描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 100V 300MA SOD123 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:300mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD523F *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-79，SOD-523F 供应商器件封装:SOD-523F 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 400V 1A SMA *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA（DO-214AC） 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量:2000 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:30µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:125mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:100mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:UMD2 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD323 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:100mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 50V 1A SMA *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA（DO-214AC） 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量:2000 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 100V 1A SMA *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA（DO-214AC） 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量:2000 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 50V 1A SMA *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 100V 1A SMA *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量:5000 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量:5000 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 600V 1A SMA *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:盘 数量:3000 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1