Rohm Semiconductor 罗姆半导体

Rohm

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V UMD4
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替代:
二极管配置:2 个独立式
二极管类型:肖特基
电压 - dc 反向(vr)(最大值):30V
电流 - 平均整流(io)(每二极管):200mA
速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
丝印:
外壳:
封装:UMD4
料号:E4-6069
包装:
参考价格:1.152600
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
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替代:
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二极管类型:标准
电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V
电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA
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丝印:
外壳:
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包装:
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描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TUMD5
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V VMD3
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替代:
二极管配置:1 对共阴极
二极管类型:肖特基
电压 - dc 反向(vr)(最大值):40V
电流 - 平均整流(io)(每二极管):30mA
速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
丝印:(请登录)
外壳:
封装:VMD3
料号:E4-6114
包装:
参考价格:1.152600
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可供数量:咨询
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
参数: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):30V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500mV @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):20V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):1A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):430mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):40V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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外壳:
封装:UMD6
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包装:
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描述: DIODE ARRAY GP 80V 100MA EMD4
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SMD3
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替代:
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二极管类型:肖特基
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丝印:(请登录)
外壳:
封装:SMD3
料号:E4-6118
包装:
参考价格:1.152600
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD4
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 90V EMD4
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY GP 80V 100MA EMD6
参数: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):30V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500mV @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):20V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):1A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):430mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):40V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):40V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):15mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):90V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):610mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):5V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):10mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):350mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:120µA @ 5V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):30V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):2A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):400mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:900µA @ 15V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):65V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):690mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 65V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):90V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):750mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 90V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):60V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):580mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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丝印:
外壳:
封装:EMD6
料号:E4-6293
包装:
参考价格:1.152600
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY GP 200V 400MA TSMD6
参数: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):30V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500mV @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):20V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):1A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):430mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):40V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):40V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):15mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):90V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):610mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):5V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):10mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):350mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:120µA @ 5V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):30V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):2A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):400mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:900µA @ 15V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):65V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):690mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 65V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):90V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):750mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 90V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):60V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):580mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):200V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):980mV @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 200V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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封装:TSMD6
料号:E4-6295
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参考价格:1.152600
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V UMD6
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替代:
二极管配置:3 个独立式
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丝印:
外壳:
封装:UMD6
料号:E4-6296
包装:
参考价格:1.152600
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现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY GP 80V 25MA UMD5
参数: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):30V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500mV @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):20V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):1A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):430mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):40V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):40V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):15mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):90V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):610mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):5V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):10mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):350mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:120µA @ 5V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):30V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):2A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):400mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:900µA @ 15V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):65V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):690mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 65V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):90V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):750mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 90V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):60V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):580mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):200V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):980mV @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 200V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):30V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):530mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):25mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 5mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
替代:
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丝印:
外壳:
封装:UMD5
料号:E4-6297
包装:
参考价格:1.152600
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V UMD6
参数: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):30V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500mV @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):20V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):1A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):430mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):40V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):40V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):15mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):90V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):610mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):5V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):10mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):350mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:120µA @ 5V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):30V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):2A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):400mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:900µA @ 15V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):65V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):690mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 65V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):90V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):750mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 90V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):60V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):580mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):200V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):980mV @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 200V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):30V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):530mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):80V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):25mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 5mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向(vr)(最大值):30V *电流 - 平均整流(io)(每二极管):100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):530mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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