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封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格 | 购买数量/库存 | 操作 |
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封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格(含税) | 购买数量/库存 | 操作 |
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状态:
在售
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描述:
SOP8;2个N—Channel沟道,30V;13.5A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
封装:SOP8
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fet 类型:
fet 功能:
漏源极电压(vdss):
电流 - 连续漏极(id):
功率 - 最大值:
|
select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
丝印:
料号:JTG10-5279
包装:
4000个/
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原厂入驻
10+:¥1.7640
1000+:¥1.6905
2000+:¥1.5729
4000+:¥1.5656
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
现货:10K+
最小起订:
个
总额:
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SELECT `gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG4800LSD-13-VB' ) AND ( a.sprice_1 > 0 ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') OR (`Gsxx_sx` = '授权代理商') ) LIMIT 1
24小时发货
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string(1) "1"
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string(5) "10000"
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string(3) "370"
["gys_zq"]=>
string(6) "1-3天"
}
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状态:
在售
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描述:
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
封装:8-SOP
外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM)
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fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:逻辑电平门
漏源极电压(vdss):30V
电流 - 连续漏极(id):7.5A
功率 - 最大值:1.17W
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select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
丝印:
料号:JTG10-69
资料:规格书/封装库
包装:
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10+:¥1.7640
750+:¥1.6905
1500+:¥1.5729
3000+:¥1.5656
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
现货:有货
最小起订:
个
总额:
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SELECT `gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG4800LSD-13' ) AND ( a.sprice_1 > 0 ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') OR (`Gsxx_sx` = '授权代理商') ) LIMIT 1
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