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封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格 | 购买数量/库存 | 操作 |
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封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格(含税) | 购买数量/库存 | 操作 |
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状态:
在售
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描述:
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
封装:8-SOIC
外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM)
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fet 类型:3 N 沟道,共栅
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):600V
电流 - 连续漏极(id):80mA
功率 - 最大值:1.3W
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select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
丝印:
料号:JTG10-1556
资料:规格书/封装库
包装:
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10+:¥4.6080
750+:¥4.4160
1500+:¥4.1088
3000+:¥4.0896
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SELECT `gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LN60A01ES-LF-Z' ) AND ( a.sprice_1 > 0 ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') OR (`Gsxx_sx` = '授权代理商') ) LIMIT 1
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