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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 电压 - 击穿(v(br)gss) 漏源极电压(vdss) 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss) 漏极电流(id) - 最大值 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关) 电阻 - rds(开) 不同 vds 时的输入电容(ciss) 安装类型 包装
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共 3378 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
STGB20H65DFB2
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-263-4,D²Pak(3 引线 + 接片),TO-263AA D2PAK-3
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,20A *功率 - 最大值:147W 开关能量:265µJ(开),214µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:56nC 25°C 时 Td(开/关)值:16ns/78.8ns 测试条件:400V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):215ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-4,D²Pak(3 引线 + 接片),TO-263AA 供应商器件封装:D2PAK-3 标签:
AFGHL75T65SQ
10+: 38.3856 100+: 37.7002 1000+: 37.3575 3000+: 36.3293
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ON Semiconductor TO-247-3 变式 TO-247-3
描述:IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:1.86mJ(开),1.13mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:139nC 25°C 时 Td(开/关)值:25ns/106ns 测试条件:400V,75A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,4.7 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:TO-247-3 标签:
AFGHL75T65SQDC
10+: 66.3807 100+: 65.1954 1000+: 64.6027 3000+: 62.8246
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ON Semiconductor TO-247-3 变式 TO-247-3
描述:IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) *输入类型:标准 栅极电荷:139nC 25°C 时 Td(开/关)值:24ns/107.2ns 测试条件:400V,75A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,4.7 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:TO-247-3 标签:
AFGY100T65SPD
10+: 79.1127 100+: 77.6999 1000+: 76.9936 3000+: 74.8745
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ON Semiconductor TO-247-3 TO-247-3
描述:IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,100A *功率 - 最大值:660W 开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td(开/关)值:36ns/78ns 测试条件:400V, 100A, 5Ohm, 15V 反向恢复时间 (trr):105ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标签:
AFGY120T65SPD
10+: 91.1738 100+: 89.5457 1000+: 88.7317 3000+: 86.2895
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ON Semiconductor TO-247-3 TO-247-3
描述:IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,120A *功率 - 最大值:714W 开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/80ns 测试条件:400V,120A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):107ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标签:
IHFW40N65R5SXKSA1
10+: 47.7258 100+: 46.8735 1000+: 46.4474 3000+: 45.1690
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Infineon Technologies TO-247-3 PG-HSIP247-3-2
描述:IHFW40N65R5SXKSA1 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:108W 开关能量:1.52mJ(开),700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/363ns 测试条件:400V,40A,23.1毫欧,15V 反向恢复时间 (trr):103ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:PG-HSIP247-3-2 标签:
IKFW40N65ES5XKSA1
10+: 52.8768 100+: 51.9325 1000+: 51.4604 3000+: 50.0441
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Infineon Technologies TO-247-3 PG-HSIP247-3-2
描述:IKFW40N65ES5XKSA1 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A *功率 - 最大值:106W 开关能量:560µJ(开),320µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:70nC 25°C 时 Td(开/关)值:17ns/124ns 测试条件:400V,30A,13 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:PG-HSIP247-3-2 标签:
IKFW50N65EH5XKSA1
10+: 62.2042 100+: 61.0935 1000+: 60.5381 3000+: 58.8719
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Infineon Technologies TO-247-3 PG-HSIP247-3-2
描述:IKFW50N65EH5XKSA1 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:124W 开关能量:1.2mJ(开),400µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:95nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/138ns 测试条件:400V,40A,15.1毫欧,15V 反向恢复时间 (trr):52ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:PG-HSIP247-3-2 标签:
IKFW75N65ES5XKSA1
10+: 74.7463 100+: 73.4116 1000+: 72.7442 3000+: 70.7421
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Infineon Technologies TO-247-3 PG-HSIP247-3-2
描述:IKFW75N65ES5XKSA1 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,60A *功率 - 最大值:148W 开关能量:1.48mJ(开),660µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:144nC 25°C 时 Td(开/关)值:24ns/152ns 测试条件:400V,60A,8毫欧,15V 反向恢复时间 (trr):71ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:PG-HSIP247-3-2 标签:
IXGA30N60C3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263(IXGA)
描述:IGBT 600V 60A 220W TO-263AA *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3V @ 15V,20A *功率 - 最大值:220W 开关能量:270µJ(开),90µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:38ns 25°C 时 Td(开/关)值:16ns/42ns 测试条件:300V,20A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):26ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(IXGA) 标签:
RJH60V3BDPE-00#J3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America Inc SC-83 4-LDPAK
描述:IGBT 600V 35A 113W LDPAK *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):35A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,17A *功率 - 最大值:113W 开关能量:90µJ(开),300µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:60nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/90ns 测试条件:300V,17A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):25ns 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-83 供应商器件封装:4-LDPAK 标签:
RJH60A85RDPE-00#J3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America Inc SC-83 4-LDPAK
描述:IGBT 600V 30A 113W LDPAK *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,15A *功率 - 最大值:113W 开关能量:430µJ(开),300µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:56nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/86ns 测试条件:300V,15A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):160ns 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-83 供应商器件封装:4-LDPAK 标签:
