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Alpha Omega Semi 万代

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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
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替代：
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：9.5A（Ta），105A（Tc）
Vgs(最大值)：
fet 功能：标准
功率 - 最大值：2.1W
丝印：(请登录)
外壳：
封装：TO-263（D2PAK）
料号：JTG8-5059
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥1.310800
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可供数量:咨询
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
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替代：
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电流 - 连续漏极(id)：15A（Tc）
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 60V 20A TO220
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外壳：
封装：TO-220
料号：JTG8-5088
包装：
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：通孔
料号：JTG8-5109
包装：
参考价格:￥1.310800
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描述： MOSFET N-CH 80V 15A TO262
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封装：TO-262
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
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外壳：
封装：TO-263（D²Pak）
料号：JTG8-5197
包装：
参考价格:￥1.310800
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丝印：
外壳：
封装：TO-263（D²Pak）
料号：JTG8-5232
包装：
参考价格:￥1.310800
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 650V 18A TO220F
参数： *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):9.5A（Ta），105A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:9.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 50V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:717pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):20A（Ta），140A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9800pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.1W（Ta），333W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:417W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:841pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:28W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:80V *电流 - 连续漏极(id):15A（Ta），180A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V *Vgs(最大值):±25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7820pF @ 40V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.9W（Ta），333W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):20A（Ta），140A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9800pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.1W（Ta），333W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 50V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3440pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:463W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3440pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:463W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:841pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:841pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):18A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:390 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):68nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3785pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：650V
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功率 - 最大值：50W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220-3F
料号：JTG8-5253
包装：
参考价格:￥1.310800
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 650V 18A TO220F
参数： *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):9.5A（Ta），105A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:9.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 50V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:717pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):20A（Ta），140A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9800pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.1W（Ta），333W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:417W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:841pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:28W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:80V *电流 - 连续漏极(id):15A（Ta），180A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V *Vgs(最大值):±25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7820pF @ 40V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.9W（Ta），333W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):20A（Ta），140A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9800pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.1W（Ta），333W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 50V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3440pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:463W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3440pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:463W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:841pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:841pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):18A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:390 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):68nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3785pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):18A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:390 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):68nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3785pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：650V
电流 - 连续漏极(id)：18A（Tc）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：50W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220-3F
料号：JTG8-5254
包装：
参考价格:￥1.310800
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH
参数： *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):9.5A（Ta），105A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:9.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 50V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:717pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):20A（Ta），140A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9800pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.1W（Ta），333W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:417W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:841pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:28W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:80V *电流 - 连续漏极(id):15A（Ta），180A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V *Vgs(最大值):±25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7820pF @ 40V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.9W（Ta），333W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):20A（Ta），140A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9800pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.1W（Ta），333W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 50V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3440pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:463W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3440pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:463W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:841pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:841pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):18A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:390 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):68nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3785pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):18A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:390 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):68nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3785pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3607pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
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料号：JTG8-5273
包装：
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 60V 19A TO220F
参数： *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):9.5A（Ta），105A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:9.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 50V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:717pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):20A（Ta），140A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9800pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.1W（Ta），333W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 600V 20A TO262
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
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替代：
fet 类型：N 通道
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功率 - 最大值：28W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：通孔
料号：JTG8-5312
包装：
参考价格:￥1.310800
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 100V 105A TO220F
参数： *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):9.5A（Ta），105A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:9.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):83nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 50V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:717pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):20A（Ta），140A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9800pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.1W（Ta），333W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:417W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:841pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:28W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:80V *电流 - 连续漏极(id):15A（Ta），180A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V *Vgs(最大值):±25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7820pF @ 40V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.9W（Ta），333W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):20A（Ta），140A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9800pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.1W（Ta），333W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 50V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3440pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:463W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):74nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3440pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:463W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:841pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:841pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):18A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:390 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):68nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3785pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):18A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:390 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):68nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3785pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3607pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):19A（Ta），92A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:11800pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.9W（Ta），46.5W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:199 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1038pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:266W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:199 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1038pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:28W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):14.5A（Ta），105A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6775pF @ 50V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.1W（Ta），300W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：14.5A（Ta），105A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：2.1W（Ta），300W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220
料号：JTG8-5313
包装：
参考价格:￥1.310800
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOT292L' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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