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辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
|---|---|---|---|---|---|
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AT24C02D-SSHM-T
Datasheet 规格书
ROHS
4000
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Atmel | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOIC | 描述:IC EEPROM 2K I2C 1MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb （256 x 8） 存储器接口:450ns 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字，页:1MHz 访问时间:5ms *电压 - 电源:1.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:eeproms - 串行 存储器类型:eeprom 存储容量:2k（256 x 8） 速度:400khz，1mhz 接口:i2c，2 线串口 电压 - 电源:1.7 v ~ 3.6 v |
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AT24C01D-XHM-T
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
5000
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Microchip Technology | 8-TSSOP（4.40mm 宽） | 8-TSSOP | 描述:IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（128 x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:4.5 µs *电压 - 电源:1.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 格式 - 存储器:eeproms - 串行 存储器类型:eeprom 存储容量:1k（128 x 8） 速度:400khz，1mhz 接口:i2c，2 线串口 电压 - 电源:1.7 v ~ 3.6 v |
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AT24HC02C-XHM-T
Datasheet 规格书
ROHS
剪切带（CT）
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Atmel | 8-TSSOP（4.40mm 宽） | 8-TSSOP | 描述:IC EEPROM 2K I2C 1MHZ 8TSSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb （256 x 8） 存储器接口:550ns 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字，页:1MHz 访问时间:5ms *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 格式 - 存储器:eeproms - 串行 存储器类型:eeprom 存储容量:2k（256 x 8） 速度:400khz，1mhz 接口:i2c，2 线串口 电压 - 电源:1.7 v ~ 5.5 v |
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AT24C02D-XHM-T
Datasheet 规格书
ROHS
5000
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Atmel | 8-TSSOP（4.40mm 宽） | 8-TSSOP | 描述:IC EEPROM 2K I2C 1MHZ 8TSSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb （256 x 8） 存储器接口:4.5µs 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字，页:1MHz 访问时间:5ms *电压 - 电源:1.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 格式 - 存储器:eeproms - 串行 存储器类型:eeprom 存储容量:2k（256 x 8） 速度:400khz，1mhz 接口:i2c，2 线串口 电压 - 电源:1.7 v ~ 3.6 v |
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11LC010T-I/TT
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Microchip Technology | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SOT-23-3 | 描述:IC EEPROM 1KBIT SGL WIRE SOT23-3 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（128 x 8） 存储器接口:单线 时钟频率:100 kHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 格式 - 存储器:eeproms - 串行 存储器类型:eeprom 存储容量:1k（128 x 8） 速度:100khz 接口:uni/o?（单线） 电压 - 电源:2.5 v ~ 5.5 v |
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24AA025T-E/OT
Datasheet 规格书
ROHS
圆盘卷带
3000
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Microchip Technology | SOT-23-6 | SOT-23-6 | 描述: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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24AA01T-I/OT
Datasheet 规格书
ROHS
圆盘卷带
3000
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Microchip Technology | SC-74A，SOT-753 | SOT-23-5 | 描述:IC EEPROM 1K I2C 400KHZ SOT23-5 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb （128 x 8） 存储器接口:3500ns 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字，页:400kHz 访问时间:5ms *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标签: 格式 - 存储器:eeproms - 串行 存储器类型:eeprom 存储容量:1k（128 x 8） 速度:100khz，400khz 接口:i2c，2 线串口 电压 - 电源:1.7 v ~ 5.5 v |
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24LC01BT-I/OT
Datasheet 规格书
ROHS
圆盘卷带
3000
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Microchip Technology | SC-74A，SOT-753 | SOT-23-5 | 描述:IC EEPROM 1K I2C 400KHZ SOT23-5 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb （128 x 8） 存储器接口:3500ns 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字，页:400kHz 访问时间:5ms *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标签: 格式 - 存储器:eeproms - 串行 存储器类型:eeprom 存储容量:1k（128 x 8） 速度:400khz 接口:i2c，2 线串口 电压 - 电源:2.5 v ~ 5.5 v |
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24AA00T-I/OT
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Microchip Technology | SC-74A，SOT-753 | SOT-23-5 | 描述:IC EEPROM 128B I2C SOT23-5 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:128b（16 x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:400 kHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:3500 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标签: 格式 - 存储器:eeproms - 串行 存储器类型:eeprom 存储容量:128（16 x 8） 速度:100khz，400khz 接口:i2c，2 线串口 电压 - 电源:1.7 v ~ 5.5 v |
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71V016SA12PHGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S29AL016J70TFA023
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb （2M x 8，1M x 16） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:16m（2m x 8 或 1m x 16） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL128S10DHIV20
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
260
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（9x9） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |
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S29GL128P90FFCR10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
360
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S29GL128P90FACR20
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA（13x11） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
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CY62136ESL-45ZSXI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
25
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Cypress Semiconductor Corp | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:NO WARRANTY *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb （128K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m（128k x 16） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 5.5 v |
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71V416L12PHGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V424L10PHG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS6C4008-55SINTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） | 32-SOP | 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb（512K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） 供应商器件封装:32-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |
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AS6C4008-55ZINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） | 32-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |
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AS6C4008-55TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |
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AS6C4008-55STINR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 32-LFSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 32-sTSOP | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LFSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:32-sTSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |
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AS4C64M8D1-5TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 66-TSOP II | 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:66-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:512m（64m x 8） 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v |
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AS4C16M16S-6TCN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Alliance Memory, Inc. | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 54-TSOP II | 描述:IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:54-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sdram 存储容量:256m（16m x 16） 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S29GL064N90FFI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
180
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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71V016SA12BFG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA（7x7） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（7x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |