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Rohm Semiconductor 罗姆半导体

Rohm

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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V UMD6
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替代：
二极管配置：3 个独立式
二极管类型：肖特基
电压 - dc 反向（vr）（最大值）：40V
电流 - 平均整流（io）（每二极管）：30mA
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丝印：
外壳：
封装：UMD6
料号：E4-6304
包装：
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可供数量:咨询
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
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替代：
二极管配置：1 对共阴极
二极管类型：碳化硅肖特基
电压 - dc 反向（vr）（最大值）：1200V
电流 - 平均整流（io）（每二极管）：5A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
丝印：
外壳：
封装：TO-247
料号：E4-6435
包装：
参考价格:￥173.127300
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二极管类型：碳化硅肖特基
电压 - dc 反向（vr）（最大值）：1200V
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252
参数： *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:30mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.75V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:- *二极管类型:- *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:- *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 工作温度 - 结:- 安装类型:- 标签: 包装:
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220FN
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
参数： *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:30mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.75V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:- *二极管类型:- *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:- *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 工作温度 - 结:- 安装类型:- 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 30V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装:
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料号：E4-6757
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丝印：
外壳：
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料号：E4-6827
包装：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
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替代：
二极管配置：1 对串联
二极管类型：标准
电压 - dc 反向（vr）（最大值）：80V
电流 - 平均整流（io）（每二极管）：100mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
丝印：(请登录)
外壳：
封装：EMD3/SOT523
料号：E4-6835
包装：
参考价格:￥173.127300
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可供数量:咨询
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总额：
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参数： *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:30mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.75V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:- *二极管类型:- *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:- *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 工作温度 - 结:- 安装类型:- 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 30V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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二极管配置：1 对共阴极
二极管类型：标准
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电流 - 平均整流（io）（每二极管）：100mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
丝印：
外壳：
封装：UMD3
料号：E4-6838
包装：
参考价格:￥173.127300
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可供数量:咨询
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描述： DIODE ARRAY GP 20V 100MA EMD3
参数： *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:30mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.75V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:- *二极管类型:- *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:- *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 工作温度 - 结:- 安装类型:- 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 30V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 15V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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二极管配置：1 对串联
二极管类型：标准
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电流 - 平均整流（io）（每二极管）：100mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
丝印：
外壳：
封装：EMD3
料号：E4-6840
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参考价格:￥173.127300
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： DIODE ARRAY GP 20V 100MA VMD3
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丝印：
外壳：
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包装：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V EMD4
参数： *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:30mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.75V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:- *二极管类型:- *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:- *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 工作温度 - 结:- 安装类型:- 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 30V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 15V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 15V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:30mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 40V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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丝印：
外壳：
封装：EMD4
料号：E4-6875
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参考价格:￥173.127300
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： DIODE ARRAY GP 100V 500MA TSMD6
参数： *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:30mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.75V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:- *二极管类型:- *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:- *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 工作温度 - 结:- 安装类型:- 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 30V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 15V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 15V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:30mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 40V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 500mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SMD3
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替代：
二极管配置：1 对共阴极
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丝印：
外壳：
封装：SMD3
料号：E4-6891
包装：
参考价格:￥173.127300
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总额：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
参数： *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:30mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.75V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:- *二极管类型:- *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:- *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 工作温度 - 结:- 安装类型:- 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 30V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 15V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 15V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:30mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 40V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 500mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
替代：
二极管配置：2 对串联
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丝印：(请登录)
外壳：
封装：UMD6
料号：E4-6895
包装：
参考价格:￥173.127300
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMD3
参数： *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:30mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.75V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:- *二极管类型:- *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:- *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 工作温度 - 结:- 安装类型:- 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 30V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 15V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 15V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:30mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 40V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 500mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 10V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:2 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对串联 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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外壳：
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料号：E4-6935
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