号：C1-52332 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥43.844000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：易失型号： 71256SA12YI复制品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc复制 IDT (艾迪特)->瑞萨描述： SRAM 256K (32K X 8-BIT) 参数：存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:8 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（512K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（1M x 18）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:256Kb（32K x 8）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）标签: 类别：存储器替代：	存储器类型：SRAM 存储器格式：SRAM - 异步存储容量：并联电压 - 电源：-40°C ~ 85°C（TA）	丝印：外壳：封装：料号：C1-52373 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥43.844000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：易失型号： 71V016SA12Y复制品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc复制 IDT (艾迪特)->瑞萨描述： IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ 参数：存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:8 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（512K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（1M x 18）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:256Kb（32K x 8）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:1Mb（64K x 16）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:3V ~ 3.6V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）标签: 类别：存储器替代：	存储器类型：SRAM 存储器格式：SRAM - 异步存储容量：并联电压 - 电源：0°C ~ 70°C（TA）	丝印：外壳：封装：料号：C1-52382 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥43.844000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：易失型号： 71V2546X5S150PFG复制品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc复制 IDT (艾迪特)->瑞萨描述： IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 参数：存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:8 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（512K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（1M x 18）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:256Kb（32K x 8）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:1Mb（64K x 16）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:3V ~ 3.6V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:150 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:3.8 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 类别：存储器替代：	存储器类型：SRAM 存储器格式：SRAM - 同步，SDR（ZBT）存储容量：并联电压 - 电源：0°C ~ 70°C（TA）	丝印：外壳：封装：料号：C1-52391 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥43.844000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：易失型号： 71V2556S133BG复制品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc复制 IDT (艾迪特)->瑞萨描述： IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA 参数：存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:8 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（512K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（1M x 18）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:256Kb（32K x 8）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:1Mb（64K x 16）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:3V ~ 3.6V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:150 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:3.8 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:119-BGA 标签: 类别：存储器替代：	存储器类型：SRAM 存储器格式：SRAM - 同步，SDR（ZBT）存储容量：并联电压 - 电源：0°C ~ 70°C（TA）	丝印：外壳：封装：料号：C1-52392 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥43.844000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：易失型号： 71V2556XS133PF复制品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc复制 IDT (艾迪特)->瑞萨描述： IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 参数：存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:8 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（512K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（1M x 18）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:256Kb（32K x 8）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:1Mb（64K x 16）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:3V ~ 3.6V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:150 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:3.8 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:119-BGA 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 类别：存储器替代：	存储器类型：SRAM 存储器格式：SRAM - 同步，SDR（ZBT）存储容量：并联电压 - 电源：0°C ~ 70°C（TA）	丝印：外壳：封装：料号：C1-52393 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥43.844000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：易失型号： 71V416YS10PHI复制品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc复制 IDT (艾迪特)->瑞萨描述： IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 参数：存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:8 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（512K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（1M x 18）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:256Kb（32K x 8）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:1Mb（64K x 16）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:3V ~ 3.6V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:150 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:3.8 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:119-BGA 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:4Mb（256K x 16）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:10ns 写周期时间 - 字，页:10 ns 访问时间:3V ~ 3.6V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）标签: 类别：存储器替代：	存储器类型：SRAM 存储器格式：SRAM - 异步存储容量：并联电压 - 电源：-40°C ~ 85°C（TA）	丝印：外壳：封装：料号：C1-52394 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥43.844000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：易失型号： 71V3576S133BGI复制品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc复制 IDT (艾迪特)->瑞萨描述： IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA 参数：存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:8 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（512K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（1M x 18）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:256Kb（32K x 8）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:1Mb（64K x 16）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:3V ~ 3.6V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:150 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:3.8 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:119-BGA 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:4Mb（256K x 16）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:10ns 写周期时间 - 字，页:10 ns 访问时间:3V ~ 3.6V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:119-BGA 标签: 类别：存储器替代：	存储器类型：SRAM 存储器格式：SRAM - 同步，SDR 存储容量：并联电压 - 电源：0°C ~ 70°C（TA）	丝印：外壳：封装：料号：C1-52401 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥43.844000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：易失型号： 71V67803S166PF复制品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc复制 IDT (艾迪特)->瑞萨描述： IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP 参数：存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:8 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（512K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（1M x 18）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:256Kb（32K x 8）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:1Mb（64K x 16）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:3V ~ 3.6V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:150 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:3.8 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:119-BGA 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:4Mb（256K x 16）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:10ns 写周期时间 - 字，页:10 ns 访问时间:3V ~ 3.6V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:119-BGA 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（512K x 18）存储容量:并联存储器接口:166 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:3.5 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 类别：存储器替代：	存储器类型：SRAM 存储器格式：SRAM - 同步，SDR 存储容量：并联电压 - 电源：0°C ~ 70°C（TA）	丝印：外壳：封装：料号：C1-52413 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥43.844000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：易失型号： 71T75702S75BGI复制品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc复制 IDT (艾迪特)->瑞萨描述： 512K X 36 SYNCHRONOUS ZBT SRAM 参数：存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:8 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（512K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（1M x 18）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:256Kb（32K x 8）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:1Mb（64K x 16）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:3V ~ 3.6V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:150 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:3.8 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:119-BGA 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:4Mb（256K x 16）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:10ns 写周期时间 - 字，页:10 ns 访问时间:3V ~ 3.6V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:119-BGA 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（512K x 18）存储容量:并联存储器接口:166 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:3.5 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（512K x 36）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:7.5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:119-BGA 标签: 类别：存储器替代：	存储器类型：SRAM 存储器格式：SRAM - 同步，SDR（ZBT）存储容量：并联电压 - 电源：-40°C ~ 85°C（TA）	丝印：外壳：封装：料号：C1-52424 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥43.844000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： 7142LA35L48B复制品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc复制 IDT (艾迪特)->瑞萨描述： IC SRAM 16KBIT PARALLEL 48LCC 参数：存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:8 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（512K x 36）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（256K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（1M x 18）存储容量:并联存储器接口:100 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:256Kb（32K x 8）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:1Mb（64K x 16）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:12ns 写周期时间 - 字，页:12 ns 访问时间:3V ~ 3.6V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:150 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:3.8 ns 访问时间:4.5V ~ 5.5V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:119-BGA 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 异步技术:4Mb（256K x 16）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:10ns 写周期时间 - 字，页:10 ns 访问时间:3V ~ 3.6V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:4.5Mb（128K x 36）存储容量:并联存储器接口:133 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:4.2 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:119-BGA 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR 技术:9Mb（512K x 18）存储容量:并联存储器接口:166 MHz 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:3.5 ns 访问时间:3.135V ~ 3.465V 电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:100-LQFP 标签: 存储器类型:SRAM 存储器格式:SRAM - 同步，SDR（ZBT）技术:18Mb（512K x 36）存储容量:并联存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:7.5 ns 访问时间:2.375V ~ 2.625V 电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA）工作温度:表面贴装型安装类型:119-BGA 标签: 存储器类型:易失存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步存储容量:16Kb（2K x 8）存储器接口:并联时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns 电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA）安装类型:表面贴装型标签: 类别：存储器替代：	存储器类型：易失存储器格式：SRAM 存储容量：16Kb（2K x 8）电压 - 电源：4.5V ~ 5.5V	丝印：外壳：封装：48-LCC（14.22x14.22）料号：C1-53285 包装： 2832-7142LA35L48B个/ 散装	参考价格:￥43.844000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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