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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN
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替代：
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电流 - 连续漏极(id)：22A（Ta）
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功率 - 最大值：3.1W（Ta），77W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：8-DFN（5x6）
料号：JTG8-9114
包装：
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可供数量:咨询
个
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN
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封装：8-DFN（5x6）
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料号：JTG8-9123
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丝印：
外壳：
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料号：JTG8-9181
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 60V 78A TO-220
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替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：78A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：116W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220-3
料号：JTG8-9274
包装：
参考价格:￥3.514300
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可供数量:咨询
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 75V 62A TO-220
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):22A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.6 毫欧 @ 68A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4010pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):17A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.5 毫欧 @ 51A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):9A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 27.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):57nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.6 毫欧 @ 20.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):80A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.7 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2460pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):80A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5 毫欧 @ 42.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35.3nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2410pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):57A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:8.8 毫欧 @ 28.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):46A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.6 毫欧 @ 22.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):34A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:27.9 毫欧 @ 17.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2540pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):78A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:116W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):62A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.3 毫欧 @ 31.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):57nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:116W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
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丝印：
外壳：
封装：TO-220-3
料号：JTG8-9275
包装：
参考价格:￥3.514300
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 100V 47A TO-220
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 75V 42A TO-220F
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：TO-220F
料号：JTG8-9277
包装：
参考价格:￥3.514300
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):22A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.6 毫欧 @ 68A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4010pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):17A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.5 毫欧 @ 51A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):9A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 27.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):57nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.6 毫欧 @ 20.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):80A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.7 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2460pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):80A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5 毫欧 @ 42.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35.3nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2410pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):57A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:8.8 毫欧 @ 28.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):46A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.6 毫欧 @ 22.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):34A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:27.9 毫欧 @ 17.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2540pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):78A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:116W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):62A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.3 毫欧 @ 31.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):57nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:116W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):47A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:116W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):42A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.7 毫欧 @ 31.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):54nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):80A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:116W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极(id)：80A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：116W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220-3
料号：JTG8-20812
包装：
参考价格:￥3.514300
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):22A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.6 毫欧 @ 68A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4010pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):17A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.5 毫欧 @ 51A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):9A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 27.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):57nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.6 毫欧 @ 20.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):80A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.7 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2460pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):80A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5 毫欧 @ 42.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35.3nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2410pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):57A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:8.8 毫欧 @ 28.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):46A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.6 毫欧 @ 22.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):34A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:27.9 毫欧 @ 17.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2540pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):78A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:116W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):62A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.3 毫欧 @ 31.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):57nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:116W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):47A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:116W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):42A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.7 毫欧 @ 31.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):54nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):80A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:116W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):6A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:23.2 毫欧 @ 12.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 350µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1580pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），46W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
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丝印：
外壳：
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料号：JTG8-34953
包装：
参考价格:￥3.514300
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描述： MOSFET N-CH 50V 75A TO-220F
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 75V 62A TO-263
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替代：
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丝印：(请登录)
外壳：
封装：8-DFN（5x6）
料号：JTG8-38547
包装：
参考价格:￥3.514300
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总额：
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):22A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.6 毫欧 @ 68A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4010pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):17A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.5 毫欧 @ 51A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):9A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 27.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):57nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.6 毫欧 @ 20.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），77W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):80A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.7 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2460pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):80A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5 毫欧 @ 42.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35.3nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2410pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):57A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:8.8 毫欧 @ 28.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):46A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.6 毫欧 @ 22.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):34A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:27.9 毫欧 @ 17.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2540pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):78A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:116W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):62A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.3 毫欧 @ 31.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):57nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:116W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):47A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:116W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):42A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.7 毫欧 @ 31.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):54nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):80A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.8 毫欧 @ 58.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3910pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:116W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):6A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:23.2 毫欧 @ 12.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 350µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1580pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），46W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极(id):75A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):70nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3200pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):62A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.3 毫欧 @ 31.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):57nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:116W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):14A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5 毫欧 @ 35.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35.3nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2410pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），59W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):9A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:8.9 毫欧 @ 23.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 650µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），59W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：9A（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：3.1W（Ta），59W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：8-DFN（5x6）
料号：JTG8-38689
包装：
参考价格:￥3.514300
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GKI06109' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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