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元器件型号：5431 件
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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： DMN5L06VK-7
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：50V
电流 - 连续漏极（id）：280mA
功率 - 最大值：250mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-21
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN5L06VK-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Diodes Incorporated' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN5L06VK-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN5L06VK-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN5L06VK-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NTZD3152PT1G
品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：430mA
功率 - 最大值：250mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-22
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTZD3152PT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ON Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTZD3152PT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTZD3152PT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTZD3152PT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NTJD4401NT1G
品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：630mA
功率 - 最大值：270mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG10-23
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTJD4401NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ON Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD4401NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD4401NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD4401NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NTZD3155CT1G
品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：540mA，430mA
功率 - 最大值：250mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-24
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTZD3155CT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ON Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTZD3155CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTZD3155CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTZD3155CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2N7002V
品牌： Fairchild Semiconductor ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：280mA
功率 - 最大值：250mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563F
料号：JTG10-25
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N7002V' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Fairchild Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002V' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002V' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002V' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMG1029SV-7
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 60V SOT563
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:500mA，360mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：500mA，360mA
功率 - 最大值：450mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-26
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMG1029SV-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Diodes Incorporated' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG1029SV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG1029SV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG1029SV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FDY3000NZ
品牌： Fairchild Semiconductor ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:500mA，360mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 10V *功率 - 最大值:446mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：600mA
功率 - 最大值：446mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SC-89-6
料号：JTG10-27
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDY3000NZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Fairchild Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDY3000NZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDY3000NZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDY3000NZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NTJD4152PT1G
品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:500mA，360mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 10V *功率 - 最大值:446mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:260 毫欧 @ 880mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:155pF @ 20V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：880mA
功率 - 最大值：272mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG10-28
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTJD4152PT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ON Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD4152PT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD4152PT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD4152PT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NTJD4158CT1G
品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT363
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:500mA，360mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 10V *功率 - 最大值:446mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:260 毫欧 @ 880mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:155pF @ 20V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:250mA，880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V，20V
电流 - 连续漏极（id）：250mA，880mA
功率 - 最大值：270mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG10-29
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTJD4158CT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ON Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD4158CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD4158CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD4158CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： SI1539CDL-T1-GE3
品牌： Vishay Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 30V SOT363
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:500mA，360mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 10V *功率 - 最大值:446mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:260 毫欧 @ 880mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:155pF @ 20V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:250mA，880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：700mA，500mA
功率 - 最大值：340mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-30
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1539CDL-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1539CDL-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1539CDL-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1539CDL-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMP2004VK-7
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:500mA，360mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 10V *功率 - 最大值:446mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:260 毫欧 @ 880mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:155pF @ 20V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:250mA，880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:530mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：530mA
功率 - 最大值：400mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-31
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMP2004VK-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Diodes Incorporated' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2004VK-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2004VK-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2004VK-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PMGD290XN,115
品牌： Nexperia USA Inc. Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:500mA，360mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 10V *功率 - 最大值:446mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:260 毫欧 @ 880mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:155pF @ 20V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:250mA，880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:530mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:860mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:34pF @ 20V *功率 - 最大值:410mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：860mA
功率 - 最大值：410mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG10-32
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMGD290XN,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia USA Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMGD290XN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMGD290XN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMGD290XN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PMGD280UN,115
品牌： Nexperia USA Inc. Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:500mA，360mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 10V *功率 - 最大值:446mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:260 毫欧 @ 880mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:155pF @ 20V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:250mA，880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:530mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:860mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:34pF @ 20V *功率 - 最大值:410mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:870mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:340 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 20V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：870mA
功率 - 最大值：400mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG10-33
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMGD280UN,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia USA Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMGD280UN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMGD280UN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMGD280UN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BSS138DW-7-F
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:500mA，360mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 10V *功率 - 最大值:446mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:260 毫欧 @ 880mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:155pF @ 20V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:250mA，880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:530mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:860mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:34pF @ 20V *功率 - 最大值:410mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:870mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:340 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 20V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：50V
电流 - 连续漏极（id）：200mA
功率 - 最大值：200mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-34
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSS138DW-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Diodes Incorporated' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSS138DW-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSS138DW-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSS138DW-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SSM6N58NU,LF
品牌： Toshiba Semiconductor Toshiba 东芝
描述： MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:500mA，360mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 10V *功率 - 最大值:446mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:260 毫欧 @ 880mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:155pF @ 20V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:250mA，880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:530mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:860mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:34pF @ 20V *功率 - 最大值:410mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:870mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:340 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 20V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：4A
功率 - 最大值：1W
外壳：6-WDFN 裸露焊盘
封装：6-UDFN（2X2）
料号：JTG10-35
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SSM6N58NU,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Toshiba Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N58NU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N58NU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N58NU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FDG6320C
品牌： Fairchild Semiconductor ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:500mA，360mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 10V *功率 - 最大值:446mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:260 毫欧 @ 880mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:155pF @ 20V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:250mA，880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:530mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:860mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:34pF @ 20V *功率 - 最大值:410mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:870mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:340 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 20V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:220mA，140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：25V
电流 - 连续漏极（id）：220mA，140mA
功率 - 最大值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-70-6
料号：JTG10-36
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDG6320C' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Fairchild Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6320C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6320C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6320C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NDC7002N
品牌： Fairchild Semiconductor ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:500mA，360mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 10V *功率 - 最大值:446mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:260 毫欧 @ 880mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:155pF @ 20V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:250mA，880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:530mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:860mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:34pF @ 20V *功率 - 最大值:410mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:870mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:340 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 20V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:220mA，140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:510mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 510mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 25V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：50V
电流 - 连续漏极（id）：510mA
功率 - 最大值：700mW
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：SUPERSOT™-6
料号：JTG10-37
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NDC7002N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Fairchild Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDC7002N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMN5L06DWK-7
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:500mA，360mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 10V *功率 - 最大值:446mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:260 毫欧 @ 880mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:155pF @ 20V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:250mA，880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:530mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:860mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:34pF @ 20V *功率 - 最大值:410mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:870mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:340 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 20V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:220mA，140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:510mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 510mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 25V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：50V
电流 - 连续漏极（id）：305mA
功率 - 最大值：250mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-38
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN5L06DWK-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Diodes Incorporated' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN5L06DWK-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMC2004DWK-7
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:500mA，360mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 10V *功率 - 最大值:446mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:260 毫欧 @ 880mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:155pF @ 20V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:250mA，880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:530mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:860mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:34pF @ 20V *功率 - 最大值:410mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:870mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:340 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 20V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:220mA，140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:510mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 510mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 25V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：540mA，430mA
功率 - 最大值：250mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-39
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： AO4629
品牌： Alpha Omega Semi AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 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连续漏极（id）:870mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:340 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 20V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:220mA，140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:510mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 510mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 25V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA，430mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道，共漏
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：6A，5.5A
功率 - 最大值：2W
外壳：8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）
封装：8-SOIC
料号：JTG10-40
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4629' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Alpha Omega Semi' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4629' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4629' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4629' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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