辰科物联

https://www.chenkeiot.com/

当前位置 :首页 >晶体管 > 晶体管 - JFET
制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 电压 - 击穿(v(br)gss) 漏源极电压(vdss) 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss) 漏极电流(id) - 最大值 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关) 电阻 - rds(开) 不同 vds 时的输入电容(ciss) 安装类型 包装
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
共 649 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt 2SK596S-C
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor SC-72 3-SPA
描述:JFET N-CH 0.1W *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):N 通道 *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):210µA @ 5V 漏极电流(id) - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):4.1pF @ 5V *电阻 - rds(开):4.1pF @ 5V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt TF202THC-L5-TL-H
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor 3-SMD,扁平引线 VTFP
描述:JFET N-CH 1MA 100MW *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):N 通道 *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):210µA @ 5V 漏极电流(id) - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):3.5pF @ 5V *电阻 - rds(开):3.5pF @ 5V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD,扁平引线 供应商器件封装:VTFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt TF252TH-4A-TL-H
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor 3-SMD,扁平引线 VTFP
描述:JFET N-CH 1MA 100MW *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):N 通道 *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流(id) - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):3.1pF @ 2V *电阻 - rds(开):3.1pF @ 2V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD,扁平引线 供应商器件封装:VTFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt TF262TH-4-TL-H
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor 3-SMD,扁平引线 VTFP
描述:JFET N-CH 1MA 100MW *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):N 通道 *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流(id) - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):3.5pF @ 2V *电阻 - rds(开):3.5pF @ 2V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD,扁平引线 供应商器件封装:VTFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt TF262TH-5-TL-H
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor 3-SMD,扁平引线 VTFP
描述:JFET N-CH 1MA 100MW *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):N 通道 *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):210µA @ 2V 漏极电流(id) - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):3.5pF @ 2V *电阻 - rds(开):3.5pF @ 2V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD,扁平引线 供应商器件封装:VTFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt J203-18
*
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Central Semiconductor Corp
描述:JFET N-CH TO-92 *fet 类型:- *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):- 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:* 数量: 每包的数量:1
J113-D74Z
10+: 4.1765 100+: 4.1019 1000+: 4.0646 3000+: 3.9527
我要买
ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-92-3
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):35V *漏源极电压(vdss):35V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):100 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
J111-D26Z
10+: 4.2777 100+: 4.2013 1000+: 4.1631 3000+: 4.0486
我要买
ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-92-3
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):35V *漏源极电压(vdss):35V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):30 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
J112-D26Z
10+: 4.8852 100+: 4.7980 1000+: 4.7544 3000+: 4.6235
我要买
ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-92-3
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):35V *漏源极电压(vdss):35V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):50 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
J176-D74Z
带盒(TB)
10+: 0.1519 100+: 0.1492 1000+: 0.1478 3000+: 0.1437
我要买
ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-92-3
描述:JFET P-CH 30V 0.35W TO92 *fet 类型:P 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):250 Ohms *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:带盒(TB) 数量: 每包的数量:1
J175-D26Z
10+: 4.7840 100+: 4.6985 1000+: 4.6558 3000+: 4.5277
我要买
ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-92-3
描述:JFET P-CH 30V 0.35W TO92 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):125 Ohms *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
J109-D26Z
10+: 4.0752 100+: 4.0025 1000+: 3.9661 3000+: 3.8569
我要买
ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-92-3
描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):25V *漏源极电压(vdss):25V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):40mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):12 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
JANTX2N4859
10+: 134.7864 100+: 132.3795 1000+: 131.1761 3000+: 127.5657
我要买
Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18
描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:175mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V(VGS) *电阻 - rds(开):25 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
JANTX2N4091
10+: 686.5374 100+: 674.2778 1000+: 668.1480 3000+: 649.7586
我要买
Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18
描述:JFET N-CH 40V 360MW TO-18 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):40V *漏源极电压(vdss):40V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):30mA @ 20V 漏极电流(id) - 最大值:30mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):30mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):16pF @ 20V *电阻 - rds(开):30 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
JANTX2N4092
散装
10+: 105.1587 100+: 103.2809 1000+: 102.3420 3000+: 99.5252
我要买
Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18
描述:JFET N-CH 40V 360MW TO-18 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):40V *漏源极电压(vdss):40V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):16pF @ 20V *电阻 - rds(开):50 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1
JANTX2N4092UB
10+: 1190.4234 100+: 1169.1658 1000+: 1158.5370 3000+: 1126.6507
我要买
Microsemi Corporation 4-SMD,无引线 4-SMD
描述:JFET N-CH 40V 0.36W SMD *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):40V *漏源极电压(vdss):40V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流(id) - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):16pF @ 20V *电阻 - rds(开):50 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:4-SMD,无引线 供应商器件封装:4-SMD 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
JANTX2N4093UB
10+: 1231.9857 100+: 1209.9859 1000+: 1198.9860 3000+: 1165.9864
我要买
Microsemi Corporation 3-SMD,无引线 UB
描述:JFET N-CH 40V 0.36W SMD *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):40V *漏源极电压(vdss):40V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流(id) - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):16pF @ 20V *电阻 - rds(开):80 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD,无引线 供应商器件封装:UB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
JANTX2N4416AUB
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
我要买
Microsemi Corporation 4-SMD,无引线 4-SMD
描述:JFET N-CH 35V 0.3W 4SMD *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):35V *漏源极电压(vdss):35V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):4pF @ 15V *电阻 - rds(开):4pF @ 15V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:4-SMD,无引线 供应商器件封装:4-SMD 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
JANTX2N4856UB
散装
10+: 152.6060 100+: 149.8809 1000+: 148.5184 3000+: 144.4307
我要买
Microsemi Corporation 3-SMD,无引线 UB
描述:JFET N-CH 40V 0.36W SMD *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):40V *漏源极电压(vdss):40V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V(VGS) *电阻 - rds(开):25 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,无引线 供应商器件封装:UB 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1
J111-D74Z
10+: 3.7715 100+: 3.7041 1000+: 3.6705 3000+: 3.5694
我要买
ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-92-3
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):35V *漏源极电压(vdss):35V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):30 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
J112-D74Z
带盒(TB)
10+: 0.1139 100+: 0.1119 1000+: 0.1109 3000+: 0.1078
我要买
ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-92-3
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):35V *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):50 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:带盒(TB) 数量: 每包的数量:1
J112-D27Z
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-92-3
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):35V *漏源极电压(vdss):35V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):50 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSVJ2394SA3T1G
10+: 2.2907 100+: 2.2498 1000+: 2.2294 3000+: 2.1680
我要买
ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SC-59-3/CP3
描述:IC JFET N-CH LNA SC59-3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):15V *漏源极电压(vdss):15V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):32mA @ 5V 漏极电流(id) - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):700mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):10pF @ 5V *电阻 - rds(开):10pF @ 5V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59-3/CP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSVJ3910SB3T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3-CPH
描述:IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):25V *漏源极电压(vdss):25V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流(id) - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):6pF @ 5V *电阻 - rds(开):6pF @ 5V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N4859A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Central Semiconductor Corp TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18
描述:JFET N-CH 30V 50MA 360MW TO18 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:250pA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容(ciss):10pF @ 10V(VGS) *电阻 - rds(开):25 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
  共有649个记录    每页显示25条,本页526-550条    22/26页    首 页    上一页   18  19  20  21  22  23  24  25  26   下一页    尾 页      
复制成功

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922