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元器件型号：5431 件
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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： FDC6506P
品牌： Fairchild Semiconductor ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：1.8A
功率 - 最大值：700mW
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：SUPERSOT™-6
料号：JTG10-80
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDC6506P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Fairchild Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDC6506P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDC6506P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDC6506P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NTMD4N03R2G
品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：4A
功率 - 最大值：2W
外壳：8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）
封装：8-SOIC
料号：JTG10-81
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMD4N03R2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ON Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMD4N03R2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMD4N03R2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMD4N03R2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DMN6040SSD-13
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：5A
功率 - 最大值：1.3W
外壳：8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）
封装：8-SO
料号：JTG10-82
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN6040SSD-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Diodes Incorporated' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN6040SSD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN6040SSD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN6040SSD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AO4840
品牌： Alpha Omega Semi AOS 万代
描述： MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极（id）：6A
功率 - 最大值：2W
外壳：8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）
封装：8-SOIC
料号：JTG10-83
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4840' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Alpha Omega Semi' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4840' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4840' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4840' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SI3932DV-T1-GE3
品牌： Vishay Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：3.7A
功率 - 最大值：1.4W
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：6-TSOP
料号：JTG10-84
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI3932DV-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI3932DV-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI3932DV-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI3932DV-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SIA910EDJ-T1-GE3
品牌： Vishay Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：12V
电流 - 连续漏极（id）：4.5A
功率 - 最大值：7.8W
外壳：POWERPAK® SC-70-6 双
封装：POWERPAK® SC-70-6 双
料号：JTG10-85
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIA910EDJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA910EDJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA910EDJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA910EDJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FDG6335N
品牌： Fairchild Semiconductor ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：700mA
功率 - 最大值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-70-6
料号：JTG10-86
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDG6335N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Fairchild Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6335N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6335N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6335N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SI3590DV-T1-E3
品牌： Vishay Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：2.5A，1.7A
功率 - 最大值：830mW
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：6-TSOP
料号：JTG10-87
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI3590DV-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI3590DV-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI3590DV-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI3590DV-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NTHD3100CT1G
品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.9A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：2.9A，3.2A
功率 - 最大值：1.1W
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：CHIPFET™
料号：JTG10-88
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTHD3100CT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ON Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTHD3100CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTHD3100CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTHD3100CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FDS9926A
品牌： Fairchild Semiconductor ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.9A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 10V *功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：6.5A
功率 - 最大值：900mW
外壳：8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）
封装：8-SO
料号：JTG10-89
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDS9926A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Fairchild Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS9926A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS9926A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS9926A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CMSBN6601-HF
品牌： Comchip Technology Comchip 典琦科技
描述： MOSFET DUAL N-CH 20VDS 12VGS 13A
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.9A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 10V *功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:13A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：13A（Ta）
功率 - 最大值：2W（Ta）
外壳：6-SMD，无引线
封装：CSPB2718-6
料号：JTG10-3775
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSBN6601-HF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip Technology' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSBN6601-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSBN6601-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSBN6601-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： US6M2TR
品牌： Rohm Semiconductor Rohm 罗姆半导体
描述： MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.9A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 10V *功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:13A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A，1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：30V，20V
电流 - 连续漏极（id）：1.5A，1A
功率 - 最大值：1W
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：TUMT6
料号：JTG10-90
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'US6M2TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Rohm Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'US6M2TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'US6M2TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'US6M2TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI9933CDY-T1-GE3
品牌： Vishay Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.9A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 10V *功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:13A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A，1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：4A
功率 - 最大值：3.1W
外壳：8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）
封装：8-SO
料号：JTG10-91
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI9933CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9933CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9933CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9933CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SIA975DJ-T1-GE3
品牌： Vishay Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.9A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 10V *功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:13A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A，1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：12V
电流 - 连续漏极（id）：4.5A
功率 - 最大值：7.8W
外壳：POWERPAK® SC-70-6 双
封装：POWERPAK® SC-70-6 双
料号：JTG10-92
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIA975DJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA975DJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA975DJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA975DJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4882
品牌： Alpha Omega Semi AOS 万代
描述： MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.9A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 10V *功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:13A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A，1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极（id）：8A
功率 - 最大值：2W
外壳：8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）
封装：8-SOIC
料号：JTG10-93
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4882' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Alpha Omega Semi' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4882' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4882' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4882' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SH8K39GZETB
品牌： Rohm Semiconductor Rohm 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K39
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.9A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 10V *功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:13A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A，1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：8A（Ta）
功率 - 最大值：1.4W（Ta）
外壳：8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）
封装：8-SOP
料号：JTG10-3655
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SH8K39GZETB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Rohm Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SH8K39GZETB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SH8K39GZETB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SH8K39GZETB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： FDMA1024NZ
品牌： Fairchild Semiconductor ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.9A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 10V *功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:13A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A，1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:54 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：5A
功率 - 最大值：700mW
外壳：6-WDFN 裸露焊盘
封装：6-MICROFET（2X2）
料号：JTG10-94
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMA1024NZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FDMA1032CZ
品牌： Fairchild Semiconductor ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.9A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 10V *功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:13A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A，1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:54 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:68 毫欧 @ 3.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 10V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：3.7A，3.1A
功率 - 最大值：700mW
外壳：6-WDFN 裸露焊盘
封装：6-MICROFET（2X2）
料号：JTG10-95
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDMA1032CZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Fairchild Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMA1032CZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMA1032CZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMA1032CZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI6954ADQ-T1-GE3
品牌： Vishay Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.9A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 10V *功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:13A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A，1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:54 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:68 毫欧 @ 3.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 10V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:53 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：3.1A
功率 - 最大值：830mW
外壳：8-TSSOP（4.40mm 宽）
封装：8-TSSOP
料号：JTG10-96
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI6954ADQ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI6954ADQ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： AO4612
品牌： Alpha Omega Semi AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
参数： *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 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连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:54 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:68 毫欧 @ 3.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 10V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:53 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：4.5A，3.2A
功率 - 最大值：2W
外壳：8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）
封装：8-SOIC
料号：JTG10-97
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4612' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Alpha Omega Semi' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4612' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4612' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4612' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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