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辰科物联
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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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GCMS040A120B3C1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Global Power Technologies Group | 电源模块 | - |
描述:SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY
*类型:MOSFET
*配置:3 相
*电流:80A
*电压:1.2kV
*电压 - 隔离:2500Vrms
封装/外壳:电源模块
供应商器件封装:-
标签:
|
|
GCMS020A120B1H1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Global Power Technologies Group | 电源模块 | - |
描述:SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1
*类型:MOSFET
*配置:-
*电流:95A
*电压:1.2kV
*电压 - 隔离:2500Vrms
封装/外壳:电源模块
供应商器件封装:-
标签:
|
|
GCMS010A120S7B1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Global Power Technologies Group | 电源模块 | - |
描述:SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
*类型:MOSFET
*配置:半桥
*电流:240A
*电压:1.2kV
*电压 - 隔离:2500Vrms
封装/外壳:电源模块
供应商器件封装:-
标签:
|
|
GCMS008A120B1B1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Global Power Technologies Group | 电源模块 | - |
描述:SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
*类型:MOSFET
*配置:半桥
*电流:300A
*电压:1.2kV
*电压 - 隔离:2500Vrms
封装/外壳:电源模块
供应商器件封装:-
标签:
|
|
GCMS007A120S7B1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Global Power Technologies Group | 电源模块 | - |
描述:SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
*类型:MOSFET
*配置:半桥
*电流:360A
*电压:1.2kV
*电压 - 隔离:2500Vrms
封装/外壳:电源模块
供应商器件封装:-
标签:
|
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GCMS004A120S7B1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Global Power Technologies Group | 电源模块 | - |
描述:SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
*类型:MOSFET
*配置:半桥
*电流:480A
*电压:1.2kV
*电压 - 隔离:2500Vrms
封装/外壳:电源模块
供应商器件封装:-
标签:
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98-0290
Datasheet 规格书
ROHS
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Infineon Technologies | - |
描述:IC MOD PWR INTELLIGENT 10A 600V
*类型:-
*配置:-
*电流:-
*电压:-
*电压 - 隔离:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
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IRAM256-1067A3
Datasheet 规格书
ROHS
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Infineon Technologies | 29-POWERSSIP 模块,21 引线,成形引线 | - |
描述:IC PWR MODULE YBRID 600V SIP1A
*类型:IGBT
*配置:3 相
*电流:10A
*电压:600V
*电压 - 隔离:2000Vrms
封装/外壳:29-POWERSSIP 模块,21 引线,成形引线
供应商器件封装:-
标签:
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