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DMN5L06DWK-7-01数据手册

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DMN5L06DWK-7数据手册

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: DMN5L06DWK-7-01复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363
封装:SOT-363 外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):50V
电流 - 连续漏极(id):305mA(Ta)
功率 - 最大值:250mW(Ta)
select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
丝印:(请登录)
料号:JTG10-3833
包装:
10+:1.2000
750+:1.1500
1500+:1.0700
3000+:1.0650
现货:有货
最小起订:
总额:
SELECT `gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN5L06DWK-7-01' ) AND ( a.sprice_1 > 0 ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') OR (`Gsxx_sx` = '授权代理商') ) LIMIT 1
状态: 在售
型号: DMN5L06DWK-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
封装:SOT-363 外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:逻辑电平门
漏源极电压(vdss):50V
电流 - 连续漏极(id):305mA
功率 - 最大值:250mW
select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
丝印:(请登录)
料号:JTG10-38
包装:
10+:1.2000
750+:1.1500
1500+:1.0700
3000+:1.0650
现货:有货
最小起订:
总额:
SELECT `gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN5L06DWK-7' ) AND ( a.sprice_1 > 0 ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') OR (`Gsxx_sx` = '授权代理商') ) LIMIT 1
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