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商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： TK12V60W,LVQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：11.5A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：104W（Tc）	丝印：外壳：封装：4-DFN-EP（8x8）料号：JTG8-5445 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
状态：在售型号： TK9A55DA(STA4,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：550V 电流 - 连续漏极(id)：8.5A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：40W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-5470 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK9A60D(STA4,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：9A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：45W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-5471 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK72E12N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 120V 72A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：120V 电流 - 连续漏极(id)：72A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：255W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220-3 料号：JTG8-5497 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TPCA8128,LQ(CM复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP-ADV 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：34A（Ta） Vgs(最大值)：+20V，-25V fet 功能：- 功率 - 最大值：1.6W（Ta），45W（Tc）	丝印：外壳：封装：8-SOP Advance（5x5）料号：JTG8-5577 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK6P53D(T6RSS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：525V 电流 - 连续漏极(id)：6A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：100W（Tc）	丝印：外壳：封装：D-Pak 料号：JTG8-5581 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK7P50D(T6RSS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：7A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：100W（Tc）	丝印：外壳：封装：D-Pak 料号：JTG8-5582 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TPN1110ENH,L1Q复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：200V 电流 - 连续漏极(id)：7.2A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：700mW（Ta），39W（Tc）	丝印：外壳：封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）料号：JTG8-5606 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TPH1110ENH,L1Q复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：200V 电流 - 连续漏极(id)：7.2A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1.6W（Ta），42W（Tc）	丝印：外壳：封装：8-SOP Advance（5x5）料号：JTG8-5640 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TJ40S04M3L(T6L1,NQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：40A（Ta） Vgs(最大值)：+10V，-20V fet 功能：- 功率 - 最大值：68W（Tc）	丝印：外壳：封装：DPAK+ 料号：JTG8-5710 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TPCA8056-H,LQ(M复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP-ADV 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：48A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1.6W（Ta），63W（Tc）	丝印：外壳：封装：8-SOP Advance（5x5）料号：JTG8-5732 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TJ30S06M3L(T6L1,NQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：30A（Ta） Vgs(最大值)：+10V，-20V fet 功能：- 功率 - 最大值：68W（Tc）	丝印：外壳：封装：DPAK+ 料号：JTG8-5741 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TPH8R008NH,L1Q复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 80V 34A SOP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):34A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：80V 电流 - 连续漏极(id)：34A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1.6W（Ta），61W（Tc）	丝印：外壳：封装：8-SOP Advance（5x5）料号：JTG8-5743 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK2Q60D(Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):34A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:60W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：2A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：60W（Tc）	丝印：外壳：封装：PW-MOLD2 料号：JTG8-5776 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 2SJ377(TE16R1,NQ)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):34A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:60W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:20W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：5A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：20W（Tc）	丝印：外壳：封装：PW-MOLD 料号：JTG8-5828 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK8A50D(STA4,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):34A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:60W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:20W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:850 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：40W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-5848 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK60S06K3L(T6L1,NQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： TK65S04K3L(T6L1,NQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):34A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:60W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:20W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:850 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):60A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2900pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):65A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：65A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：88W（Tc）	丝印：外壳：封装：DPAK+ 料号：JTG8-5905 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK35E08N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 80V 55A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):34A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:60W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:20W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:850 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):60A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2900pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):65A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：80V 电流 - 连续漏极(id)：55A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：72W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-5982 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TPW1R005PL,L1Q复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):34A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:60W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:20W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:850 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):60A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2900pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):65A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:45V 电流 - 连续漏极(id):300A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5V，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):122nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9600pF @ 22.5V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），170W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：45V 电流 - 连续漏极(id)：300A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：960mW（Ta），170W（Tc）	丝印：外壳：封装：8-DSOP Advance 料号：JTG8-6094 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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状态：在售型号： TK12V60W,LVQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：11.5A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：104W（Tc）	丝印：外壳：封装：4-DFN-EP（8x8）料号：JTG8-5445 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
状态：在售型号： TK9A55DA(STA4,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：550V 电流 - 连续漏极(id)：8.5A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：40W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-5470 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK9A60D(STA4,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：9A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：45W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-5471 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK72E12N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 120V 72A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：120V 电流 - 连续漏极(id)：72A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：255W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220-3 料号：JTG8-5497 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TPCA8128,LQ(CM复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP-ADV 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：34A（Ta） Vgs(最大值)：+20V，-25V fet 功能：- 功率 - 最大值：1.6W（Ta），45W（Tc）	丝印：外壳：封装：8-SOP Advance（5x5）料号：JTG8-5577 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK6P53D(T6RSS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：525V 电流 - 连续漏极(id)：6A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：100W（Tc）	丝印：外壳：封装：D-Pak 料号：JTG8-5581 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK7P50D(T6RSS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：7A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：100W（Tc）	丝印：外壳：封装：D-Pak 料号：JTG8-5582 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TPN1110ENH,L1Q复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：200V 电流 - 连续漏极(id)：7.2A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：700mW（Ta），39W（Tc）	丝印：外壳：封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）料号：JTG8-5606 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TPH1110ENH,L1Q复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：200V 电流 - 连续漏极(id)：7.2A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1.6W（Ta），42W（Tc）	丝印：外壳：封装：8-SOP Advance（5x5）料号：JTG8-5640 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TJ40S04M3L(T6L1,NQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：40A（Ta） Vgs(最大值)：+10V，-20V fet 功能：- 功率 - 最大值：68W（Tc）	丝印：外壳：封装：DPAK+ 料号：JTG8-5710 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TPCA8056-H,LQ(M复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP-ADV 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：48A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1.6W（Ta），63W（Tc）	丝印：外壳：封装：8-SOP Advance（5x5）料号：JTG8-5732 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TJ30S06M3L(T6L1,NQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：30A（Ta） Vgs(最大值)：+10V，-20V fet 功能：- 功率 - 最大值：68W（Tc）	丝印：外壳：封装：DPAK+ 料号：JTG8-5741 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TPH8R008NH,L1Q复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 80V 34A SOP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):34A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：80V 电流 - 连续漏极(id)：34A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1.6W（Ta），61W（Tc）	丝印：外壳：封装：8-SOP Advance（5x5）料号：JTG8-5743 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK2Q60D(Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):34A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:60W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：2A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：60W（Tc）	丝印：外壳：封装：PW-MOLD2 料号：JTG8-5776 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 2SJ377(TE16R1,NQ)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):34A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:60W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:20W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：5A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：20W（Tc）	丝印：外壳：封装：PW-MOLD 料号：JTG8-5828 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK8A50D(STA4,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):34A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:60W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:20W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:850 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：40W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-5848 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK60S06K3L(T6L1,NQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： TK65S04K3L(T6L1,NQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):34A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:60W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:20W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:850 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):60A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2900pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):65A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：65A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：88W（Tc）	丝印：外壳：封装：DPAK+ 料号：JTG8-5905 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK35E08N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 80V 55A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):34A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:60W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:20W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:850 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):60A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2900pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):65A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：80V 电流 - 连续漏极(id)：55A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：72W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-5982 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TPW1R005PL,L1Q复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:104W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):8.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:860 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):9A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:830 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.4 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):34A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):+20V，-25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta），39W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):7.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:114 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），42W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4140pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):48A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:68W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):34A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:60W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:20W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:850 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):60A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2900pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):65A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:45V 电流 - 连续漏极(id):300A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5V，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):122nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9600pF @ 22.5V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），170W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：45V 电流 - 连续漏极(id)：300A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：960mW（Ta），170W（Tc）	丝印：外壳：封装：8-DSOP Advance 料号：JTG8-6094 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.147600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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