描述:JFET N-CH 0.1W *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:N 通道 *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:210µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *电阻 - rds（开）:4.1pF @ 5V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:JFET N-CH 1MA 100MW *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:N 通道 *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:210µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *电阻 - rds（开）:3.5pF @ 5V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD，扁平引线 供应商器件封装:VTFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:JFET N-CH 1MA 100MW *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:N 通道 *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *电阻 - rds（开）:3.1pF @ 2V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD，扁平引线 供应商器件封装:VTFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:JFET N-CH 1MA 100MW *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:N 通道 *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 2V *电阻 - rds（开）:3.5pF @ 2V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD，扁平引线 供应商器件封装:VTFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:JFET N-CH 1MA 100MW *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:N 通道 *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:210µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 2V *电阻 - rds（开）:3.5pF @ 2V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD，扁平引线 供应商器件封装:VTFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:JFET N-CH TO-92 *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:* 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:35V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:100 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:35V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:30 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:35V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:50 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET P-CH 30V 0.35W TO92 *fet 类型:P 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:250 Ohms *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:带盒（TB） 数量: 每包的数量:1

描述:JFET P-CH 30V 0.35W TO92 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:125 Ohms *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:40mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:12 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:175mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *电阻 - rds（开）:25 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 360MW TO-18 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:30mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:30mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *电阻 - rds（开）:30 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 360MW TO-18 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *电阻 - rds（开）:50 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 0.36W SMD *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *电阻 - rds（开）:50 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:4-SMD，无引线 供应商器件封装:4-SMD 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 0.36W SMD *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *电阻 - rds（开）:80 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD，无引线 供应商器件封装:UB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 35V 0.3W 4SMD *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:35V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *电阻 - rds（开）:4pF @ 15V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:4-SMD，无引线 供应商器件封装:4-SMD 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 0.36W SMD *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *电阻 - rds（开）:25 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD，无引线 供应商器件封装:UB 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:35V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:30 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:50 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:带盒（TB） 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:35V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:50 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IC JFET N-CH LNA SC59-3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:15V *漏源极电压（vdss）:15V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:32mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:700mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *电阻 - rds（开）:10pF @ 5V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59-3/CP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *电阻 - rds（开）:6pF @ 5V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 30V 50MA 360MW TO18 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:250pA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 10V（VGS） *电阻 - rds（开）:25 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1