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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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S29GL128P11TFIV20
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
91
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL128P90TAIR10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:56-TSOP 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | ||
71V424S12YG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
20
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 36-SOJ | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:36-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS4C64M8D2-25BCN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
264
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Alliance Memory, Inc. | 60-TFBGA | 60-FBGA(8x10) | 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb (64M x 8) 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA(8x10) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr2 sdram 存储容量:512m(64m x 8) 速度:400mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.9 v | |
S29PL032J70BFI123
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-FBGA(8.15x6.15) | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb (2M x 16) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-VFBGA 封装/外壳:48-FBGA(8.15x6.15) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m(2m x 16) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
AS6C4008A-55BINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 36-TFBGA | 36-TFBGA(6x8) | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-TFBGA 供应商器件封装:36-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
AS4C16M16D1-5BINTR
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ROHS
标准卷带
2500
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Alliance Memory, Inc. | 60-TFBGA | 60-TFBGA(8x13) | 描述:IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-TFBGA(8x13) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:256m(16m x 16) 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v | |
S29PL032J60BFI123
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-FBGA(8.15x6.15) | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb (2M x 16) 存储器接口:60ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(8.15x6.15) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m(2m x 16) 速度:60ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29PL032J60BFW123
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-FBGA(8.15x6.15) | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb (2M x 16) 存储器接口:60ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(8.15x6.15) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m(2m x 16) 速度:60ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29PL032J70BAI123
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-FBGA(8.15x6.15) | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb (2M x 16) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(8.15x6.15) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m(2m x 16) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
MX29GL128FUXGI-11G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Macronix | 56-TFBGA,CSPBGA | 56-FBGA,CSP(7x9) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFBGA,CSPBGA 供应商器件封装:56-FBGA,CSP(7x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
MX29GL128FDXGI-11G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
|
Macronix | 56-TFBGA,CSPBGA | 56-FBGA,CSP(7x9) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFBGA,CSPBGA 供应商器件封装:56-FBGA,CSP(7x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL128P10FAI013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S29GL128P11FFIV13
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL128P90FAIR13
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | ||
S29GL128P90FAIR23
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | ||
S29GL128P90FFSS03
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:0°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* | ||
S29GL128P90FFSS73
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:0°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* | ||
S29GL128P90FFSS93
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:0°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* | ||
71V016SA12YGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
16
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
71V016SA15YGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
71V016SA20YGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
16
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
MX25L12855EMI-10G
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Macronix | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOP | 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOP *存储器类型:闪存 *存储器格式:FLASH,RAM 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:300µs,5ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:300µs,5ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S34ML01G100BHA000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
|
Cypress Semiconductor Corp | - | - | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S34ML01G100BHB000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | - | - | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |