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| 封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格 | 购买数量/库存 | 操作 |
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| 封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格(含税) | 购买数量/库存 | 操作 |
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状态：
在售
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描述：
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
封装：3-CP
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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fet 类型：N 通道
电压 - 击穿（v（br）gss）：N 通道
漏源极电压（vdss）：30V
不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）：1.2mA @ 10V
电阻 - rds（开）：200 Ohms
功率 - 最大值：200mW
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类别：
晶体管 - JFET
丝印：
料号：JTG13-37
资料：规格书/封装库
包装：
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