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DDTD113ZC-7-F数据手册

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: DDTD113ZC-7-F复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA
频率 - 跃迁:200MHz
功率 - 最大值:200mW
select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_sj_bjt_d_ybz'
丝印:(请登录)
料号:JTG2-15670
包装:
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