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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
AT24C02D-SSHM-T
4000
10+: 1.4301 100+: 1.4046 1000+: 1.3918 3000+: 1.3535
我要买
Atmel 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:IC EEPROM 2K I2C 1MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb (256 x 8) 存储器接口:450ns 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字,页:1MHz 访问时间:5ms *电压 - 电源:1.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:eeproms - 串行 存储器类型:eeprom 存储容量:2k(256 x 8) 速度:400khz,1mhz 接口:i2c,2 线串口 电压 - 电源:1.7 v ~ 3.6 v
AT24C01D-XHM-T
卷带
5000
10+: 0.2025 100+: 0.1989 1000+: 0.1971 3000+: 0.1916
我要买
Microchip Technology 8-TSSOP(4.40mm 宽) 8-TSSOP 描述:IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb(128 x 8) 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:4.5 µs *电压 - 电源:1.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP(4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 格式 - 存储器:eeproms - 串行 存储器类型:eeprom 存储容量:1k(128 x 8) 速度:400khz,1mhz 接口:i2c,2 线串口 电压 - 电源:1.7 v ~ 3.6 v
AT24HC02C-XHM-T
剪切带(CT)
10+: 1.6453 100+: 1.6159 1000+: 1.6012 3000+: 1.5571
我要买
Atmel 8-TSSOP(4.40mm 宽) 8-TSSOP 描述:IC EEPROM 2K I2C 1MHZ 8TSSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb (256 x 8) 存储器接口:550ns 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字,页:1MHz 访问时间:5ms *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP(4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 格式 - 存储器:eeproms - 串行 存储器类型:eeprom 存储容量:2k(256 x 8) 速度:400khz,1mhz 接口:i2c,2 线串口 电压 - 电源:1.7 v ~ 5.5 v
AT24C02D-XHM-T
5000
10+: 0.2784 100+: 0.2735 1000+: 0.2710 3000+: 0.2635
我要买
Atmel 8-TSSOP(4.40mm 宽) 8-TSSOP 描述:IC EEPROM 2K I2C 1MHZ 8TSSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb (256 x 8) 存储器接口:4.5µs 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字,页:1MHz 访问时间:5ms *电压 - 电源:1.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP(4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 格式 - 存储器:eeproms - 串行 存储器类型:eeprom 存储容量:2k(256 x 8) 速度:400khz,1mhz 接口:i2c,2 线串口 电压 - 电源:1.7 v ~ 3.6 v
11LC010T-I/TT
卷带
3000
10+: 0.2405 100+: 0.2362 1000+: 0.2340 3000+: 0.2276
我要买
Microchip Technology TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3 描述:IC EEPROM 1KBIT SGL WIRE SOT23-3 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb(128 x 8) 存储器接口:单线 时钟频率:100 kHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 格式 - 存储器:eeproms - 串行 存储器类型:eeprom 存储容量:1k(128 x 8) 速度:100khz 接口:uni/o?(单线) 电压 - 电源:2.5 v ~ 5.5 v
24AA025T-E/OT
圆盘卷带
3000
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microchip Technology SOT-23-6 SOT-23-6 描述: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
24AA01T-I/OT
圆盘卷带
3000
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
我要买
Microchip Technology SC-74A,SOT-753 SOT-23-5 描述:IC EEPROM 1K I2C 400KHZ SOT23-5 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb (128 x 8) 存储器接口:3500ns 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字,页:400kHz 访问时间:5ms *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标签: 格式 - 存储器:eeproms - 串行 存储器类型:eeprom 存储容量:1k(128 x 8) 速度:100khz,400khz 接口:i2c,2 线串口 电压 - 电源:1.7 v ~ 5.5 v
24LC01BT-I/OT
圆盘卷带
3000
10+: 1.7212 100+: 1.6905 1000+: 1.6751 3000+: 1.6290
我要买
Microchip Technology SC-74A,SOT-753 SOT-23-5 描述:IC EEPROM 1K I2C 400KHZ SOT23-5 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb (128 x 8) 存储器接口:3500ns 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字,页:400kHz 访问时间:5ms *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标签: 格式 - 存储器:eeproms - 串行 存储器类型:eeprom 存储容量:1k(128 x 8) 速度:400khz 接口:i2c,2 线串口 电压 - 电源:2.5 v ~ 5.5 v
24AA00T-I/OT
卷带
3000
10+: 1.7212 100+: 1.6905 1000+: 1.6751 3000+: 1.6290
我要买
Microchip Technology SC-74A,SOT-753 SOT-23-5 描述:IC EEPROM 128B I2C SOT23-5 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:128b(16 x 8) 存储器接口:I²C 时钟频率:400 kHz 写周期时间 - 字,页:4ms 访问时间:3500 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标签: 格式 - 存储器:eeproms - 串行 存储器类型:eeprom 存储容量:128(16 x 8) 速度:100khz,400khz 接口:i2c,2 线串口 电压 - 电源:1.7 v ~ 5.5 v
71V016SA12PHGI8
标准卷带
10+: 29.4125 100+: 28.8873 1000+: 28.6247 3000+: 27.8369
