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Toshiba Semiconductor 东芝

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
array(64) { ["id"]=> string(4) "2192" ["pdf_add"]=> string(79) "https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=14225&prodName=TK16V60W" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(72) "//media.digikey.com/Renders/Toshiba%20Renders/4-VSFN%20Exposed%20Pad.jpg" ["images"]=> string(88) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Toshiba_Renders/4-VSFN_Exposed_Pad.jpg" ["ljbh"]=> string(16) "TK16V60WLVQTR-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "TK16V60W,LVQ" ["zddgs"]=> string(4) "2500" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933752" ["ms"]=> string(27) "MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN" ["xl"]=> string(7) "DTMOSIV" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "600V" ["dl_lxlj"]=> string(13) "15.8A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "190 毫欧 @ 7.9A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(13) "3.7V @ 790µA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "38nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(13) "1350pF @ 300V" ["fetgn"]=> string(9) "超级结" ["gn_zdz"]=> string(12) "139W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(19) "4-VSFN 裸露焊盘" ["gysqjfz"]=> string(17) "4-DFN-EP（8x8）" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "4" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(8) "TK16V60W" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "1" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK16V60W,LVQ复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK16V60W,LVQ' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK16V60W,LVQ' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：600V
电流 - 连续漏极(id)：15.8A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：超级结
功率 - 最大值：139W（Tc）
丝印：(请登录)
外壳：
封装：4-DFN-EP（8x8）
料号：JTG8-2192
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK16V60W,LVQ' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
咨询客服
array(64) { ["id"]=> string(4) "2197" ["pdf_add"]=> string(79) "https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=22028&prodName=TK12A53D" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(70) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TO-220-3%20Full%20Pack.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TO-220-3_Full_Pack.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "TK12A53D(STA4QM)-ND" ["zzsbh"]=> string(18) "TK12A53D(STA4,Q,M)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "16.030000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933725" ["ms"]=> string(30) "MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS" ["xl"]=> string(9) "π-MOSVII" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "525V" ["dl_lxlj"]=> string(11) "12A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "580 毫欧 @ 6A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(8) "4V @ 1mA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "25nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "1350pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(11) "45W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-220-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-220SIS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK12A53D(STA4,Q,M)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK12A53D(STA4,Q,M)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK12A53D(STA4,Q,M)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：525V
电流 - 连续漏极(id)：12A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：45W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220SIS
料号：JTG8-2197
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK12A53D(STA4,Q,M)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(4) "2198" ["pdf_add"]=> string(79) "https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=22029&prodName=TK11A55D" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(70) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TO-220-3%20Full%20Pack.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TO-220-3_Full_Pack.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "TK11A55D(STA4QM)-ND" ["zzsbh"]=> string(18) "TK11A55D(STA4,Q,M)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "16.050000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933725" ["ms"]=> string(30) "MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS" ["xl"]=> string(9) "π-MOSVII" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "550V" ["dl_lxlj"]=> string(11) "11A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "630 毫欧 @ 5.5A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(8) "4V @ 1mA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "25nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "1350pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(11) "45W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-220-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-220SIS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK11A55D(STA4,Q,M)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK11A55D(STA4,Q,M)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK11A55D(STA4,Q,M)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：550V
电流 - 连续漏极(id)：11A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：45W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220SIS
料号：JTG8-2198
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK11A55D(STA4,Q,M)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(4) "2222" ["pdf_add"]=> string(78) "https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=13674&prodName=TK8A60W" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(70) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TO-220-3%20Full%20Pack.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TO-220-3_Full_Pack.jpg" ["ljbh"]=> string(14) "TK8A60WS4VX-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "TK8A60W,S4VX" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "16.510000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933785" ["ms"]=> string(29) "MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS" ["xl"]=> string(7) "DTMOSIV" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "600V" ["dl_lxlj"]=> string(10) "8A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "500 毫欧 @ 4A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(13) "3.7V @ 400µA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(12) "18.5nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "570pF @ 300V" ["fetgn"]=> string(9) "超级结" ["gn_zdz"]=> string(11) "30W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-220-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-220SIS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK8A60W,S4VX复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK8A60W,S4VX' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK8A60W,S4VX' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：600V
电流 - 连续漏极(id)：8A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：超级结
功率 - 最大值：30W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220SIS
料号：JTG8-2222
