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J112_D26Z数据手册

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： J112_D26Z复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： JFET N-CH 35V 625MW TO92
封装：TO-92-3 外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
fet 类型：N 沟道
电压 - 击穿（v（br）gss）：35V
漏源极电压（vdss）：-
不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：5mA @ 15V
电阻 - rds（开）：50 欧姆
功率 - 最大值：
select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_jfet'
丝印：
料号：JTG13-26
包装： 带卷（TR）
10+:￥0.0960
750+:￥0.0920
1500+:￥0.0856
3000+:￥0.0852
现货:有货
最小起订:
个
总额：
SELECT `gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112_D26Z' ) AND ( a.sprice_1 > 0 ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') OR (`Gsxx_sx` = '授权代理商') ) LIMIT 1
状态： 在售
型号： J112-D26Z复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： JFET N-CH 35V 625MW TO92
封装：TO-92-3 外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
fet 类型：N 通道
电压 - 击穿（v（br）gss）：35V
漏源极电压（vdss）：35V
不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：5mA @ 15V
电阻 - rds（开）：50 Ohms
功率 - 最大值：625mW
select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_jfet'
丝印：
料号：JTG13-800
包装：
10+:￥0.0960
750+:￥0.0920
1500+:￥0.0856
3000+:￥0.0852
现货:有货
最小起订:
个
总额：
SELECT `gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112-D26Z' ) AND ( a.sprice_1 > 0 ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') OR (`Gsxx_sx` = '授权代理商') ) LIMIT 1
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