首页 >> 商品目录 >> 单通道MOS管 >> 单通道MOS管

温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFBC20L

复制状态：在售

制造商编号：IRFBC20L复制

制造商名称：Vishay/威世复制

制造商封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

商品类别：单通道MOS管

商品编号：1039-4890

商品描述：MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262

包装数量：-

包装规格：

购买数量：

小计：￥0.00

现货订购: 0pcs
自营库存：0pcs
国内库存：-
厂家库存：-
海外库存：-可咨询
最新起订量：-
增量：1

价格（含税）

参考价格:￥0.000000

详细参数

产品属性	属性值
SELECT COLUMN_NAME as bt,column_comment as nr,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' ORDER by zss_px	系列	-
Fet类型:	N 通道
漏源极电压(vdss):	600V
电流-连续漏极(id):	2.2A（Tc）
Vgs(最大值):	±20V
功率-最大值:	3.1W（Ta），50W（Tc）
工作温度:	-55°C ~ 150°C（TJ）

同类热销产品
	IRF9640LPBFVishay/威世I2PAK2031 MOSFET P-CH 200V 11A TO-262 1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：
	TK14C65W5,S1QTOSHIBA/东芝I2PAK2378 MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK 1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：
	STB200NF04-1ST/意法半导体I2PAK3203 MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：
	STB80NF55-08-1ST/意法半导体I2PAK3204 MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK 1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：
	STB16NK65Z-SST/意法半导体I2PAK3210 MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK 1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：
	STB11NM60-1ST/意法半导体I2PAK3301 MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK 1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：
	STB20NM60-1ST/意法半导体I2PAK3307 MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK 1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：
	STB21NM60N-1ST/意法半导体I2PAK3374 MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK 1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：
	STB25NM60N-1ST/意法半导体I2PAK3375 MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK 1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：
	STB200NF04L-1ST/意法半导体I2PAK3410 MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：
	STB11NM60N-1ST/意法半导体I2PAK3425 MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK 1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：
	STB12NM60N-1ST/意法半导体I2PAK3426 MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK 1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

复制成功

复制成功

IC型号索引：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

购物指南

注册登录

找回密码

购物流程

常见问题

支付方式

配送方式

联系我们

直线：0755-28435922

总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼

联系我们

公司简介

关注我们

微信扫码

辰科物联介绍

粤公网安备号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科物联有限公司版权所有

销售在线销售在线工程师在线工程师在线电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询