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK8A60W,S4VX' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(4) "2225" ["pdf_add"]=> string(79) "https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=12353&prodName=TK11A60D" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(70) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TO-220-3%20Full%20Pack.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TO-220-3_Full_Pack.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "TK11A60D(STA4QM)-ND" ["zzsbh"]=> string(18) "TK11A60D(STA4,Q,M)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "16.550000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933725" ["ms"]=> string(30) "MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS" ["xl"]=> string(9) "π-MOSVII" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "600V" ["dl_lxlj"]=> string(11) "11A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "650 毫欧 @ 5.5A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(8) "4V @ 1mA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "28nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "1550pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(11) "45W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-220-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-220SIS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK11A60D(STA4,Q,M)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK11A60D(STA4,Q,M)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK11A60D(STA4,Q,M)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：600V
电流 - 连续漏极(id)：11A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：45W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220SIS
料号：JTG8-2225
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK11A60D(STA4,Q,M)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(4) "2237" ["pdf_add"]=> string(80) "https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=22027&prodName=TK13A50DA" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(70) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TO-220-3%20Full%20Pack.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TO-220-3_Full_Pack.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "TK13A50DA(STA4QM-ND" ["zzsbh"]=> string(18) "TK13A50DA(STA4,Q,M" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "16.780000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933725" ["ms"]=> string(32) "MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS" ["xl"]=> string(9) "π-MOSVII" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "500V" ["dl_lxlj"]=> string(13) "12.5A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "470 毫欧 @ 6.3A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(8) "4V @ 1mA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "28nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "1550pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(11) "45W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-220-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-220SIS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK13A50DA(STA4,Q,M复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK13A50DA(STA4,Q,M' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK13A50DA(STA4,Q,M' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:470 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：500V
电流 - 连续漏极(id)：12.5A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：45W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220SIS
料号：JTG8-2237
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK13A50DA(STA4,Q,M' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(4) "2238" ["pdf_add"]=> string(75) "//media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Toshiba%20PDFs/Mosfets_Prod_Guide.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(70) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TO-220-3%20Full%20Pack.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TO-220-3_Full_Pack.jpg" ["ljbh"]=> string(20) "TK14A45DA(STA4QM)-ND" ["zzsbh"]=> string(18) "TK14A45DA(STA4,QM)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "16.780000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933725" ["ms"]=> string(32) "MOSFET N-CH 450V 13.5A TO-220SIS" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "450V" ["dl_lxlj"]=> string(5) "13.5A" ["qddy"]=> string(5) "13.5A" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "410 毫欧 @ 6.8A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vds_srdr"]=> string(1) "-" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(1) "-" ["gzwd"]=> string(1) "-" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-220-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-220SIS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK14A45DA(STA4,QM)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK14A45DA(STA4,QM)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK14A45DA(STA4,QM)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 450V 13.5A TO-220SIS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:470 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):13.5A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13.5A 不同id,vgs 时的rds on:410 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：450V
电流 - 连续漏极(id)：13.5A
Vgs(最大值)：-
fet 功能：-
功率 - 最大值：-
丝印：
外壳：
封装：TO-220SIS
料号：JTG8-2238
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK14A45DA(STA4,QM)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(4) "2297" ["pdf_add"]=> string(77) "https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=744&prodName=TK12A55D" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(70) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TO-220-3%20Full%20Pack.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TO-220-3_Full_Pack.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "TK12A55D(STA4QM)-ND" ["zzsbh"]=> string(18) "TK12A55D(STA4,Q,M)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "17.620000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933725" ["ms"]=> string(30) "MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS" ["xl"]=> string(9) "π-MOSVII" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "550V" ["dl_lxlj"]=> string(11) "12A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "570 毫欧 @ 6A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(8) "4V @ 1mA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "28nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "1550pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(11) "45W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-220-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-220SIS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK12A55D(STA4,Q,M)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK12A55D(STA4,Q,M)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK12A55D(STA4,Q,M)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:470 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):13.5A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13.5A 不同id,vgs 时的rds on:410 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:570 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：550V
电流 - 连续漏极(id)：12A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：45W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220SIS
料号：JTG8-2297
