描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A MELF *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:MELF 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:DO-214AC（SMA） 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:DO-214AC（SMA） 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:DO-214AC（SMA） 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOD923 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:100mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:8ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-923 供应商器件封装:SOD-923 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:125mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD882 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:SOD-882 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA 0603 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:0603（1608 公制） 供应商器件封装:603 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 800V 200MA SMINI2 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:45ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SMINI2-F5-B 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:500mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:385mV @ 500mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMA *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:15ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA（DO-214AC） 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 400V 700MA PMDU *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:700mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 700mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:PMDU 标签: 工作温度 - 结:表面贴装型 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:500mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:430mV @ 500mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:130µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:PMDS 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD923 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:8ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-923 供应商器件封装:SOD-923 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 400V 1A SMB *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 100V 150MA SOD123 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 250mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 600V 1A SMA *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:250ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA（DO-214AC） 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:500mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:385mV @ 500mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:DO-214AC（SMA） 标签: 工作温度 - 结:-50°C ~ 10 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:75ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:17pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 60V 500MA SOD123 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:500mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 500mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标签: 工作温度 - 结:表面贴装型 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 300V 225MA SOD123 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:225mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 240V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1