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BAR 66 E6327数据手册

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BAR66E6327HTSA1数据手册

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BAR 66 E6327复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： DIODE ARRAY OVP 150V 200MA SOT23
封装：PG-SOT23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管类型：PIN - 1 对串联
电压 - 峰值反向（最大值）：150V
电流 - 最大值：200mA
不同?vr，f 时的电容：0.6pF @ 35V，1MHz
不同?if，f 时的电阻：1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz
功率耗散（最大值）：
select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_ejg_sp'
丝印：
料号：E2-125
包装： 带卷（TR）
10+:￥0.1080
750+:￥0.1035
1500+:￥0.0963
3000+:￥0.0959
现货:有货
最小起订:
个
总额：
SELECT `gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR 66 E6327' ) AND ( a.sprice_1 > 0 ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') OR (`Gsxx_sx` = '授权代理商') ) LIMIT 1
状态： 在售
型号： BAR66E6327HTSA1复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3
封装：PG-SOT23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管类型：PIN - 1 对串联
电压 - 峰值反向（最大值）：150V
电流 - 最大值：200mA
不同?vr，f 时的电容：0.6pF @ 35V，1MHz
不同?if，f 时的电阻：1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz
功率耗散（最大值）：250mW
select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_ejg_sp'
丝印：
料号：E2-1244
包装：
10+:￥0.1080
750+:￥0.1035
1500+:￥0.0963
3000+:￥0.0959
现货:有货
最小起订:
个
总额：
SELECT `gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR66E6327HTSA1' ) AND ( a.sprice_1 > 0 ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') OR (`Gsxx_sx` = '授权代理商') ) LIMIT 1
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