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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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BLP10H605AZ
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | 12-VDFN 裸露焊盘 | 12-HVSON(5X6) |
描述:RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
晶体管类型:LDMOS(双),共源
*频率:860MHz
*增益:22.4dB
*电压 - 测试:50V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:30mA
*功率 - 输出:5W
*电压 - 额定:104V
封装/外壳:12-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:12-HVSON(5X6)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PD55015-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) | POWERSO-10RF(成形引线) |
描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
晶体管类型:LDMOS
*频率:500MHz
*增益:14dB
*电压 - 测试:12.5V
*额定电流:5A
噪声系数:-
电流 - 测试:150mA
*功率 - 输出:15W
*电压 - 额定:40V
封装/外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
供应商器件封装:POWERSO-10RF(成形引线)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MRFE6VS25NR1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Freescale Semiconductor - NXP | TO-270AA | TO-270-2 |
描述:FET RF 133V 512MHZ TO270-2
晶体管类型:LDMOS
*频率:512MHz
*增益:25.4dB
*电压 - 测试:50V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:10mA
*功率 - 输出:25W
*电压 - 额定:133V
封装/外壳:TO-270AA
供应商器件封装:TO-270-2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
BLP10H610AZ
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | 12-VDFN 裸露焊盘 | 12-HVSON(5X6) |
描述:RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
晶体管类型:LDMOS(双),共源
*频率:860MHz
*增益:22dB
*电压 - 测试:50V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:60mA
*功率 - 输出:10W
*电压 - 额定:104V
封装/外壳:12-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:12-HVSON(5X6)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
CGHV27015S
Datasheet 规格书
ROHS
|
Cree/Wolfspeed |
描述:RF MOSFET HEMT 50V 12DFN
晶体管类型:HEMT
*频率:6GHz
*增益:21dB
*电压 - 测试:50V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:60mA
*功率 - 输出:15W
*电压 - 额定:125V
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|||
BLM7G1822S-40PBGY
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-1212-1 | 16-HSOP |
描述:RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121
晶体管类型:LDMOS(双)
*频率:1.81GHz ~ 2.17GHz
*增益:31.5dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:40mA
*功率 - 输出:4W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-1212-1
供应商器件封装:16-HSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
ARF460AG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | TO-247-3 | TO-247CS |
描述:FET RF N-CH 500V 14A TO247
晶体管类型:N 通道
*频率:40.68MHz
*增益:15dB
*电压 - 测试:125V
*额定电流:14A
噪声系数:-
电流 - 测试:50mA
*功率 - 输出:-
*电压 - 额定:500V
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247CS
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MRF6V2150NBR1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Freescale Semiconductor - NXP | TO-272BB | TO-272 WB-4 |
描述:FET RF 110V 220MHZ TO-272-4
晶体管类型:LDMOS
*频率:220MHz
*增益:25dB
*电压 - 测试:50V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:450mA
*功率 - 输出:150W
*电压 - 额定:110V
封装/外壳:TO-272BB
供应商器件封装:TO-272 WB-4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MRF151
Datasheet 规格书
ROHS
|
M/A-Com Technology Solutions | - | - |
描述:FET RF N-CH 150W 50V 175MHZ
晶体管类型:N 通道
*频率:175MHz
*增益:13dB ~ 22dB
*电压 - 测试:50V
*额定电流:16A
噪声系数:-
电流 - 测试:250mA
*功率 - 输出:150W
*电压 - 额定:125V
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
CGHV27030S
Datasheet 规格书
ROHS
|
Cree/Wolfspeed |
描述:RF MOSFET HEMT 50V 12DFN
晶体管类型:HEMT
*频率:6GHz
*增益:20.4dB
*电压 - 测试:50V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:130mA
*功率 - 输出:30W
*电压 - 额定:125V
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|||
MRF136Y
Datasheet 规格书
ROHS
|
M/A-Com Technology Solutions | 319B-02 | 319B-02,1 型 |
描述:FET RF 65V 400MHZ 319B-02
晶体管类型:N 通道
*频率:400MHz
*增益:14dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:5A
噪声系数:1dB
电流 - 测试:25mA
*功率 - 输出:30W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:319B-02
供应商器件封装:319B-02,1 型
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PD57060-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | POWERSO-10 裸露底部焊盘 | 10-POWERSO |
描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
晶体管类型:LDMOS
*频率:945MHz
*增益:14.3dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:7A
噪声系数:-
电流 - 测试:100mA
*功率 - 输出:60W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘
供应商器件封装:10-POWERSO
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
CGH27030S
Datasheet 规格书
ROHS
|
Cree/Wolfspeed |
描述:RF MOSFET HEMT 28V 12DFN
晶体管类型:HEMT
*频率:6GHz
*增益:18.3dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:200mA
