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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
S29JL032J70BHI320
托盘
1690
10+: 0.9365 100+: 0.9198 1000+: 0.9115 3000+: 0.8864
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Cypress Semiconductor Corp 48-VFBGA 48-FBGA(8.15x6.15) 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(8.15x6.15) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m(4m x 8,2m x 16) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL128S10TFI020
托盘
91
10+: 28.8177 100+: 28.3031 1000+: 28.0458 3000+: 27.2739
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Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 56-TSOP 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29JL032J70TFA020
托盘
10+: 28.6532 100+: 28.1415 1000+: 27.8857 3000+: 27.1182
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Cypress Semiconductor Corp 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 48-TSOP 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m(4m x 8,2m x 16) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34ML01G100TFA003
标准卷带
10+: 28.6658 100+: 28.1540 1000+: 27.8980 3000+: 27.1302
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Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34ML01G100TFB003
标准卷带
10+: 28.6658 100+: 28.1540 1000+: 27.8980 3000+: 27.1302
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Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34ML01G200TFA003
标准卷带
10+: 28.6658 100+: 28.1540 1000+: 27.8980 3000+: 27.1302
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Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34ML01G200TFB003
标准卷带
10+: 28.6658 100+: 28.1540 1000+: 27.8980 3000+: 27.1302
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Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
AS4C32M16D1-5BCNTR
标准卷带
10+: 28.6658 100+: 28.1540 1000+: 27.8980 3000+: 27.1302
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Alliance Memory, Inc. 60-TFBGA 60-BGA 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:512Mb (32M x 16) 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-BGA 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:512m(32m x 16) 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v
71V016SA10BF
托盘
476
10+: 17.4273 100+: 17.1161 1000+: 16.9605 3000+: 16.4937
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IDT, Integrated Device Technology Inc 48-LFBGA 48-CABGA(7x7) 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3.15V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-CABGA(7x7) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3.15 v ~ 3.6 v
AS6C2016-55ZIN
托盘
135
10+: 10.2260 100+: 10.0434 1000+: 9.9521 3000+: 9.6782
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Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP II 描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb(128K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(128k x 16) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v
S25FS256SAGMFI003
标准卷带
1450
10+: 2.8223 100+: 2.7719 1000+: 2.7467 3000+: 2.6711
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Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v
S25FS256SDSMFI003
标准卷带
1450
10+: 2.8223 100+: 2.7719 1000+: 2.7467 3000+: 2.6711
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Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256M SPI 80MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v
S25FL256SAGMFI013
标准卷带
10+: 28.8177 100+: 28.3031 1000+: 28.0458 3000+: 27.2739
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Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SAGMFIG03
1450
10+: 10.4539 100+: 10.2672 1000+: 10.1738 3000+: 9.8938
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SAGMFIG13
标准卷带
1450
10+: 1.0884 100+: 1.0690 1000+: 1.0593 3000+: 1.0301
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SAGMFIR03
卷带
1450
10+: 9.1123 100+: 8.9496 1000+: 8.8682 3000+: 8.6242
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Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SAGMFIR13
标准卷带
1450
10+: 1.0884 100+: 1.0690 1000+: 1.0593 3000+: 1.0301
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SDPMFIG03
标准卷带
1450
10+: 1.0884 100+: 1.0690 1000+: 1.0593 3000+: 1.0301
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SDPMFIG13
标准卷带
1450
10+: 2.8223 100+: 2.7719 1000+: 2.7467 3000+: 2.6711
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SDSMFI003
标准卷带
1450
10+: 2.8223 100+: 2.7719 1000+: 2.7467 3000+: 2.6711
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256M SPI 80MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL128S90DHA010
托盘
10+: 28.8683 100+: 28.3528 1000+: 28.0951 3000+: 27.3218
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(9x9) 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
71V416S12YG8
标准卷带
500
10+: 21.0722 100+: 20.6960 1000+: 20.5078 3000+: 19.9434
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IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
71V424S12YG8
标准卷带
500
10+: 21.0722 100+: 20.6960 1000+: 20.5078 3000+: 19.9434
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 36-SOJ 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:36-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
S34ML02G100BHI003
标准卷带
2300
10+: 3.7209 100+: 3.6544 1000+: 3.6212 3000+: 3.5215
我要买
Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g(256m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
71V416L15PHGI8
标准卷带
10+: 28.9696 100+: 28.4523 1000+: 28.1936 3000+: 27.4176
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP II 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
  共有55552个记录    每页显示25条,本页1-25条    1/2223页   1  2  3  4  5   下一页    尾 页      
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