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Central Semiconductor Corp 中央半导体

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品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
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功率 - 最大值：500mW
丝印：
外壳：
封装：DO-35
料号：E6-5524
包装： 散装
参考价格:￥0.101700
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品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
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封装：DO-35
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包装： 散装
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描述： DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：DO-41
料号：E6-5586
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.101700
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品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： DIODE ZENER 2.8V 250MW SOD323
参数： *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V *容差:±5% *功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 Ohms 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 标签: 包装:散装 数量: *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V *容差:±5% *功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 Ohms 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 标签: 包装:散装 数量: *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V *容差:±5% *功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 Ohms 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 标签: 包装:散装 数量: *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V *容差:±5% *功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 标签: 包装:散装 数量: *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V *容差:±5% *功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 标签: 包装:散装 数量: *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V *容差:±5% *功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 标签: 包装:散装 数量: *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V *容差:±5% *功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V *容差:±5% *功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V *容差:±5% *功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V *容差:±5% *功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 Ohms 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V *容差:±5% *功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:68V *容差:±5% *功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:150 Ohms 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 51.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V *容差:±5% *功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:16 Ohms 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.8V *容差:±5% *功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 标签: 包装:带卷（TR） 数量:
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电压 - 齐纳（标称值）（Vz）：2.8V
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丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOD-323
料号：E6-5592
包装： 带卷（TR）
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描述： DIODE ZENER 8.7V 250MW SOD123
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参考价格:￥0.101700
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外壳：
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料号：E6-5595
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参考价格:￥0.101700
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描述： DIODE ZENER 20V 350MW SOT23
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外壳：
封装：SOT-23
料号：E6-5905
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.101700
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