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描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数:
*驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型
|
驱动配置:低端
通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET
电压 - 电源:4.5V ~ 18V
输入类型:反相,非反相
|
丝印:
外壳:
封装:8-SOIC
料号:P4-1102
包装:
2500个/
卷带(TR)
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX628CSA+T' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述:
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
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描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数:
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驱动配置:低端
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栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET
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描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数:
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|
驱动配置:低端
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输入类型:反相
|
丝印:
外壳:
封装:8-SOIC
料号:P4-1105
包装:
2500个/
卷带(TR)
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
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描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数:
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描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数:
*驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型
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驱动配置:低端
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描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数:
*驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
|
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通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:N 沟道 MOSFET
电压 - 电源:8V ~ 12.6V
输入类型:非反相
|
丝印:
外壳:
封装:8-SOIC
料号:P4-1121
包装:
100个/
管件
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5062AASA+' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数:
*驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
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驱动配置:半桥
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丝印:
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|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
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型号: MAX628ESA+复制
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IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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|
丝印:
外壳:
封装:8-SOIC
料号:P4-1125
包装:
100个/
管件
|
|
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描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20TQFN
参数:
*驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 28V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):16ns,14ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
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驱动配置:半桥
通道类型:同步
驱动器数:4
栅极类型:N 沟道 MOSFET
电压 - 电源:4.5V ~ 28V
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IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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丝印:
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封装:8-SOIC-EP
料号:P4-1137
包装:
100个/
管件
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描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
参数:
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驱动配置:低端
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料号:P4-1140
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卷带(TR)
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
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IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
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驱动配置:低端
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|
丝印:
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料号:P4-1141
包装:
2500个/
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描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数:
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驱动配置:低端
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丝印:
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
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IC GATE DRVR LOW-SIDE 8UMAX
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|
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料号:P4-1158
包装:
2500个/
卷带
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描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数:
*驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 28V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):16ns,14ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V,2.1V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):32ns,26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.3A,7.6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):82ns,12.5ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.3A,7.6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):82ns,12.5ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,25ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 15V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,3A *输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):175 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
|
驱动配置:半桥
通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:N 沟道 MOSFET
电压 - 电源:8V ~ 12.6V
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料号:P4-1162
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
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描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数:
*驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 28V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):16ns,14ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V,2.1V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):32ns,26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.3A,7.6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):82ns,12.5ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.3A,7.6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):82ns,12.5ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,25ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 15V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,3A *输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):175 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):175 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
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|
丝印:
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料号:P4-1163
包装:
2500个/
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
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描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数:
*驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 28V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):16ns,14ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V,2.1V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):32ns,26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.3A,7.6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):82ns,12.5ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.3A,7.6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):82ns,12.5ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,25ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 15V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,3A *输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):175 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):175 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):175 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
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驱动配置:半桥
通道类型:独立式
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栅极类型:N 沟道 MOSFET
电压 - 电源:8V ~ 12.6V
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外壳:
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2500个/
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
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型号: MAX15025AATB+T复制
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描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 10TDFN
参数:
*驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 28V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):16ns,14ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V,2.1V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):32ns,26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.3A,7.6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):82ns,12.5ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.3A,7.6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):82ns,12.5ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,25ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 15V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,3A *输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):175 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):175 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):175 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 28V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):42ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
|
驱动配置:低端
通道类型:独立式
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栅极类型:N 沟道 MOSFET
电压 - 电源:4.5V ~ 28V
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|
丝印:
外壳:
封装:10-TDFN(3x3)
料号:P4-1173
包装:
2500个/
卷带
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX15025AATB+T' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MAX5056BASA+T复制
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IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数:
*驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):125 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 28V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):16ns,14ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V,2.1V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):32ns,26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.3A,7.6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):82ns,12.5ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.3A,7.6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):82ns,12.5ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):25ns,25ns 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 15V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,3A *输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):175 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):175 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):175 V 上升/下降时间(典型值):65ns,65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 28V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):42ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V,2.1V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):32ns,26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
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驱动配置:低端
通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:N 沟道 MOSFET
电压 - 电源:4V ~ 15V
输入类型:非反相
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丝印:
外壳:
封装:8-SOIC
料号:P4-1175
包装:
2500个/
卷带(TR)
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