描述:RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C 晶体管类型:LDMOS *频率:2.5GHz ~ 2.7GHz *增益:19dB *电压 - 测试:28V *额定电流:3.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:130mA *功率 - 输出:2W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-975C 供应商器件封装:CDFM2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:FET RF 65V 400MHZ 211-07 晶体管类型:N 通道 *频率:150MHz ~ 400MHz *增益:7.7dB ~ 16dB *电压 - 测试:28V *额定电流:5A 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:25mA *功率 - 输出:30W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:211-07 供应商器件封装:211-07，2 型 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF MOSFET HEMT 40V 12DFN 晶体管类型:HEMT *频率:6GHz *增益:16dB *电压 - 测试:40V *额定电流:950mA 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA *功率 - 输出:8W *电压 - 额定:100V 封装/外壳:12-VFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:12-DFN（4X3） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:FET RF 65V 500MHZ 319-07 晶体管类型:N 通道 *频率:30MHz ~ 500MHz *增益:16dB *电压 - 测试:28V *额定电流:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:25mA *功率 - 输出:20W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:319-07 供应商器件封装:319-07，3 型 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:HEMT N-CH 28V 45W DC-4GHZ 8SOIC 晶体管类型:HEMT *频率:0Hz ~ 4GHz *增益:13dB *电压 - 测试:28V *额定电流:9.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *功率 - 输出:37dBm *电压 - 额定:100V 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90MM 宽）裸焊盘 供应商器件封装:8-SOP2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:FET RF 120V 175MHZ 211-07 晶体管类型:N 通道 *频率:30MHz ~ 175MHz *增益:15dB ~ 18dB *电压 - 测试:50V *额定电流:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:30W *电压 - 额定:120V 封装/外壳:211-07 供应商器件封装:211-07，2 型 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 晶体管类型:LDMOS *频率:945MHz *增益:14.3dB *电压 - 测试:28V *额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:60W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘 供应商器件封装:POWERSO-10RF（直引线） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF MOSFET HEMT 28V 440109 晶体管类型:HEMT *频率:0Hz ~ 6GHz *增益:13dB *电压 - 测试:28V *额定电流:3.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:8W *电压 - 额定:84V 封装/外壳:440109 供应商器件封装:440109 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF MOSFET HEMT 28V 440166 晶体管类型:HEMT *频率:0Hz ~ 6GHz *增益:14.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:3.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *功率 - 输出:12.5W *电压 - 额定:84V 封装/外壳:440166 供应商器件封装:440166 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174 晶体管类型:N 通道 *频率:175MHz *增益:15dB *电压 - 测试:50V *额定电流:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:150W *电压 - 额定:125V 封装/外壳:M174 供应商器件封装:M174 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 晶体管类型:LDMOS（双） *频率:230MHz *增益:26.5dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:300W *电压 - 额定:130V 封装/外壳:NI-780-4 供应商器件封装:NI-780-4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:FET RF 65V 945MHZ M250 晶体管类型:LDMOS *频率:945MHz *增益:15dB *电压 - 测试:28V *额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:60W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:M250 供应商器件封装:M250 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF MOSFET LDMOS 50V SOT467C 晶体管类型:LDMOS *频率:225MHz *增益:27.5dB *电压 - 测试:50V *额定电流:3.6A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:20W *电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT467C 供应商器件封装:SOT467C 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF MOSFET HEMT 28V 440166 晶体管类型:HEMT *频率:5.65GHz *增益:12dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *功率 - 输出:12.5W *电压 - 额定:84V 封装/外壳:440166 供应商器件封装:440166 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B 晶体管类型:LDMOS *频率:3.4GHz ~ 3.6GHz *增益:15.5dB *电压 - 测试:30V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA *功率 - 输出:20W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1239B 供应商器件封装:CDFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:FET RF 2CH 125V 175MHZ 375-04 晶体管类型:2 N 沟道（双）共源 *频率:175MHz *增益:16dB *电压 - 测试:50V *额定电流:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *功率 - 输出:300W *电压 - 额定:125V 封装/外壳:375-04 供应商器件封装:375-04，2 型 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177 晶体管类型:N 通道 *频率:150MHz *增益:25dB *电压 - 测试:50V *额定电流:2mA 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:300W *电压 - 额定:170V 封装/外壳:M177 供应商器件封装:M177 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121A 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:108MHz *增益:28dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:350W *电压 - 额定:135V 封装/外壳:SOT-1121A 供应商器件封装:CDFM4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208 晶体管类型:2 N 沟道（双）共源 *频率:175MHz *增益:16dB *电压 - 测试:50V *额定电流:36A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *功率 - 输出:300W *电压 - 额定:170V 封装/外壳:4-SMD 供应商器件封装:M208 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF MOSFET HEMT 28V 440166 晶体管类型:HEMT *频率:0Hz ~ 6GHz *增益:13dB *电压 - 测试:28V *额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:30W *电压 - 额定:84V 封装/外壳:440166 供应商器件封装:440166 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:860MHz *增益:21dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:650mA *功率 - 输出:150W *电压 - 额定:104V 封装/外壳:SOT-1121A 供应商器件封装:CDFM4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:108MHz *增益:23.9dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:700W *电压 - 额定:135V 封装/外壳:SOT-1214A 供应商器件封装:SOT1214A 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:1.3GHz *增益:16.5dB *电压 - 测试:32V *额定电流:32A 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *功率 - 输出:100W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-540A 供应商器件封装:LDMOST 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C 晶体管类型:LDMOS *频率:1.2GHz ~ 1.4GHz *增益:21dB *电压 - 测试:50V *额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:25W *电压 - 额定:100V 封装/外壳:SOT467C 供应商器件封装:SOT467C 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IC TRANS RF HF/VHF/UHF M244 晶体管类型:N 通道 *频率:175MHz *增益:17dB *电压 - 测试:50V *额定电流:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *功率 - 输出:350W *电压 - 额定:130V 封装/外壳:M244 供应商器件封装:M244 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1