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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 亚德诺(美信)

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌： Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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替代：
驱动配置：低端
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4V ~ 15V
输入类型：反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC-EP
料号：P4-1176
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥29.346100
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可供数量:咨询
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品牌： Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2.1V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:32ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2.1V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:32ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4V ~ 15V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC-EP
料号：P4-1177
包装： 2500个/ 卷带（TR）
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描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 10TDFN
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替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
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电压 - 电源：4.5V ~ 28V
输入类型：反相，非反相
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封装：10-TDFN（3x3）
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品牌： Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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替代：
驱动配置：低端
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4V ~ 15V
输入类型：反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-1188
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥29.346100
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描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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品牌： Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：8V ~ 12.6V
输入类型：反相，非反相
丝印：
外壳：
封装：12-TQFN（4x4）
料号：P4-1276
包装： 2500个/ 卷带
参考价格:￥29.346100
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输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-1296
包装： 2500个/ 卷带（TR）
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驱动配置：半桥
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驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：8V ~ 12.6V
输入类型：反相，非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC-EP
料号：P4-1308
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥29.346100
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可供数量:咨询
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品牌： Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8TQFN
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栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.2V ~ 5.5V
输入类型：非反相
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封装：8-TQFN（3x3）
料号：P4-1674
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参考价格:￥29.346100
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
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栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 6.5V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：10-TDFN（3x3）
料号：P4-2100
包装： 2500个/ 卷带
参考价格:￥29.346100
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可供数量:咨询
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描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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料号：P4-2315
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丝印：
外壳：
封装：8-PDIP
料号：P4-2316
包装： 1个/ 管件
参考价格:￥29.346100
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替代：
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通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 18V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-2318
包装： 1个/ 管件
参考价格:￥29.346100
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描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
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型号： MAX4420ESA复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAX4420ESA' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAX4420ESA' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2.1V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:32ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2.1V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:32ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 28V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，8A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:22ns，16ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2.1V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:32ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2.1V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:32ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:125 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:125 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:125 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:125 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.2V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.2A，2.7A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，8ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，3A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:125 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.2V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.2A，2.7A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，8ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 6.5V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:14ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:- *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 17V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:0°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:- *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 17V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:0°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *驱动配置:- *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 17V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:0°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 18V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-2320
包装： 100个/ 管件
参考价格:￥29.346100
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX4420ESA' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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