Diodes Incorporated 美台半导体

DIODES

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描述: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563
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替代:
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漏源极电压(vdss):50V
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功率 - 最大值:150mW
丝印:
外壳:
封装:SOT-563
料号:JTG10-435
包装:
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可供数量:咨询
咨询客服
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品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
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替代:
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漏源极电压(vdss):12V
电流 - 连续漏极(id):5.6A
功率 - 最大值:1.4W
丝印:(请登录)
外壳:
封装:U-DFN2020-6
料号:JTG10-436
包装: 3000个/ 卷带
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总额:
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品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
参数: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):50V *电流 - 连续漏极(id):130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):10 欧姆 @ 100mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):45pF @ 25V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):5.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道(双)共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):5.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):18 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1472pF @ 10V *功率 - 最大值:770mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型:2 N 沟道(双)共漏
fet 功能:逻辑电平门
漏源极电压(vdss):20V
电流 - 连续漏极(id):5.2A
功率 - 最大值:770mW
丝印:
外壳:
封装:U-DFN3030-8
料号:JTG10-438
包装:
参考价格:1.550023
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品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
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品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
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外壳:
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描述: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
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描述: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
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丝印:(请登录)
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包装:
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丝印:
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封装:8-SO
料号:JTG10-464
包装:
参考价格:1.550023
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包装:
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品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
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包装:
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品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO
参数: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):50V *电流 - 连续漏极(id):130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):10 欧姆 @ 100mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):45pF @ 25V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):5.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道(双)共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):5.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):18 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1472pF @ 10V *功率 - 最大值:770mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):2.11A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):195 毫欧 @ 300mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128.6pF @ 25V *功率 - 最大值:1.39W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):305mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):50V *电流 - 连续漏极(id):160mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8 欧姆 @ 100mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):27pF @ 25V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):670mA,530mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道(双)共漏 *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):6.7A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):26 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):570pF @ 10V *功率 - 最大值:890mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):630mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.8 欧姆 @ 150mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):12.9pF @ 12V *功率 - 最大值:820mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):3.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):80 毫欧 @ 12A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):588pF @ 30V *功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):3.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):105 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):969pF @ 30V *功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):478.9pF @ 16V *功率 - 最大值:1.42W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道(双)共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):- *电流 - 连续漏极(id):- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):37nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道,共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):35V *电流 - 连续漏极(id):5.3A,5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):35 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):850pF @ 25V *功率 - 最大值:1.54W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):4.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):55 毫欧 @ 5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1293pF @ 30V *功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
替代:
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丝印:
外壳:
封装:8-SO
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包装:
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品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO
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封装:8-SOP
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品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
参数: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):50V *电流 - 连续漏极(id):130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):10 欧姆 @ 100mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):45pF @ 25V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):5.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道(双)共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):5.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):18 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1472pF @ 10V *功率 - 最大值:770mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):2.11A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):195 毫欧 @ 300mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128.6pF @ 25V *功率 - 最大值:1.39W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):305mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):50V *电流 - 连续漏极(id):160mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8 欧姆 @ 100mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):27pF @ 25V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):670mA,530mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道(双)共漏 *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):6.7A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):26 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):570pF @ 10V *功率 - 最大值:890mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):630mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.8 欧姆 @ 150mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):12.9pF @ 12V *功率 - 最大值:820mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):3.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):80 毫欧 @ 12A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):588pF @ 30V *功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):3.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):105 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):969pF @ 30V *功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):478.9pF @ 16V *功率 - 最大值:1.42W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道(双)共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):- *电流 - 连续漏极(id):- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):37nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道,共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):35V *电流 - 连续漏极(id):5.3A,5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):35 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):850pF @ 25V *功率 - 最大值:1.54W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):4.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):55 毫欧 @ 5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1293pF @ 30V *功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):40V *电流 - 连续漏极(id):5.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):27 毫欧 @ 7A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):604pF @ 20V *功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):40V *电流 - 连续漏极(id):6.5A,4.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):28 毫欧 @ 6A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):604pF @ 20V *功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):4.9A,4.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):35 毫欧 @ 9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA(最小) 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):796pF @ 25V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):3.9A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):85 毫欧 @ 2.9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.1nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1021pF @ 30V *功率 - 最大值:2.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
替代:
fet 类型:2 个 P 沟道(双)
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):3.9A(Ta)
功率 - 最大值:2.15W
丝印:
外壳:
封装:8-SOP
料号:JTG10-512
包装:
参考价格:1.550023
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMP6A16DN8TA' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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