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP II 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
S29AL016J70TFA023
标准卷带
10+: 29.4125 100+: 28.8873 1000+: 28.6247 3000+: 27.8369
我要买
Cypress Semiconductor Corp 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 48-TSOP 描述:IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb (2M x 8,1M x 16) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:16m(2m x 8 或 1m x 16) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL128S10DHIV20
托盘
260
10+: 15.5163 100+: 15.2392 1000+: 15.1006 3000+: 14.6850
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(9x9) 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL128P90FFCR10
托盘
360
10+: 1.4934 100+: 1.4667 1000+: 1.4534 3000+: 1.4134
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
S29GL128P90FACR20
托盘
10+: 29.6277 100+: 29.0986 1000+: 28.8341 3000+: 28.0405
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
CY62136ESL-45ZSXI
托盘
25
10+: 0.9745 100+: 0.9571 1000+: 0.9484 3000+: 0.9223
我要买
Cypress Semiconductor Corp 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP II 描述:NO WARRANTY *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (128K x 16) 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(128k x 16) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 5.5 v
71V416L12PHGI8
标准卷带
10+: 29.7036 100+: 29.1732 1000+: 28.9080 3000+: 28.1124
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP II 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
71V424L10PHG8
标准卷带
10+: 29.7036 100+: 29.1732 1000+: 28.9080 3000+: 28.1124
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP II 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS6C4008-55SINTR
卷带
1000
10+: 29.7036 100+: 29.1732 1000+: 28.9080 3000+: 28.1124
我要买
Alliance Memory, Inc. 32-SOIC(0.455",11.30mm 宽) 32-SOP 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb(512K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC(0.455",11.30mm 宽) 供应商器件封装:32-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v
AS6C4008-55ZINTR
标准卷带
10+: 29.7036 100+: 29.1732 1000+: 28.9080 3000+: 28.1124
我要买
Alliance Memory, Inc. 32-SOIC(0.400",10.16mm 宽) 32-TSOP II 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:32-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v
AS6C4008-55TINTR
标准卷带
10+: 29.7036 100+: 29.1732 1000+: 28.9080 3000+: 28.1124
我要买
Alliance Memory, Inc. 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 32-TSOP I 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v
AS6C4008-55STINR
标准卷带
10+: 29.7036 100+: 29.1732 1000+: 28.9080 3000+: 28.1124
我要买
Alliance Memory, Inc. 32-LFSOP(0.465",11.80mm 宽) 32-sTSOP 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LFSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:32-sTSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v
AS4C64M8D1-5TINTR
标准卷带
10+: 29.7036 100+: 29.1732 1000+: 28.9080 3000+: 28.1124
我要买
Alliance Memory, Inc. 66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 66-TSOP II 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:512Mb (64M x 8) 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:66-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:512m(64m x 8) 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v
AS4C16M16S-6TCN
托盘
10+: 29.8682 100+: 29.3348 1000+: 29.0681 3000+: 28.2681
我要买
Alliance Memory, Inc. 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 54-TSOP II 描述:IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:166MHz 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:54-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sdram 存储容量:256m(16m x 16) 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
S29GL064N90FFI010
托盘
180
10+: 6.1635 100+: 6.0534 1000+: 5.9984 3000+: 5.8333
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
71V016SA12BFG8
标准卷带
2000
10+: 3.0248 100+: 2.9708 1000+: 2.9438 3000+: 2.8627
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IDT, Integrated Device Technology Inc 48-LFBGA 48-FBGA(7x7) 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(7x7) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
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