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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 噪声系数(db,不同 f 时的典型值) 增益 电流 - 集电极(ic)(最大值) 电压 - 集射极击穿(最大值) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值) 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 包装
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共 1346 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
PBR941B,215
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Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:RF TRANS NPN 10V 9GHZ TO236AB *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):10V *频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz *增益:- *功率 - 最大值 :360mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 5mA,6V 电流 - 集电极(ic)(最大值):50mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP520FH6327XTSA1
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Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线 4-TSFP
描述:RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):3.5V *频率 - 跃迁:45GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):0.95dB @ 1.8GHz *增益:22.5dB *功率 - 最大值 :100mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 20mA,2V 电流 - 集电极(ic)(最大值):40mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商器件封装:4-TSFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP193WH6327XTSA1
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Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 PG-SOT343-4
描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):12V *频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *增益:13.5dB ~ 20.5dB *功率 - 最大值 :580mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极(ic)(最大值):80mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:PG-SOT343-4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BF776H6327XTSA1
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Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 PG-SOT343-4
描述:RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):4.7V *频率 - 跃迁:46GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *增益:24dB *功率 - 最大值 :200mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):180 @ 30mA,3V 电流 - 集电极(ic)(最大值):50mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:PG-SOT343-4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP760H6327XTSA1
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Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 SOT-343
描述:RF TRANS NPN 4V 45GHZ SOT343 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):4V *频率 - 跃迁:45GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz *增益:16.5dB ~ 29dB *功率 - 最大值 :240mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 35mA,3V 电流 - 集电极(ic)(最大值):70mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP740H6327XTSA1
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Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 SOT-343
描述:RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):4.7V *频率 - 跃迁:42GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *增益:27dB *功率 - 最大值 :160mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极(ic)(最大值):30mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP740ESDH6327XTSA1
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Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 SOT-343
描述:RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):4.7V *频率 - 跃迁:45GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz *增益:8.5dB ~30.5dB *功率 - 最大值 :160mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极(ic)(最大值):45mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP620FH7764XTSA1
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Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线 4-TSFP
描述:RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):2.8V *频率 - 跃迁:65GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *增益:21dB ~ 10dB *功率 - 最大值 :185mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):110 @ 50mA,1.5V 电流 - 集电极(ic)(最大值):80mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商器件封装:4-TSFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP720ESDH6327XTSA1
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Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 SOT-343
描述:RF TRANS NPN 4.7V 43GHZ SOT343 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):4.7V *频率 - 跃迁:43GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz *增益:11dB ~ 30.5dB *功率 - 最大值 :100mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 15mA,3V 电流 - 集电极(ic)(最大值):30mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP540FESDH6327XTSA1
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Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线 4-TSFP
描述:RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):5V *频率 - 跃迁:30GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz *增益:20dB *功率 - 最大值 :250mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 20mA,3.5V 电流 - 集电极(ic)(最大值):80mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商器件封装:4-TSFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP540ESDH6327XTSA1
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Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 PG-SOT343-4
描述:RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):5V *频率 - 跃迁:30GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz *增益:21.5dB *功率 - 最大值 :250mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 20mA,3.5V 电流 - 集电极(ic)(最大值):80mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:PG-SOT343-4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SS9018GBU
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Fairchild Semiconductor TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) TO-92-3
描述:RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):15V *频率 - 跃迁:1.1GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):- *增益:- *功率 - 最大值 :400mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):72 @ 1mA,5V 电流 - 集电极(ic)(最大值):50mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFS483H6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 PG-SOT363-6
描述:RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6 *晶体管类型:2 NPN(双) *电压 - 集射极击穿(最大值):12V *频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *增益:19dB *功率 - 最大值 :450mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极(ic)(最大值):65mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
HFA3102BZ96
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Intersil 14-SOIC(3.90mm 宽) 14-SOICN
描述:RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC *晶体管类型:6 NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):12V *频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz *增益:12.4dB ~ 17.5dB *功率 - 最大值 :250mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 10mA,3V 电流 - 集电极(ic)(最大值):30mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(3.90mm 宽) 供应商器件封装:14-SOICN 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MCH4009-TL-H
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 4-SMD,扁平引线 4-MCPH
描述:RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ 4MCPH *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):3.5V *频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 2GHz *增益:13.5dB *功率 - 最大值 :120mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 5mA,1V 电流 - 集电极(ic)(最大值):40mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商器件封装:4-MCPH 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
55GN01CA-TB-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3-CP
描述:RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):10V *频率 - 跃迁:4.5GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):1.9dB @ 1GHz *增益:9.5dB *功率 - 最大值 :200mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,5V 电流 - 集电极(ic)(最大值):70mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP183WH6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 PG-SOT343-4
描述:RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT343-4 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):12V *频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *增益:22dB *功率 - 最大值 :450mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极(ic)(最大值):65mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:PG-SOT343-4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SC5226A-4-TL-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-70,SOT-323 3-MCP
描述:RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):10V *频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):1dB @ 1GHz *增益:12dB *功率 - 最大值 :150mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):90 @ 20mA,5V 电流 - 集电极(ic)(最大值):70mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:3-MCP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SC5226A-5-TL-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-70,SOT-323 3-MCP
描述:RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):10V *频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):1dB @ 1GHz *增益:12dB *功率 - 最大值 :150mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):135 @ 20mA,5V 电流 - 集电极(ic)(最大值):70mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:3-MCP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SC5227A-5-TB-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3-CP
描述:RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):10V *频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):1dB @ 1GHz *增益:12dB *功率 - 最大值 :200mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):135 @ 20mA,5V 电流 - 集电极(ic)(最大值):70mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
CPH6003A-TL-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 6-CPH
描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):12V *频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):1.8dB @ 1GHz *增益:9dB *功率 - 最大值 :800mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 50mA,5V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SC5347AE-TD-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-243AA PCP
描述:RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):12V *频率 - 跃迁:4.7GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):1.8dB @ 1GHz *增益:8dB *功率 - 最大值 :1.3W 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):90 @ 50mA,5V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBTH10-TP
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):25V *频率 - 跃迁:650MHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):- *增益:- *功率 - 最大值 :225mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 4mA,10V 电流 - 集电极(ic)(最大值):50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SC5066-Y,LF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-75,SOT-416 SSM
描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):12V *频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):1dB @ 500MHz *增益:- *功率 - 最大值 :100mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 10mA,5V 电流 - 集电极(ic)(最大值):30mA 工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SSM 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP196E6327HTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies TO-253-4,TO-253AA PG-SOT143-4
描述:RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿(最大值):12V *频率 - 跃迁:7.5GHz 噪声系数(db,不同 f 时的典型值):1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *增益:10.5dB ~ 16.5dB *功率 - 最大值 :700mW 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 50mA,8V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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