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK12A55D(STA4,Q,M)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(4) "2302" ["pdf_add"]=> string(78) "http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=2172&prodName=TK13A55DA" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(70) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TO-220-3%20Full%20Pack.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TO-220-3_Full_Pack.jpg" ["ljbh"]=> string(20) "TK13A55DA(STA4QM)-ND" ["zzsbh"]=> string(18) "TK13A55DA(STA4,QM)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "17.750000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933725" ["ms"]=> string(32) "MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS" ["xl"]=> string(9) "π-MOSVII" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "550V" ["dl_lxlj"]=> string(13) "12.5A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "480 毫欧 @ 6.3A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(8) "4V @ 1mA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "38nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "1800pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(11) "45W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-220-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-220SIS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK13A55DA(STA4,QM)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK13A55DA(STA4,QM)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK13A55DA(STA4,QM)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:470 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):13.5A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13.5A 不同id,vgs 时的rds on:410 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:570 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:480 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：550V
电流 - 连续漏极(id)：12.5A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：45W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220SIS
料号：JTG8-2302
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK13A55DA(STA4,QM)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(4) "2338" ["pdf_add"]=> string(75) "//media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Toshiba%20PDFs/Mosfets_Prod_Guide.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(70) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TO-220-3%20Full%20Pack.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TO-220-3_Full_Pack.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "TK16A45D(STA4QM)-ND" ["zzsbh"]=> string(18) "TK16A45D(STA4,Q,M)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933752" ["ms"]=> string(30) "MOSFET N-CH 450V 16A TO-220SIS" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "450V" ["dl_lxlj"]=> string(3) "16A" ["qddy"]=> string(3) "16A" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "270 毫欧 @ 8A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vds_srdr"]=> string(1) "-" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(1) "-" ["gzwd"]=> string(1) "-" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-220-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-220SIS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK16A45D(STA4,Q,M)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK16A45D(STA4,Q,M)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK16A45D(STA4,Q,M)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 450V 16A TO-220SIS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:470 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):13.5A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13.5A 不同id,vgs 时的rds on:410 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:570 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:480 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):16A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):16A 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：450V
电流 - 连续漏极(id)：16A
Vgs(最大值)：-
fet 功能：-
功率 - 最大值：-
丝印：
外壳：
封装：TO-220SIS
料号：JTG8-2338
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK16A45D(STA4,Q,M)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(4) "2343" ["pdf_add"]=> string(79) "https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=13513&prodName=TK12Q60W" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(61) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TKxxQ60W,S1VQ.jpg" ["images"]=> string(81) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TKxxQ60W,S1VQ.jpg" ["ljbh"]=> string(15) "TK12Q60WS1VQ-ND" ["zzsbh"]=> string(13) "TK12Q60W,S1VQ" ["zddgs"]=> string(2) "75" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "11.520000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933725" ["ms"]=> string(27) "MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK" ["xl"]=> string(7) "DTMOSIV" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "600V" ["dl_lxlj"]=> string(13) "11.5A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "340 毫欧 @ 5.8A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(13) "3.7V @ 600µA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "25nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "890pF @ 300V" ["fetgn"]=> string(9) "超级结" ["gn_zdz"]=> string(12) "100W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(28) "TO-251-3 短截引线，IPak" ["gysqjfz"]=> string(5) "I-PAK" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK12Q60W,S1VQ复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK12Q60W,S1VQ' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK12Q60W,S1VQ' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:470 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):13.5A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13.5A 不同id,vgs 时的rds on:410 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:570 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:480 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):16A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):16A 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：600V
电流 - 连续漏极(id)：11.5A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：超级结
功率 - 最大值：100W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：I-PAK
料号：JTG8-2343
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK12Q60W,S1VQ' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(4) "2345" ["pdf_add"]=> string(77) "https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=948&prodName=TK13A50D" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(70) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TO-220-3%20Full%20Pack.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TO-220-3_Full_Pack.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "TK13A50D(STA4QM)-ND" ["zzsbh"]=> string(18) "TK13A50D(STA4,Q,M)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "18.800000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933725" ["ms"]=> string(30) "MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS" ["xl"]=> string(9) "π-MOSVII" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "500V" ["dl_lxlj"]=> string(11) "13A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "400 毫欧 @ 6.5A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(8) "4V @ 1mA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "38nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "1800pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(11) "45W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-220-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-220SIS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK13A50D(STA4,Q,M)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK13A50D(STA4,Q,M)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK13A50D(STA4,Q,M)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:470 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):13.5A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13.5A 不同id,vgs 时的rds on:410 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:570 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:480 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):16A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):16A 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):13A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:400 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：500V