RJH60V1BDPE-00#J3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America Inc SC-83 4-LDPAK
描述:IGBT 600V 16A 52W LDPAK *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,8A *功率 - 最大值:52W 开关能量:17µJ(开),110µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:19nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/55ns 测试条件:300V,8A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):25ns 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-83 供应商器件封装:4-LDPAK 标签:
RJH60M2DPP-M0#T2
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America Inc TO-220-3 整包 TO-220FL
描述:IGBT 600V 25A 33.8W TO-220FL *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,12A *功率 - 最大值:33.8W 开关能量:180µJ(开),180µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:33nC 25°C 时 Td(开/关)值:32ns/70ns 测试条件:300V,12A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FL 标签:
RJH60M3DPP-M0#T2
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America Inc TO-220-3 整包 TO-220FL
描述:IGBT 600V 35A 39.7W TO-220FL *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):35A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,17A *功率 - 最大值:39.7W 开关能量:290µJ(开),290µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:60nC 25°C 时 Td(开/关)值:38ns/90ns 测试条件:300V,17A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):90ns 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FL 标签:
RJH60F0DPQ-A0#T0
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America Inc TO-247-3 TO-247A
描述:IGBT 600V 50A 201.6W TO-247A *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.82V @ 15V,25A *功率 - 最大值:201.6W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/70ns 测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):90ns 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247A 标签:
RJH60F5BDPQ-A0#T0
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America Inc TO-247-3 TO-247A
描述:IGBT 600V 80A 260.4W TO-247A *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,40A *功率 - 最大值:260.4W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td(开/关)值:53ns/95ns 测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):25ns 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247A 标签:
IHY20N135R3XKSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies TO-247-3 变式 PG-TO247HC-3
描述:IGBT 1350V 40A 310W TO247HC-3 *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1350V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,20A *功率 - 最大值:310W 开关能量:1.3mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:195nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/335ns 测试条件:600V,20A,15 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,20A,15 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:PG-TO247HC-3 标签:
IHY30N160R2XKSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies TO-247-3 变式 PG-TO247HC-3
描述:IGBT 1600V 30A 312W TO247HC-3 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A *功率 - 最大值:312W 开关能量:2.53mJ *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/525ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:PG-TO247HC-3 标签:
IKW20N60TAFKSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies TO-247-3 PG-TO247-3
描述:IGBT 600V 40A 166W TO247-3 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,20A *功率 - 最大值:166W 开关能量:770µJ *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/199ns 测试条件:400V,20A,12 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):41ns 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:PG-TO247-3 标签:
IKW30N60TAFKSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies TO-247-3 PG-TO247-3
描述:IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,30A *功率 - 最大值:187W 开关能量:1.46mJ *输入类型:标准 栅极电荷:167nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/254ns 测试条件:400V,30A,10.6 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):143ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:PG-TO247-3 标签:
SGP20N60HSXKSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies TO-220-3 PG-TO220-3-1
描述:IGBT 600V 36A 178W TO220-3 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.15V @ 15V,20A *功率 - 最大值:178W 开关能量:690µJ *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/207ns 测试条件:400V,20A,16 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,20A,16 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3-1 标签:
IRGS15B60KPBF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
描述:IGBT 600V 31A 208W D2PAK *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):62A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,15A *功率 - 最大值:208W 开关能量:220µJ(开),340µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:56nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/184ns 测试条件:400V,15A,22 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,15A,22 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标签:
IRGPS4067DPBF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies TO-274AA SUPER-247™(TO-274AA)
描述:IGBT TRENCH 600V 240A SUPER247 *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,120A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.75mJ(开),3.43mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:240nC 25°C 时 Td(开/关)值:80ns/190ns 测试条件:400V,120A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):130ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-274AA 供应商器件封装:SUPER-247™(TO-274AA) 标签:
AUIRGR4045DTRL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252AA
描述:IGBT 600V 12A 77W DPAK *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,6A *功率 - 最大值:77W 开关能量:56µJ(开),122µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td(开/关)值:27ns/75ns 测试条件:400V,6A,47 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):74ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252AA 标签:
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