TK31J60W5,S1VQ现货库存_TK31J60W5,S1VQ订购_IC交易

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封装图	商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售	型号： TK31J60W5,S1VQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N) 封装：TO-3P（N）外壳：TO-3P-3，SC-65-3	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：30.8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：230W（Tc）	类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单丝印：料号：JTG8-1890 资料：规格书/封装库包装：	10+:￥66.3120 750+:￥63.5490 1500+:￥59.1282 3000+:￥58.8519	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货:有货最小起订: 个总额：	加入询盘