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Winbond Electronics 华邦

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品牌： Winbond Electronics复制 Winbond 华邦
描述： IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：1Gb （64M x 16）
电压 - 电源：1.425V ~ 1.575V
丝印：
外壳：
封装：96-WBGA（9x13）
料号：C1-33930
包装： 托盘
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可供数量:咨询
个
咨询客服
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：1Gb （64M x 16）
电压 - 电源：1.425V ~ 1.575V
丝印：
外壳：
封装：96-WBGA（9x13）
料号：C1-33931
包装： 托盘
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咨询客服
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：1Gb （64M x 16）
电压 - 电源：1.425V ~ 1.575V
丝印：
外壳：
封装：96-WBGA（9x13）
料号：C1-33937
包装： 标准卷带
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
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电压 - 电源：1.425V ~ 1.575V
丝印：
外壳：
封装：96-WBGA（9x13）
料号：C1-33951
包装： 剪切带（CT）
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：1Gb （64M x 16）
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品牌： Winbond Electronics复制 Winbond 华邦
描述： IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：8Mb （1M x 8）
电压 - 电源：1.65V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
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包装： 管件
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丝印：
外壳：
封装：8-WSON（6x5）
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：8Mb （1M x 8）
电压 - 电源：1.65V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：8-WSON（6x5）
料号：C1-34059
包装： 管件
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现货库存:0
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品牌： Winbond Electronics复制 Winbond 华邦
描述： IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：64Mb（4M x 16）
电压 - 电源：3V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：54-TSOP II
料号：C1-34069
包装： 108个/ 托盘
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品牌： Winbond Electronics复制 Winbond 华邦
描述： IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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料号：C1-34078
包装： 108个/ 托盘
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可供数量:咨询
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电压 - 电源：2.3V ~ 2.7V
丝印：
外壳：
封装：66-TSOP II
料号：C1-34079
包装： 托盘
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：256Mb（16M x 16）
电压 - 电源：3V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：54-TSOP II
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描述： IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：32Mb （4M x 8）
电压 - 电源：1.65V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：8-WSON（6x5）
料号：C1-34144
包装： 管件
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现货库存:0
可供数量:咨询
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：32Mb（4M x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：8-WSON（6x5）
料号：C1-34207
包装： 100个/ 管件
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现货库存:0
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：8Mb（1M x 8）
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封装：8-SOIC
料号：C1-34220
包装： 100个/ 管件
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：128Mb（16M x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：8-WSON（6x5）
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包装： 100个/ 管件
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类别： 存储器
替代：
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封装：84-TFBGA（8x12.5）
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