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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: MMBFJ201复制
品牌: Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述: JFET N-CH 40V 350MW SOT23
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 沟道
电压 - 击穿(v(br)gss):40V
漏源极电压(vdss):-
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):200¦ÌA @ 20
电阻 - rds(开):-
功率 - 最大值:350mW
select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_jfet'
丝印:
料号:JTG13-55
包装: 带卷(TR)
10+:0.1200
750+:0.1150
1500+:0.1070
3000+:0.1065
现货:有货
最小起订:
总额:
SELECT `gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ201' ) AND ( a.sprice_1 > 0 ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') OR (`Gsxx_sx` = '授权代理商') ) LIMIT 1
状态: 在售
型号: MMBFJ201_G复制
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: INTEGRATED CIRCUIT
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):40V
漏源极电压(vdss):40V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):200µA @ 20V
电阻 - rds(开):-
功率 - 最大值:350mW
select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_jfet'
丝印:
料号:JTG13-909
包装:
10+:0.1200
750+:0.1150
1500+:0.1070
3000+:0.1065
现货:有货
最小起订:
总额:
SELECT `gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ201_G' ) AND ( a.sprice_1 > 0 ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') OR (`Gsxx_sx` = '授权代理商') ) LIMIT 1
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