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详细参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | eGaN® |
| Fet类型: | GaNFET N 通道，氮化镓 |
| 漏源极电压(vdss): | 40V |
| 电流-连续漏极(id): | 60A（Ta） |
| Vgs(最大值): | |
| 功率-最大值: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
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