*功率 - 输出:30W
*电压 - 额定:84V
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|||
BLP8G10S-270PWY
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-1221-2 | 6-HSOPF |
描述:RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212
晶体管类型:LDMOS(双),共源
*频率:718.5MHz ~ 765.5MHz
*增益:20dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:2A
*功率 - 输出:56W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-1221-2
供应商器件封装:6-HSOPF
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
SD2941-10W
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | M174 | M174 |
描述:IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174
晶体管类型:N 通道
*频率:175MHz
*增益:15.8dB
*电压 - 测试:50V
*额定电流:20A
噪声系数:-
电流 - 测试:250mA
*功率 - 输出:175W
*电压 - 额定:130V
封装/外壳:M174
供应商器件封装:M174
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
SD57060
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | M243 | M243 |
描述:FET RF 65V 945MHZ M243
晶体管类型:LDMOS
*频率:945MHz
*增益:15dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:7A
噪声系数:-
电流 - 测试:100mA
*功率 - 输出:60W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:M243
供应商器件封装:M243
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
SD57060-10
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | M243 | M243 |
描述:FET RF 65V 945MHZ M243
晶体管类型:LDMOS
*频率:945MHz
*增益:15dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:7A
噪声系数:-
电流 - 测试:100mA
*功率 - 输出:60W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:M243
供应商器件封装:M243
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
LET9045F
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | M250 | M250 |
描述:FET RF LDMOS 80V 9A M-250
晶体管类型:LDMOS
*频率:960MHz
*增益:17.7dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:9A
噪声系数:-
电流 - 测试:300mA
*功率 - 输出:59W
*电压 - 额定:80V
封装/外壳:M250
供应商器件封装:M250
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MRF166W
Datasheet 规格书
ROHS
|
M/A-Com Technology Solutions | 412-01 | 412-01,1 型 |
描述:FET RF 2CH 65V 500MHZ 412-01
晶体管类型:2 N 沟道(双)共源
*频率:30MHz ~ 500MHz
*增益:16dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:8A
噪声系数:-
电流 - 测试:100mA
*功率 - 输出:40W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:412-01
供应商器件封装:412-01,1 型
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
BLF6G10LS-200RN,11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-502B | SOT502B |
描述:RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
晶体管类型:LDMOS
*频率:871.5MHz ~ 891.5MHz
*增益:20dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:49A
噪声系数:-
电流 - 测试:1.4A
*功率 - 输出:40W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-502B
供应商器件封装:SOT502B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
BLF6G10LS-200RN:11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-502B | SOT502B |
描述:RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
晶体管类型:LDMOS
*频率:871.5MHz ~ 891.5MHz
*增益:20dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:49A
噪声系数:-
电流 - 测试:1.4A
*功率 - 输出:40W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-502B
供应商器件封装:SOT502B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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BLF881,112
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT467C | SOT467C |
描述:RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467C
晶体管类型:LDMOS
*频率:860MHz
*增益:21dB
*电压 - 测试:50V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:500mA
*功率 - 输出:140W
*电压 - 额定:104V
封装/外壳:SOT467C
供应商器件封装:SOT467C
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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SD2933W
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | M177 | M177 |
描述:IC TRANS RF HF/VHF/UHF
晶体管类型:N 通道
*频率:30MHz
*增益:23.5dB
*电压 - 测试:50V
*额定电流:40A
噪声系数:-
电流 - 测试:250mA
*功率 - 输出:300W
*电压 - 额定:125V
封装/外壳:M177
供应商器件封装:M177
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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BLF2425M8L140U
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-502A | SOT502A |
描述:RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A
晶体管类型:LDMOS
*频率:2.45GHz
*增益:19dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:1.3A
*功率 - 输出:140W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-502A
供应商器件封装:SOT502A
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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SD4933MR
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | M177 | M177 |
描述:TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177
晶体管类型:N 通道
*频率:30MHz
*增益:24dB
*电压 - 测试:50V
*额定电流:40A
噪声系数:-
电流 - 测试:250mA
*功率 - 输出:300W
*电压 - 额定:200V
封装/外壳:M177
供应商器件封装:M177
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|