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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 亚德诺(美信)

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌: Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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替代:
驱动配置:低端
通道类型:独立式
驱动器数:2
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电压 - 电源:4.5V ~ 18V
输入类型:反相,非反相
丝印:
外壳:
封装:8-SOIC
料号:P4-1102
包装: 2500个/ 卷带(TR)
参考价格:20.938900
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替代:
驱动配置:低端
通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET
电压 - 电源:4.5V ~ 18V
输入类型:反相
丝印:
外壳:
封装:8-SOIC
料号:P4-1105
包装: 2500个/ 卷带(TR)
参考价格:20.938900
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输入类型:非反相
丝印:
外壳:
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替代:
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驱动器数:4
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电压 - 电源:4.5V ~ 28V
输入类型:非反相
丝印:
外壳:
封装:20-TQFN(4x4)
料号:P4-1135
包装: 2500个/ 卷带(TR)
参考价格:20.938900
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丝印:
外壳:
封装:SOT-6
料号:P4-1140
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参考价格:20.938900
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描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
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丝印:
外壳:
封装:8-SOIC
料号:P4-1149
包装: 100个/ 管件
参考价格:20.938900
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外壳:
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参考价格:20.938900
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丝印:
外壳:
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料号:P4-1164
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描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 10TDFN
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型号: MAX5056BASA+T复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAX5056BASA+T' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAX5056BASA+T' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数: *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 28V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):16ns,14ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V,2.1V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):32ns,26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.3A,7.6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):82ns,12.5ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.3A,7.6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):82ns,12.5ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,25ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 15V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,3A *输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):175 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):175 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):175 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 28V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):42ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V,2.1V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):32ns,26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
驱动配置:低端
通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:N 沟道 MOSFET
电压 - 电源:4V ~ 15V
输入类型:非反相
丝印:
外壳:
封装:8-SOIC
料号:P4-1175
包装: 2500个/ 卷带(TR)
参考价格:20.938900
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