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封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格 | 购买数量/库存 | 操作 |
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封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格(含税) | 购买数量/库存 | 操作 |
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状态:
在售
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描述:
JFET N-CHAN 40V 3SMD
封装:3-UB(3.09X2.45)
外壳:3-SMD,无引线
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fet 类型:N 沟道
电压 - 击穿(v(br)gss):40V
漏源极电压(vdss):40V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):8mA @ 20V
电阻 - rds(开):80 Ohms
功率 - 最大值:360mW
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select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_jfet'
类别:
晶体管 - JFET
丝印:
料号:JTG13-825
资料:规格书/封装库
包装:
散装
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10+:¥52.5480
750+:¥50.3585
1500+:¥46.8553
3000+:¥46.6364
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
现货:有货
最小起订:
个
总额:
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SELECT `gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4093UB' ) AND ( a.sprice_1 > 0 ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') OR (`Gsxx_sx` = '授权代理商') ) LIMIT 1
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状态:
在售
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描述:
N CHANNEL JFET
封装:TO-18
外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
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fet 类型:N 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):40V
漏源极电压(vdss):40V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):8mA @ 20V
电阻 - rds(开):80 Ohms
功率 - 最大值:360mW
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select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_jfet'
类别:
晶体管 - JFET
丝印:
料号:JTG13-844
资料:规格书/封装库
包装:
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10+:¥52.5480
750+:¥50.3585
1500+:¥46.8553
3000+:¥46.6364
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
现货:有货
最小起订:
个
总额:
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SELECT `gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4093' ) AND ( a.sprice_1 > 0 ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') OR (`Gsxx_sx` = '授权代理商') ) LIMIT 1
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