电流 - 连续漏极(id)：13A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：45W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220SIS
料号：JTG8-2345
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK13A50D(STA4,Q,M)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(4) "2346" ["pdf_add"]=> string(75) "//media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Toshiba%20PDFs/Mosfets_Prod_Guide.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(70) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TO-220-3%20Full%20Pack.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TO-220-3_Full_Pack.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "TK14A45D(STA4QM)-ND" ["zzsbh"]=> string(18) "TK14A45D(STA4,Q,M)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "18.800000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933725" ["ms"]=> string(30) "MOSFET N-CH 450V 14A TO-220SIS" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "450V" ["dl_lxlj"]=> string(3) "14A" ["qddy"]=> string(3) "14A" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "340 毫欧 @ 7A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vds_srdr"]=> string(1) "-" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(1) "-" ["gzwd"]=> string(1) "-" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-220-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-220SIS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK14A45D(STA4,Q,M)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK14A45D(STA4,Q,M)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK14A45D(STA4,Q,M)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 450V 14A TO-220SIS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:470 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):13.5A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13.5A 不同id,vgs 时的rds on:410 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:570 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:480 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):16A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):16A 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):13A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:400 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):14A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):14A 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：450V
电流 - 连续漏极(id)：14A
Vgs(最大值)：-
fet 功能：-
功率 - 最大值：-
丝印：
外壳：
封装：TO-220SIS
料号：JTG8-2346
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK14A45D(STA4,Q,M)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(4) "2357" ["pdf_add"]=> string(79) "https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=13505&prodName=TK12E60W" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(56) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TO-220-3.jpg" ["images"]=> string(76) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TO-220-3.jpg" ["ljbh"]=> string(15) "TK12E60WS1VX-ND" ["zzsbh"]=> string(13) "TK12E60W,S1VX" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "19.010000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933725" ["ms"]=> string(29) "MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220" ["xl"]=> string(7) "DTMOSIV" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "600V" ["dl_lxlj"]=> string(13) "11.5A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "300 毫欧 @ 5.8A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(13) "3.7V @ 600µA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "25nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "890pF @ 300V" ["fetgn"]=> string(9) "超级结" ["gn_zdz"]=> string(12) "110W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-220-3" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-220" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK12E60W,S1VX复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK12E60W,S1VX' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK12E60W,S1VX' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:470 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):13.5A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13.5A 不同id,vgs 时的rds on:410 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:570 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:480 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):16A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):16A 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):13A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:400 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):14A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):14A 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:110W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：600V
电流 - 连续漏极(id)：11.5A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：超级结
功率 - 最大值：110W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220
料号：JTG8-2357
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参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK12E60W,S1VX' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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个
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array(64) { ["id"]=> string(4) "2377" ["pdf_add"]=> string(79) "https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=22030&prodName=TK14A55D" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(70) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TO-220-3%20Full%20Pack.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TO-220-3_Full_Pack.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "TK14A55D(STA4QM)-ND" ["zzsbh"]=> string(18) "TK14A55D(STA4,Q,M)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "19.600000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933725" ["ms"]=> string(30) "MOSFET N-CH 550V 14A TO-220SIS" ["xl"]=> string(9) "π-MOSVII" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "550V" ["dl_lxlj"]=> string(11) "14A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "370 毫欧 @ 7A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(8) "4V @ 1mA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "40nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "2300pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(11) "50W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-220-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-220SIS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK14A55D(STA4,Q,M)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK14A55D(STA4,Q,M)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK14A55D(STA4,Q,M)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 550V 14A TO-220SIS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:470 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):13.5A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13.5A 不同id,vgs 时的rds on:410 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:570 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:480 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):16A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):16A 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):13A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:400 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):14A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):14A 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:110W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):14A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：550V
