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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
DTC143EUAT106
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | SC-70,SOT-323 | UMT3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:UMT3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DTA114EUAT106
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | SC-70,SOT-323 | UMT3 |
描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
*晶体管类型:PNP - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):50mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:UMT3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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|
DTC144EKAT146
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SMT3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SMT3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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DTC144EUAT106
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | SC-70,SOT-323 | UMT3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):30mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:UMT3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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DTC124EKAT146
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SMT3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):30mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SMT3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DTC143XKAT146
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SMT3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SMT3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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DTC113ZUAT106
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | SC-70,SOT-323 | UMT3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:UMT3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DDTC114ECA-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
FJN4301RTA
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
*晶体管类型:PNP - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
*频率 - 跃迁:200MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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FJN3303RTA
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
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FJN3302RTA
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 0.3W TO92-3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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FJN3305RTA
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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|
DDTC143ZCA-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
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Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 250µA,5mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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|
DDTC114YCA-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
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Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 250µA,5mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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|
DDTC114EUA-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
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Diodes Incorporated | SC-70,SOT-323 | SOT-323 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:SOT-323
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DTC143ZMT2L
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | SOT-723 | VMT3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 250µA,5mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-723
供应商器件封装:VMT3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DTC123JMT2L
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | SOT-723 | VMT3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 250µA,5mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-723
供应商器件封装:VMT3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DTC114EETL
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | SC-75,SOT-416 | EMT3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):50mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商器件封装:EMT3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DTA114EETL
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | SC-75,SOT-416 | EMT3 |
描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
*晶体管类型:PNP - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商器件封装:EMT3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PDTD123YT,215
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23(TO-236AB) |
描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:500nA
*功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PDTD113ZT,215
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23(TO-236AB) |
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:500nA
*功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DTC114YETL
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | SC-75,SOT-416 | EMT3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):70mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 250µA,5mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商器件封装:EMT3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DTC144EETL
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | SC-75,SOT-416 | EMT3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商器件封装:EMT3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DTC143EETL
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | SC-75,SOT-416 | EMT3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商器件封装:EMT3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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DTC123JETL
Datasheet 规格书
ROHS
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Rohm Semiconductor | SC-75,SOT-416 | EMT3 |
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
*晶体管类型:NPN - 预偏压
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
*电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms
电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 250µA,5mA
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商器件封装:EMT3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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