温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

IPB60R060C7ATMA1

复制 状态: 在售

制造商编号:IPB60R060C7ATMA1复制

制造商名称:Infineon/英飞凌复制

制造商封装:TO-263-4,D²Pak(3 引线 + 接片),TO-263AA

商品类别:单通道MOS管

商品编号:1039-3065

商品描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

包装数量:-

包装规格:

购买数量:
小计: 0.00
  • 现货订购: 0pcs
  • 自营库存:0pcs
  • 国内库存:-
  • 厂家库存:-
  • 海外库存:-可咨询
  •  
  • 最新起订量:-
  • 增          量:1

价格(含税)

参考价格:0.000000
详细参数
产品属性 属性值
SELECT COLUMN_NAME as bt,column_comment as nr,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' ORDER by zss_px 系列 CoolMOS™ C7
Fet类型: N 通道
漏源极电压(vdss): 650V
电流-连续漏极(id): 35A(Tc)
Vgs(最大值): ±20V
功率-最大值: 162W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
同类热销产品
IPB60R099C7ATMA1Infineon/英飞凌PG-TO263-33022
MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3
1Fet类型1: 2漏源极电压(vdss)2: 3电流-连续漏极(id)3: 4Vgs(最大值)4: 5功率-最大值: 6工作温度:
IPB60R040C7ATMA1Infineon/英飞凌PG-TO263-33087
MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3
1Fet类型1: 2漏源极电压(vdss)2: 3电流-连续漏极(id)3: 4Vgs(最大值)4: 5功率-最大值: 6工作温度:
IPB60R180C7ATMA1Infineon/英飞凌PG-TO263-33750
MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
1Fet类型1: 2漏源极电压(vdss)2: 3电流-连续漏极(id)3: 4Vgs(最大值)4: 5功率-最大值: 6工作温度:
IPB60R120C7ATMA1Infineon/英飞凌PG-TO263-33952
MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3
1Fet类型1: 2漏源极电压(vdss)2: 3电流-连续漏极(id)3: 4Vgs(最大值)4: 5功率-最大值: 6工作温度:
复制成功
复制成功
销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922