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TK31V60W,LVQ数据手册

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: TK31V60W,LVQ复制
品牌: Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述: MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
封装:4-DFN-EP(8x8) 外壳:4-VSFN 裸露焊盘
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):600V
电流 - 连续漏极(id):30.8A(Ta)
Vgs(最大值):±30V
fet 功能:超级结
功率 - 最大值:240W(Tc)
select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
丝印:(请登录)
料号:JTG8-1670
包装:
现货:有货
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