服务热线
0755-28435922
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
|---|---|---|---|---|---|
|
AS4C32M16MD1-6BCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Alliance Memory, Inc. | 60-TFBGA | 60-FPBGA（8x9） | 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FPBGA（8x9） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:移动 ddr sdram 存储容量:512m（32m x 16） 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.9 v |
|
AS4C32M16D1A-5TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Alliance Memory, Inc. | 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 66-TSOP II | 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:66-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:512m（32m x 16） 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v |
|
CY62256NLL-55ZXA
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
|
Cypress Semiconductor Corp | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP I | 描述:NO WARRANTY *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
|
NDL28PFH-9MET
Datasheet 规格书
ROHS
|
78-VFBGA | 78-FBGA（8x10.5） | 描述:IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb （256M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:933MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
|
71V016SA12YGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
500
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
|
71V016SA15YGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
|
71V016SA20YGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
500
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
CY7C1399BN-12VXI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
27
|
Cypress Semiconductor Corp | 28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） | 28-SOJ | 描述:IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:12 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
71V016SA12BFI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
476
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-CABGA（7x7） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-CABGA（7x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
|
71V016SA15BFI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
476
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-CABGA（7x7） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-CABGA（7x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
|
71V016SA20BFI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
476
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-CABGA（7x7） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-CABGA（7x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
S29GL128S90DHI020
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
1300
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（9x9） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
S34ML02G104TFI013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（128m x 16） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
|
|
S29AL008J70TFN023
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Cypress Semiconductor Corp | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb （1M x 8，512K x 16） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:8m（1m x 8 或 512k x 16） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
|
AS6C4008A-55ZIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
135
|
Alliance Memory, Inc. | 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） | 32-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
AS6C4016A-45ZIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |
|
S25FL128P0XNFI011
Datasheet 规格书
ROHS
管件
|
Cypress Semiconductor Corp | 8-USON（5x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8USON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-USON（5x6） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
|
AS6C4008A-55SIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
|
Alliance Memory, Inc. | 32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） | 32-SOP | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） 供应商器件封装:32-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
AS6C4008A-55STIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
234
|
Alliance Memory, Inc. | 32-LFSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 32-sTSOP | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LFSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:32-sTSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
AS6C4008A-55TIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
|
Alliance Memory, Inc. | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
71256SA15TPGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-DIP（0.300"，7.62mm） | 28-PDIP | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:28-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商器件封装:28-PDIP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
|
|
71256SA20TPGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-DIP（0.300"，7.62mm） | 28-PDIP | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:28-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商器件封装:28-PDIP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
|
AS4C128M8D3-12BCN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
|
Alliance Memory, Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（8x10.5） | 描述:IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr3 sdram 存储容量:1g（128m x 8） 速度:800mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.425 v ~ 1.575 v |
|
AS4C64M16D3-12BCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Alliance Memory, Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA (9x13) | 描述:IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA (9x13) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr3 sdram 存储容量:1g（64m x 16） 速度:800mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.425 v ~ 1.575 v |
|
AS4C16M16D1-5BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
240
|
Alliance Memory, Inc. | 60-TFBGA | 60-TFBGA（8x13） | 描述:IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-TFBGA（8x13） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:256m（16m x 16） 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v |