电流 - 连续漏极(id)：14A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：50W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220SIS
料号：JTG8-2377
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK14A55D(STA4,Q,M)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(4) "2378" ["pdf_add"]=> string(80) "https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=14523&prodName=TK14C65W5" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(60) "//media.digikey.com/photos/Toshiba%20Photos/TK14C65W,S1Q.JPG" ["images"]=> string(80) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TK14C65W,S1Q.JPG" ["ljbh"]=> string(15) "TK14C65W5S1Q-ND" ["zzsbh"]=> string(13) "TK14C65W5,S1Q" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933725" ["ms"]=> string(28) "MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK" ["xl"]=> string(7) "DTMOSIV" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "650V" ["dl_lxlj"]=> string(13) "13.7A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "300 毫欧 @ 6.9A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(13) "4.5V @ 690µA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "40nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(13) "1300pF @ 300V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(12) "130W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(40) "TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA" ["gysqjfz"]=> string(5) "I2PAK" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK14C65W5,S1Q复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK14C65W5,S1Q' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK14C65W5,S1Q' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:470 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):13.5A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13.5A 不同id,vgs 时的rds on:410 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:570 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:480 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):16A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):16A 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):13A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:400 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):14A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):14A 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:110W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):14A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V *fet 功能:- *功率 - 最大值:130W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：650V
电流 - 连续漏极(id)：13.7A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：130W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：I2PAK
料号：JTG8-2378
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK14C65W5,S1Q' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(4) "2422" ["pdf_add"]=> string(75) "//media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Toshiba%20PDFs/Mosfets_Prod_Guide.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(70) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TO-220-3%20Full%20Pack.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TO-220-3_Full_Pack.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "TK16A55D(STA4QM)-ND" ["zzsbh"]=> string(18) "TK16A55D(STA4,Q,M)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933752" ["ms"]=> string(30) "MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS" ["xl"]=> string(9) "π-MOSVII" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "550V" ["dl_lxlj"]=> string(11) "16A（Ta）" ["qddy"]=> string(11) "16A（Ta）" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "330 毫欧 @ 8A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(8) "4V @ 1mA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "45nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(10) "45nC @ 10V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "2600pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(1) "-" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-220-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-220SIS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK16A55D(STA4,Q,M)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK16A55D(STA4,Q,M)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK16A55D(STA4,Q,M)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:470 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):13.5A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13.5A 不同id,vgs 时的rds on:410 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:570 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:480 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):16A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):16A 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):13A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:400 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):14A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):14A 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:110W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):14A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V *fet 功能:- *功率 - 最大值:130W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):16A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):16A（Ta） 不同id,vgs 时的rds on:330 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V *Vgs(最大值):45nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：550V
电流 - 连续漏极(id)：16A（Ta）
Vgs(最大值)：45nC @ 10V
fet 功能：-
功率 - 最大值：-
丝印：
外壳：
封装：TO-220SIS
料号：JTG8-2422
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK16A55D(STA4,Q,M)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(4) "2426" ["pdf_add"]=> string(79) "https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=13503&prodName=TK10Q60W" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(61) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TKxxQ60W,S1VQ.jpg" ["images"]=> string(81) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TKxxQ60W,S1VQ.jpg" ["ljbh"]=> string(15) "TK10Q60WS1VQ-ND" ["zzsbh"]=> string(13) "TK10Q60W,S1VQ" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(2) "20" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "17.110000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933725" ["ms"]=> string(26) "MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK" ["xl"]=> string(7) "DTMOSIV" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "600V" ["dl_lxlj"]=> string(12) "9.7A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "430 毫欧 @ 4.9A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(13) "3.7V @ 500µA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "20nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "700pF @ 300V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(11) "80W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(28) "TO-251-3 短截引线，IPak" ["gysqjfz"]=> string(5) "I-PAK" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK10Q60W,S1VQ复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK10Q60W,S1VQ' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK10Q60W,S1VQ' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:470 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):13.5A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13.5A 不同id,vgs 时的rds on:410 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:570 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:480 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):16A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):16A 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):13A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:400 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):14A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):14A 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:110W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):14A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V *fet 功能:- *功率 - 最大值:130W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):16A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):16A（Ta） 不同id,vgs 时的rds on:330 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V *Vgs(最大值):45nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):9.7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:430 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 300V *fet 功能:- *功率 - 最大值:80W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：600V
