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| 封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格 | 购买数量/库存 | 操作 |
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| 封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格(含税) | 购买数量/库存 | 操作 |
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状态：
在售
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描述：
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
封装：TSOT-26
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：3.8A，2.5A
功率 - 最大值：850mW
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SELECT `gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG6601LVT-7' ) AND ( a.sprice_1 > 0 ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') OR (`Gsxx_sx` = '授权代理商') ) LIMIT 1
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