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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 二极管类型 电压 - dc 反向(vr)(最大值) 电流 - 平均整流(io) 不同 if 时的电压 - 正向(vf) 速度 反向恢复时间(trr) 不同vr 时的电流 - 反向漏电流 安装类型 工作温度 包装
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共 41140 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt BAT54QBZ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SOT8015
描述: *二极管类型:- 电压 - dc 反向(vr)(最大值):- *电流 - 平均整流(io):- *不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *速度:- *反向恢复时间(trr):- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:SOT8015 标签: 工作温度 - 结:- 包装:- 数量:- 每包的数量:1
alt BAT54QCZ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SOT8009
描述: *二极管类型:- 电压 - dc 反向(vr)(最大值):- *电流 - 平均整流(io):- *不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *速度:- *反向恢复时间(trr):- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:SOT8009 标签: 工作温度 - 结:- 包装:- 数量:- 每包的数量:1
alt PMEG100T100ELPEZ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SOT1289B
描述: *二极管类型:- 电压 - dc 反向(vr)(最大值):- *电流 - 平均整流(io):- *不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *速度:- *反向恢复时间(trr):- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:SOT1289B 标签: 工作温度 - 结:- 包装:- 数量:- 每包的数量:1
alt BAS316/DG,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SOD323
描述: *二极管类型:- 电压 - dc 反向(vr)(最大值):- *电流 - 平均整流(io):- *不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *速度:- *反向恢复时间(trr):- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:SOD323 标签: 工作温度 - 结:- 包装:- 数量:- 每包的数量:1
alt BAS316/DLTZ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SOD323
描述: *二极管类型:- 电压 - dc 反向(vr)(最大值):- *电流 - 平均整流(io):- *不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *速度:- *反向恢复时间(trr):- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:SOD323 标签: 工作温度 - 结:- 包装:- 数量:- 每包的数量:1
CUHS15F30,H3F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 2-SMD,扁平引线 US2H
描述:SBD SINGLE 30V, 1.5A, IN 2 PIN U *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):1.5A *不同 if 时的电压 - 正向(vf):520mV @ 1.5A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:170pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:2-SMD,扁平引线 供应商器件封装:US2H 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装:- 数量:- 每包的数量:0
CUHS15S40,H3F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 2-SMD,扁平引线 US2H
描述:SBD SINGLE 40V, 1.5A, IN 2 PIN U *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):1.5A *不同 if 时的电压 - 正向(vf):510mV @ 1.5A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:170pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:2-SMD,扁平引线 供应商器件封装:US2H 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装:- 数量:- 每包的数量:0
CUHS15S30,H3F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 2-SMD,扁平引线 US2H
描述:SBD SINGLE 30V, 1.5A, IN 2 PIN U *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):1.5A *不同 if 时的电压 - 正向(vf):430mV @ 1.5A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *反向恢复时间(trr):- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:200pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:2-SMD,扁平引线 供应商器件封装:US2H 标签: 工作温度 - 结:表面贴装型 包装:- 数量:- 每包的数量:0
RB058LAM100TR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SOD-128 PMDTM
描述:SUPER LOW IR, 100V, 3A, SOD-128, *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):3A *不同 if 时的电压 - 正向(vf):810mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:3µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:PMDTM 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装:- 数量:- 每包的数量:0
VS-E5PH6006L-N3
10+: 29.4505 100+: 28.9246 1000+: 28.6617 3000+: 27.8728
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Vishay TO-247-2 TO-247AD
描述:60A, 600V, "H" SERIES FRED PT IN *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):60A *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.7V @ 60A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *反向恢复时间(trr):54ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:25µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247AD 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:- 数量:- 每包的数量:0
VS-E5PX6006L-N3
10+: 29.4505 100+: 28.9246 1000+: 28.6617 3000+: 27.8728
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Vishay TO-247-2 TO-247AD
描述:60A, 600V, "X" SERIES FRED PT IN *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):60A *不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.2V @ 60A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *反向恢复时间(trr):46ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:25µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247AD 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:- 数量:- 每包的数量:0
VS-E5PX7506L-N3
10+: 36.6391 100+: 35.9849 1000+: 35.6577 3000+: 34.6763
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Vishay TO-247-2 TO-247AD
描述:75A, 600V, "X" SERIES FRED PT IN *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):75A *不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.2V @ 75A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *反向恢复时间(trr):48ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:25µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247AD 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:- 数量:- 每包的数量:0
VS-E5PH7506L-N3
10+: 36.6391 100+: 35.9849 1000+: 35.6577 3000+: 34.6763
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Vishay TO-247-2 TO-247AD
描述:75A, 600V, "H" SERIES FRED PT IN *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):75A *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.7V @ 75A *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *反向恢复时间(trr):57ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:25µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247AD 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:- 数量:- 每包的数量:0
GB05MPS17-263
10+: 80.3783 100+: 78.9429 1000+: 78.2253 3000+: 76.0723
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GeneSiC Semiconductor TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA TO-263-7
描述:1700V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):18A(DC) *不同 if 时的电压 - 正向(vf):18A(DC) *速度:无恢复时间 > 500mA(Io) *反向恢复时间(trr):无恢复时间 > 500mA(Io) *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:无恢复时间 > 500mA(Io) 不同 Vr、F 时电容:470pF @ 1V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA 供应商器件封装:TO-263-7 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:- 数量:- 每包的数量:1
ESD5302V
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Will Semiconductor Co. Ltd TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述: *二极管类型:- 电压 - dc 反向(vr)(最大值):- *电流 - 平均整流(io):- *不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *速度:- *反向恢复时间(trr):- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 工作温度 - 结:- 包装:- 数量:- 每包的数量:1
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