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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 频率 增益 电压 - 测试 电压 - 额定 额定电流 噪声系数 功率 - 输出 包装
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共 3308 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
BLP10H605AZ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. 12-VDFN 裸露焊盘 12-HVSON(5X6)
描述:RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 晶体管类型:LDMOS(双),共源 *频率:860MHz *增益:22.4dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:30mA *功率 - 输出:5W *电压 - 额定:104V 封装/外壳:12-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:12-HVSON(5X6) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PD55015-E
10+: 183.7018 100+: 180.4215 1000+: 178.7813 3000+: 173.8607
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STMicroelectronics POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) POWERSO-10RF(成形引线)
描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 晶体管类型:LDMOS *频率:500MHz *增益:14dB *电压 - 测试:12.5V *额定电流:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *功率 - 输出:15W *电压 - 额定:40V 封装/外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) 供应商器件封装:POWERSO-10RF(成形引线) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRFE6VS25NR1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Freescale Semiconductor - NXP TO-270AA TO-270-2
描述:FET RF 133V 512MHZ TO270-2 晶体管类型:LDMOS *频率:512MHz *增益:25.4dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:25W *电压 - 额定:133V 封装/外壳:TO-270AA 供应商器件封装:TO-270-2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLP10H610AZ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. 12-VDFN 裸露焊盘 12-HVSON(5X6)
描述:RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 晶体管类型:LDMOS(双),共源 *频率:860MHz *增益:22dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA *功率 - 输出:10W *电压 - 额定:104V 封装/外壳:12-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:12-HVSON(5X6) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
CGHV27015S
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Cree/Wolfspeed
描述:RF MOSFET HEMT 50V 12DFN 晶体管类型:HEMT *频率:6GHz *增益:21dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA *功率 - 输出:15W *电压 - 额定:125V 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLM7G1822S-40PBGY
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. SOT-1212-1 16-HSOP
描述:RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 晶体管类型:LDMOS(双) *频率:1.81GHz ~ 2.17GHz *增益:31.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *功率 - 输出:4W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1212-1 供应商器件封装:16-HSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
ARF460AG
10+: 401.2205 100+: 394.0559 1000+: 390.4735 3000+: 379.7266
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Microsemi Corporation TO-247-3 TO-247CS
描述:FET RF N-CH 500V 14A TO247 晶体管类型:N 通道 *频率:40.68MHz *增益:15dB *电压 - 测试:125V *额定电流:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:500V 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247CS 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRF6V2150NBR1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Freescale Semiconductor - NXP TO-272BB TO-272 WB-4
描述:FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 晶体管类型:LDMOS *频率:220MHz *增益:25dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *功率 - 输出:150W *电压 - 额定:110V 封装/外壳:TO-272BB 供应商器件封装:TO-272 WB-4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRF151
10+: 535.4880 100+: 525.9257 1000+: 521.1446 3000+: 506.8012
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M/A-Com Technology Solutions - -
描述:FET RF N-CH 150W 50V 175MHZ 晶体管类型:N 通道 *频率:175MHz *增益:13dB ~ 22dB *电压 - 测试:50V *额定电流:16A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:150W *电压 - 额定:125V 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
CGHV27030S
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Cree/Wolfspeed
描述:RF MOSFET HEMT 50V 12DFN 晶体管类型:HEMT *频率:6GHz *增益:20.4dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:130mA *功率 - 输出:30W *电压 - 额定:125V 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRF136Y
10+: 589.0609 100+: 578.5419 1000+: 573.2824 3000+: 557.5040
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M/A-Com Technology Solutions 319B-02 319B-02,1 型
描述:FET RF 65V 400MHZ 319B-02 晶体管类型:N 通道 *频率:400MHz *增益:14dB *电压 - 测试:28V *额定电流:5A 噪声系数:1dB 电流 - 测试:25mA *功率 - 输出:30W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:319B-02 供应商器件封装:319B-02,1 型 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PD57060-E
10+: 469.7401 100+: 461.3519 1000+: 457.1578 3000+: 444.5754
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STMicroelectronics POWERSO-10 裸露底部焊盘 10-POWERSO
描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 晶体管类型:LDMOS *频率:945MHz *增益:14.3dB *电压 - 测试:28V *额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:60W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘 供应商器件封装:10-POWERSO 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
CGH27030S
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Cree/Wolfspeed
