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商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： FKP253复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 250V 20A TO-220F 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：250V 电流 - 连续漏极(id)：20A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：40W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-5381 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： EKI06051复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 60V 85A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：85A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：135W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220-3 料号：JTG8-5416 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 2SK2420复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 60V TO-220F 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：30A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：40W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220F 料号：JTG8-5423 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 2SK3800VL复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 40V TO-220S 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：70A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：80W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220S 料号：JTG8-5434 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 2SK3800VR复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 40V TO-220S 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：70A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：80W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220S 料号：JTG8-5435 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 2SK3800复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 40V TO-220S 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：70A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：80W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220S 料号：JTG8-5436 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SKP253VR复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 250V 20A TO-263 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：250V 电流 - 连续漏极(id)：20A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：40W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-263-3 料号：JTG8-5466 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SKP253复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 250V 20A TO-263 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：250V 电流 - 连续漏极(id)：20A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：40W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-263-3 料号：JTG8-5467 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SKI04033复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：80A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：116W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-263 料号：JTG8-5511 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SKI06073复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 60V 78A TO-263 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):78A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：78A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：116W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-263 料号：JTG8-5514 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SKI10195复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 100V 47A TO-263 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):78A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：47A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：116W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-263 料号：JTG8-5517 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： EKI04027复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 40V 85A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):78A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 82.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):93.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：85A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：135W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220-3 料号：JTG8-5785 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： EKI07076复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 75V 85A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):78A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 82.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):93.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.6 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):91nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：75V 电流 - 连续漏极(id)：85A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：135W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220-3 料号：JTG8-5842 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： EKI10126复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 100V 66A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):78A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 82.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):93.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.6 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):91nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):66A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.6 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):88.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：66A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：135W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220-3 料号：JTG8-5843 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： FKI06051复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 60V 69A TO-220F 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):78A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 82.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):93.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.6 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):91nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):66A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.6 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):88.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):69A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：69A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：42W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220F 料号：JTG8-5906 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： FKI07076复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 75V 55A TO-220F 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):78A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 82.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):93.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.6 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):91nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):66A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.6 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):88.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):69A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.9 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):91.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：75V 电流 - 连续漏极(id)：55A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：42W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220F 料号：JTG8-5907 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： FKI10126复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 100V 41A TO-220F 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： SKI03021复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 30V 85A TO-263 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： SKI04024复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 40V 85A TO-263 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 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最大值：135W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-263 料号：JTG8-5993 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SKI06048复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 60V 85A TO-263 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 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最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.6 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):91nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):66A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.6 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):88.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):69A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.9 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):91.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.6 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):88.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 毫欧 @ 110A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3 毫欧 @ 82.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):97.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：85A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：135W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-263 料号：JTG8-5996 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： FKP253复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 250V 20A TO-220F 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：250V 电流 - 连续漏极(id)：20A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：40W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-5381 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： EKI06051复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 60V 85A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：85A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：135W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220-3 料号：JTG8-5416 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 2SK2420复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 60V TO-220F 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：30A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：40W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220F 料号：JTG8-5423 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 2SK3800VL复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 40V TO-220S 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：70A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：80W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220S 料号：JTG8-5434 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 2SK3800VR复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 40V TO-220S 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：70A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：80W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220S 料号：JTG8-5435 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 2SK3800复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 40V TO-220S 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：70A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：80W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220S 料号：JTG8-5436 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SKP253VR复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 250V 20A TO-263 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：250V 电流 - 连续漏极(id)：20A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：40W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-263-3 料号：JTG8-5466 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SKP253复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 250V 20A TO-263 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：250V 电流 - 连续漏极(id)：20A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：40W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-263-3 料号：JTG8-5467 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SKI04033复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：80A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：116W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-263 料号：JTG8-5511 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SKI06073复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 60V 78A TO-263 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):78A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：78A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：116W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-263 料号：JTG8-5514 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SKI10195复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 100V 47A TO-263 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):78A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：47A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：116W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-263 料号：JTG8-5517 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： EKI04027复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 40V 85A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):78A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 82.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):93.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：85A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：135W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220-3 料号：JTG8-5785 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： EKI07076复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 75V 85A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):78A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 82.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):93.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.6 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):91nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：75V 电流 - 连续漏极(id)：85A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：135W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220-3 料号：JTG8-5842 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： EKI10126复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 100V 66A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):78A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 82.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):93.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.6 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):91nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):66A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.6 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):88.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：66A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：135W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220-3 料号：JTG8-5843 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： FKI06051复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 60V 69A TO-220F 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):78A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 82.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):93.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.6 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):91nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):66A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.6 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):88.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):69A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：69A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：42W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220F 料号：JTG8-5906 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： FKI07076复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 75V 55A TO-220F 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):78A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 82.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):93.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.6 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):91nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):66A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.6 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):88.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):69A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.9 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):91.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：75V 电流 - 连续漏极(id)：55A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：42W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220F 料号：JTG8-5907 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： FKI10126复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 100V 41A TO-220F 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： SKI03021复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 30V 85A TO-263 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： SKI04024复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 40V 85A TO-263 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 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最大值：135W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-263 料号：JTG8-5993 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SKI06048复制品牌： Sanken复制 Sanken 描述： MOSFET N-CH 60V 85A TO-263 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 250µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):70A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 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最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):78A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:116W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 82.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):93.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.6 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):91nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):66A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.6 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):88.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):69A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.9 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):91.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.6 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):88.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 毫欧 @ 110A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3 毫欧 @ 82.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):97.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):85A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.7 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6210pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:135W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：85A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：135W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-263 料号：JTG8-5996 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥13.243600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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