描述:NCH+NCH J-FET *fet 类型:2 N-通道（双） *电压 - 击穿（v（br）gss）:15V *漏源极电压（vdss）:15V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V（标准） *电阻 - rds（开）:10.5pF @ 5V（标准） *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-SMD，扁平引线 供应商器件封装:SC-88AFL/MCPH5 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:60 Ohms *功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:100 Ohms *功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON, *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:650V *漏源极电压（vdss）:650V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:650V 漏极电流（id） - 最大值:32A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:32A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 100V *电阻 - rds（开）:95 mOhms *功率 - 最大值:190W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:1200V *漏源极电压（vdss）:1200V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1200V 漏极电流（id） - 最大值:33.5A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:33.5A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:985pF @ 100V *电阻 - rds（开）:90 mOhms *功率 - 最大值:254W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON, *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:650V *漏源极电压（vdss）:650V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:650V 漏极电流（id） - 最大值:85A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:85A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2360pF @ 100V *电阻 - rds（开）:33 mOhms *功率 - 最大值:441W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:1200V *漏源极电压（vdss）:1200V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1200V 漏极电流（id） - 最大值:63A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:63A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2145pF @ 100V *电阻 - rds（开）:45 mOhms *功率 - 最大值:429W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:JFETS *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *电阻 - rds（开）:10pF @ 5V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18（TO-206AA） 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:JFET N-CH 40V 50MA SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:30 Ohms *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 50MA SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:60 Ohms *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 150MA 1.8W TO18 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:150mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:100pA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:30 Ohms *功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:1200V *漏源极电压（vdss）:1200V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5µA @ 1200V 漏极电流（id） - 最大值:34A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:34A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1008pF @ 100V *电阻 - rds（开）:55 mOhms *功率 - 最大值:254W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:JFET N-CH MPAK *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:22V *漏源极电压（vdss）:22V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:12mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:0V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 5V *电阻 - rds（开）:9pF @ 5V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-MPAK 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:JFET N-CH MPAK *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:22V *漏源极电压（vdss）:22V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:12mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:0V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 5V *电阻 - rds（开）:9pF @ 5V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-MPAK 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:JFET N-CH MPAK *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:22V *漏源极电压（vdss）:22V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:12mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:0V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 5V *电阻 - rds（开）:9pF @ 5V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-MPAK 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:JFET N-CH MPAK *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:22V *漏源极电压（vdss）:22V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:12mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:0V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 5V *电阻 - rds（开）:9pF @ 5V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-MPAK 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:INTEGRATED CIRCUIT *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1.5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:INTEGRATED CIRCUIT *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:200µA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:200µA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:JFET N-CH 40V SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:200µA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:200µA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IC JUNCTION FET P-CH TO-18 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:900µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:900µA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:300mW 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IC JUNCTION FET N-CH TO-18 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:50V *漏源极电压（vdss）:50V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:3mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:3mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *电阻 - rds（开）:6pF @ 15V *功率 - 最大值:325mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述: *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述: *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述: *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1