描述:RF MOSFET HEMT 28V 12DFN 晶体管类型:HEMT *频率:6GHz *增益:18.3dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *功率 - 输出:30W *电压 - 额定:84V 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLP8G10S-270PWY
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. SOT-1221-2 6-HSOPF
描述:RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 晶体管类型:LDMOS(双),共源 *频率:718.5MHz ~ 765.5MHz *增益:20dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *功率 - 输出:56W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1221-2 供应商器件封装:6-HSOPF 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SD2941-10W
10+: 769.0039 100+: 755.2717 1000+: 748.4056 3000+: 727.8072
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STMicroelectronics M174 M174
描述:IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174 晶体管类型:N 通道 *频率:175MHz *增益:15.8dB *电压 - 测试:50V *额定电流:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:175W *电压 - 额定:130V 封装/外壳:M174 供应商器件封装:M174 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SD57060
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics M243 M243
描述:FET RF 65V 945MHZ M243 晶体管类型:LDMOS *频率:945MHz *增益:15dB *电压 - 测试:28V *额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:60W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:M243 供应商器件封装:M243 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SD57060-10
10+: 719.2658 100+: 706.4218 1000+: 699.9997 3000+: 680.7337
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STMicroelectronics M243 M243
描述:FET RF 65V 945MHZ M243 晶体管类型:LDMOS *频率:945MHz *增益:15dB *电压 - 测试:28V *额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:60W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:M243 供应商器件封装:M243 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
LET9045F
10+: 593.3766 100+: 582.7806 1000+: 577.4825 3000+: 561.5885
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STMicroelectronics M250 M250
描述:FET RF LDMOS 80V 9A M-250 晶体管类型:LDMOS *频率:960MHz *增益:17.7dB *电压 - 测试:28V *额定电流:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *功率 - 输出:59W *电压 - 额定:80V 封装/外壳:M250 供应商器件封装:M250 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRF166W
10+: 845.5980 100+: 830.4980 1000+: 822.9480 3000+: 800.2981
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M/A-Com Technology Solutions 412-01 412-01,1 型
描述:FET RF 2CH 65V 500MHZ 412-01 晶体管类型:2 N 沟道(双)共源 *频率:30MHz ~ 500MHz *增益:16dB *电压 - 测试:28V *额定电流:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:40W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:412-01 供应商器件封装:412-01,1 型 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF6G10LS-200RN,11
10+: 843.8388 100+: 828.7703 1000+: 821.2360 3000+: 798.6332
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Ampleon USA Inc. SOT-502B SOT502B
描述:RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B 晶体管类型:LDMOS *频率:871.5MHz ~ 891.5MHz *增益:20dB *电压 - 测试:28V *额定电流:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *功率 - 输出:40W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF6G10LS-200RN:11
10+: 983.4092 100+: 965.8483 1000+: 957.0679 3000+: 930.7265
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Ampleon USA Inc. SOT-502B SOT502B
描述:RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B 晶体管类型:LDMOS *频率:871.5MHz ~ 891.5MHz *增益:20dB *电压 - 测试:28V *额定电流:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *功率 - 输出:40W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF881,112
10+: 1011.4042 100+: 993.3435 1000+: 984.3131 3000+: 957.2219
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Ampleon USA Inc. SOT467C SOT467C
描述:RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467C 晶体管类型:LDMOS *频率:860MHz *增益:21dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *功率 - 输出:140W *电压 - 额定:104V 封装/外壳:SOT467C 供应商器件封装:SOT467C 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SD2933W
10+: 1168.8575 100+: 1147.9851 1000+: 1137.5489 3000+: 1106.2402
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STMicroelectronics M177 M177
描述:IC TRANS RF HF/VHF/UHF 晶体管类型:N 通道 *频率:30MHz *增益:23.5dB *电压 - 测试:50V *额定电流:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:300W *电压 - 额定:125V 封装/外壳:M177 供应商器件封装:M177 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF2425M8L140U
10+: 1248.0714 100+: 1225.7845 1000+: 1214.6410 3000+: 1181.2105
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Ampleon USA Inc. SOT-502A SOT502A
描述:RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A 晶体管类型:LDMOS *频率:2.45GHz *增益:19dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *功率 - 输出:140W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502A 供应商器件封装:SOT502A 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SD4933MR
10+: 1078.8607 100+: 1059.5954 1000+: 1049.9627 3000+: 1021.0646
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STMicroelectronics M177 M177
描述:TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177 晶体管类型:N 通道 *频率:30MHz *增益:24dB *电压 - 测试:50V *额定电流:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:300W *电压 - 额定:200V 封装/外壳:M177 供应商器件封装:M177 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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