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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: DS1250Y-70复制
品牌: Maxim Integrated复制 Maxim 美信
描述: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
封装: 外壳:32-EDIP
存储器类型:非易失
存储器格式:NVSRAM
存储容量:4Mb (512K x 8)
电压 - 电源:0°C ~ 70°C(TA)
select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_ccq'
类别: 存储器
丝印:
料号:C1-28229
包装: 管件
现货:0
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状态: 在售
型号: DS1250Y-70+复制
品牌: Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
封装:32-EDIP 外壳:32-DIP 模块(0.600",15.24mm)
存储器类型:非易失
存储器格式:NVSRAM
存储容量:4Mb(512K x 8)
电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V
select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_ccq'
类别: 存储器
丝印:
料号:C1-15659
包装: 11个/ 管件
10+:1099.3800
50+:1053.5725
100+:980.2805
11+:975.6998
现货:0
最小起订:
总额:
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状态: 在售
型号: DS1250Y-70IND复制
品牌: Maxim Integrated复制 Maxim 美信
描述: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
封装: 外壳:32-EDIP
存储器类型:非易失
存储器格式:NVSRAM
存储容量:4Mb (512K x 8)
电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA)
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类别: 存储器
丝印:
料号:C1-28230
包装: 管件
10+:1099.3800
750+:1053.5725
1500+:980.2805
3000+:975.6998
现货:0
最小起订:
总额:
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状态: 在售
型号: DS1250Y-70IND+复制
品牌: Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
封装:32-EDIP 外壳:32-DIP 模块(0.600",15.24mm)
存储器类型:非易失
存储器格式:NVSRAM
存储容量:4Mb(512K x 8)
电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V
select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_ccq'
类别: 存储器
丝印:
料号:C1-15660
包装: 11个/ 管件
10+:1099.3800
50+:1053.5725
100+:980.2805
11+:975.6998
现货:0
最小起订:
总额:
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