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Alpha Omega Semi 万代

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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 500V 12A TO262F
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替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：500V
电流 - 连续漏极(id)：12A（Tc）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：28W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：通孔
料号：JTG8-5549
包装：
参考价格:￥5.661300
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
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替代：
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电流 - 连续漏极(id)：12A（Tc）
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功率 - 最大值：50W（Tc）
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外壳：
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包装：
参考价格:￥5.661300
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描述： MOSFET N-CH 250V 2.2A 8DFN
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功率 - 最大值：2W（Ta），83W（Tc）
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外壳：
封装：8-DFN（5x6）
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 80V 26.5A 8DFN
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替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：80V
电流 - 连续漏极(id)：26.5A（Ta），85A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：7.4W（Ta），83W（Tc）
丝印：(请登录)
外壳：
封装：8-DFN（5x6）
料号：JTG8-5578
包装：
参考价格:￥5.661300
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可供数量:咨询
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：TO-220F
料号：JTG8-5583
包装：
参考价格:￥5.661300
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 600V 10A 5DFB
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封装：TO-262
料号：JTG8-5584
包装：
参考价格:￥5.661300
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描述： MOSFET N-CH 600V 10A TO-262
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：TO-220
料号：JTG8-5586
包装：
参考价格:￥5.661300
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):37nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1633pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:28W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):12A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:550 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):50nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta），14A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:170 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):27nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2W（Ta），83W（Tc） 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):4A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:900 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:263pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:56.8W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):37nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1633pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:750 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:25W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):4A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:900 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:263pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:25W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta），72A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2995pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.1W（Ta），100W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):37nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:27.8W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:80V *电流 - 连续漏极(id):26.5A（Ta），85A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):51nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2848pF @ 40V *fet 功能:- *功率 - 最大值:7.4W（Ta），83W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:700毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1595pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:33W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:700毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1595pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:700毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1595pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:28W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:700毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1595pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:700毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1595pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:43W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：600V
电流 - 连续漏极(id)：10A（Tc）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：43W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220-3F
料号：JTG8-5587
包装：
参考价格:￥5.661300
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 75V 10A TO220
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):37nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1633pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:28W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):12A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:550 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):50nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta），14A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:170 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):27nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2W（Ta），83W（Tc） 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):4A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:900 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:263pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:56.8W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):37nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1633pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:750 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:25W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):4A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:900 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:263pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:25W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta），72A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2995pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.1W（Ta），100W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):37nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:27.8W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:80V *电流 - 连续漏极(id):26.5A（Ta），85A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):51nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2848pF @ 40V *fet 功能:- *功率 - 最大值:7.4W（Ta），83W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:700毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1595pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:33W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:700毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1595pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:700毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1595pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:28W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:700毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1595pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:700毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1595pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:43W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):10A（Ta），100A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.5 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):136nC @ 10V *Vgs(最大值):±25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5640pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.1W（Ta），268W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
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丝印：
外壳：
封装：TO-220
料号：JTG8-5598
包装：
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 700V 9A TO262F
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 75V 9A TO220
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 600V 10A TO263
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替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：600V
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功率 - 最大值：250W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-263（D²Pak）
料号：JTG8-5629
包装：
参考价格:￥5.661300
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 500V 13A TO220
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):37nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1633pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:28W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):12A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:550 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):50nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta），14A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:170 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):27nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2W（Ta），83W（Tc） 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):4A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:900 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:263pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:56.8W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):12A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):37nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1633pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:750 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:25W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):4A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:900 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:263pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:25W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta），72A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2995pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.1W（Ta），100W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):37nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:27.8W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:80V *电流 - 连续漏极(id):26.5A（Ta），85A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):51nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2848pF @ 40V *fet 功能:- *功率 - 最大值:7.4W（Ta），83W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:700毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1595pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:33W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:700毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1595pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:700毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1595pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:28W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:700毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1595pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:208W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:700毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1595pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:43W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):10A（Ta），100A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.5 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):136nC @ 10V *Vgs(最大值):±25V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5640pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.1W（Ta），268W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:700V *电流 - 连续漏极(id):9A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1630pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:28W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):9A（Ta），127A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11.3 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3370pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.9W（Ta），417W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:750 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:250W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):13A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:510 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):37nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1633pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:250W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：500V
电流 - 连续漏极(id)：13A（Tc）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：250W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220
料号：JTG8-5633
包装：
参考价格:￥5.661300
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOT13N50' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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