电流 - 连续漏极(id)：9.7A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：80W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：I-PAK
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK10Q60W,S1VQ' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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个
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array(64) { ["id"]=> string(4) "2427" ["pdf_add"]=> string(77) "https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=376&prodName=TK15A60D" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(70) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TO-220-3%20Full%20Pack.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TO-220-3_Full_Pack.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "TK15A60D(STA4QM)-ND" ["zzsbh"]=> string(18) "TK15A60D(STA4,Q,M)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "21.240000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933725" ["ms"]=> string(30) "MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS" ["xl"]=> string(9) "π-MOSVII" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "600V" ["dl_lxlj"]=> string(11) "15A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "370 毫欧 @ 7.5A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(8) "4V @ 1mA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "45nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "2600pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(11) "50W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-220-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-220SIS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK15A60D(STA4,Q,M)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK15A60D(STA4,Q,M)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK15A60D(STA4,Q,M)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:470 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):13.5A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13.5A 不同id,vgs 时的rds on:410 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:570 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:480 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):16A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):16A 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):13A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:400 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):14A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):14A 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:110W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):14A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V *fet 功能:- *功率 - 最大值:130W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):16A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):16A（Ta） 不同id,vgs 时的rds on:330 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V *Vgs(最大值):45nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):9.7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:430 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 300V *fet 功能:- *功率 - 最大值:80W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：600V
电流 - 连续漏极(id)：15A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：50W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220SIS
料号：JTG8-2427
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK15A60D(STA4,Q,M)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(4) "2456" ["pdf_add"]=> string(77) "https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=692&prodName=TK18A50D" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(70) "//media.digikey.com/Photos/Toshiba%20Photos/TO-220-3%20Full%20Pack.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Toshiba_Photos/TO-220-3_Full_Pack.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "TK18A50D(STA4QM)-ND" ["zzsbh"]=> string(18) "TK18A50D(STA4,Q,M)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "21.840000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933752" ["ms"]=> string(30) "MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS" ["xl"]=> string(9) "π-MOSVII" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "500V" ["dl_lxlj"]=> string(11) "18A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "270 毫欧 @ 9A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(8) "4V @ 1mA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "45nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "2600pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(11) "50W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-220-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-220SIS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： TK18A50D(STA4,Q,M)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK18A50D(STA4,Q,M)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TK18A50D(STA4,Q,M)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 790µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:139W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:525V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:580 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:470 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):13.5A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13.5A 不同id,vgs 时的rds on:410 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:570 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):12.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:480 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):16A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):16A 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):13A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:400 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):14A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):14A 不同id,vgs 时的rds on:340 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:110W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):14A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V *fet 功能:- *功率 - 最大值:130W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极(id):16A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):16A（Ta） 不同id,vgs 时的rds on:330 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V *Vgs(最大值):45nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):9.7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:430 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 300V *fet 功能:- *功率 - 最大值:80W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):18A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：500V
电流 - 连续漏极(id)：18A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：50W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220SIS
料号：JTG8-2456
包装：
参考价格:￥18.113900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK18A50D(STA4,Q,M)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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