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辰科物联
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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
2SK596S-C
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SC-72 | 3-SPA |
描述:JFET N-CH 0.1W
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):N 通道
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):210µA @ 5V
漏极电流(id) - 最大值:1mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):4.1pF @ 5V
*电阻 - rds(开):4.1pF @ 5V
*功率 - 最大值:100mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:SC-72
供应商器件封装:3-SPA
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
TF202THC-L5-TL-H
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 3-SMD,扁平引线 | VTFP |
描述:JFET N-CH 1MA 100MW
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):N 通道
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):210µA @ 5V
漏极电流(id) - 最大值:1mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):200mV @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):3.5pF @ 5V
*电阻 - rds(开):3.5pF @ 5V
*功率 - 最大值:100mW
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:3-SMD,扁平引线
供应商器件封装:VTFP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
TF252TH-4A-TL-H
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 3-SMD,扁平引线 | VTFP |
描述:JFET N-CH 1MA 100MW
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):N 通道
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):140µA @ 2V
漏极电流(id) - 最大值:1mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):100mV @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):3.1pF @ 2V
*电阻 - rds(开):3.1pF @ 2V
*功率 - 最大值:100mW
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:3-SMD,扁平引线
供应商器件封装:VTFP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
TF262TH-4-TL-H
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 3-SMD,扁平引线 | VTFP |
描述:JFET N-CH 1MA 100MW
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):N 通道
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):140µA @ 2V
漏极电流(id) - 最大值:1mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):200mV @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):3.5pF @ 2V
*电阻 - rds(开):3.5pF @ 2V
*功率 - 最大值:100mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:3-SMD,扁平引线
供应商器件封装:VTFP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
TF262TH-5-TL-H
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 3-SMD,扁平引线 | VTFP |
描述:JFET N-CH 1MA 100MW
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):N 通道
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):210µA @ 2V
漏极电流(id) - 最大值:1mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):200mV @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):3.5pF @ 2V
*电阻 - rds(开):3.5pF @ 2V
*功率 - 最大值:100mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:3-SMD,扁平引线
供应商器件封装:VTFP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
J203-18
Datasheet 规格书
ROHS
*
|
Central Semiconductor Corp |
描述:JFET N-CH TO-92
*fet 类型:-
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):-
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:*
数量:
每包的数量:1
|
|||
J113-D74Z
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):35V
*漏源极电压(vdss):35V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:2mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):100 Ohms
*功率 - 最大值:625mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
J111-D26Z
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):35V
*漏源极电压(vdss):35V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:20mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):30 Ohms
*功率 - 最大值:625mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
J112-D26Z
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):35V
*漏源极电压(vdss):35V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:5mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):50 Ohms
*功率 - 最大值:625mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
J176-D74Z
Datasheet 规格书
ROHS
带盒(TB)
|
ON Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:JFET P-CH 30V 0.35W TO92
*fet 类型:P 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):250 Ohms
*功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:带盒(TB)
数量:
每包的数量:1
|
|
J175-D26Z
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:JFET P-CH 30V 0.35W TO92
*fet 类型:P 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):7mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:7mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):125 Ohms
*功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
J109-D26Z
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):25V
*漏源极电压(vdss):25V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):40mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:40mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):2V @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):12 Ohms
*功率 - 最大值:625mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
JANTX2N4859
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-18 |
描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):175mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:175mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):10V @ 500pA
不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V(VGS)
*电阻 - rds(开):25 Ohms
*功率 - 最大值:360mW
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
JANTX2N4091
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-18 |
描述:JFET N-CH 40V 360MW TO-18
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):40V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):30mA @ 20V
漏极电流(id) - 最大值:30mA @ 20V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):30mA @ 20V
不同 vds 时的输入电容(ciss):16pF @ 20V
*电阻 - rds(开):30 Ohms
*功率 - 最大值:360mW
工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
JANTX2N4092
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Microsemi Corporation | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-18 |
描述:JFET N-CH 40V 360MW TO-18
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):40V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):15mA @ 20V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):16pF @ 20V
*电阻 - rds(开):50 Ohms
*功率 - 最大值:360mW
工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
JANTX2N4092UB
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | 4-SMD,无引线 | 4-SMD |
描述:JFET N-CH 40V 0.36W SMD
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):40V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):15mA @ 20V
漏极电流(id) - 最大值:15mA @ 20V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):15mA @ 20V
不同 vds 时的输入电容(ciss):16pF @ 20V
*电阻 - rds(开):50 Ohms
*功率 - 最大值:360mW
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:4-SMD,无引线
供应商器件封装:4-SMD
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
JANTX2N4093UB
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | 3-SMD,无引线 | UB |
描述:JFET N-CH 40V 0.36W SMD
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):40V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):8mA @ 20V
漏极电流(id) - 最大值:8mA @ 20V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):8mA @ 20V
不同 vds 时的输入电容(ciss):16pF @ 20V
*电阻 - rds(开):80 Ohms
*功率 - 最大值:360mW
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:3-SMD,无引线
供应商器件封装:UB
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
JANTX2N4416AUB
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | 4-SMD,无引线 | 4-SMD |
描述:JFET N-CH 35V 0.3W 4SMD
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):35V
*漏源极电压(vdss):35V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):15mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:15mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):6V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):4pF @ 15V
*电阻 - rds(开):4pF @ 15V
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:4-SMD,无引线
供应商器件封装:4-SMD
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
JANTX2N4856UB
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Microsemi Corporation | 3-SMD,无引线 | UB |
描述:JFET N-CH 40V 0.36W SMD
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):40V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):175mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):10V @ 500pA
不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V(VGS)
*电阻 - rds(开):25 Ohms
*功率 - 最大值:360mW
工作温度:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-SMD,无引线
供应商器件封装:UB
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
J111-D74Z
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):35V
*漏源极电压(vdss):35V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:20mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):30 Ohms
*功率 - 最大值:625mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
J112-D74Z
Datasheet 规格书
ROHS
带盒(TB)
|
ON Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):35V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):50 Ohms
*功率 - 最大值:625mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:带盒(TB)
数量:
每包的数量:1
|
|
J112-D27Z
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):35V
*漏源极电压(vdss):35V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:5mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):50 Ohms
*功率 - 最大值:625mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSVJ2394SA3T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SC-59-3/CP3 |
描述:IC JFET N-CH LNA SC59-3
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):15V
*漏源极电压(vdss):15V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):32mA @ 5V
漏极电流(id) - 最大值:50mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):700mV @ 100µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):10pF @ 5V
*电阻 - rds(开):10pF @ 5V
*功率 - 最大值:200mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SC-59-3/CP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSVJ3910SB3T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 3-CPH |
描述:IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):25V
*漏源极电压(vdss):25V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 5V
漏极电流(id) - 最大值:50mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):600mV @ 100µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):6pF @ 5V
*电阻 - rds(开):6pF @ 5V
*功率 - 最大值:400mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:3-CPH
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4859A
Datasheet 规格书
ROHS
|
Central Semiconductor Corp | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-18 |
描述:JFET N-CH 30V 50MA 360MW TO18
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):50mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:250pA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):10V @ 500pA
不同 vds 时的输入电容(ciss):10pF @ 10V(VGS)
*电阻 - rds(开):25 Ohms
*功率 - 最大值:360mW
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|