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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 电压 - 击穿(v(br)gss) 漏源极电压(vdss) 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss) 漏极电流(id) - 最大值 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关) 电阻 - rds(开) 不同 vds 时的输入电容(ciss) 安装类型 包装
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共 649 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
JANTX2N4857
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18
描述:JFET N-CH 40V 360MW TO-18 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):40V *漏源极电压(vdss):40V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:100mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V(VGS) *电阻 - rds(开):40 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N3822
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-206AF,TO-72-4 金属罐 TO-72
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):50V *漏源极电压(vdss):50V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容(ciss):6pF @ 15V *电阻 - rds(开):6pF @ 15V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-72 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N4093
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):40V *漏源极电压(vdss):40V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流(id) - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):16pF @ 20V *电阻 - rds(开):80 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N5114UB
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation 3-SMD,无引线 UB
描述:P CHANNEL JFET *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):90mA @ 18V 漏极电流(id) - 最大值:90mA @ 18V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):10V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):25pF @ 15V *电阻 - rds(开):75 Ohms *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD,无引线 供应商器件封装:UB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N5116UB
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation 3-SMD,无引线 UB
描述:P CHANNEL JFET *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):25mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:25mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):27pF @ 15V *电阻 - rds(开):175 Ohms *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD,无引线 供应商器件封装:UB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MV2N4092
散装
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18(TO-206AA)
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):40V *漏源极电压(vdss):40V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):16pF @ 20V *电阻 - rds(开):50 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18(TO-206AA) 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1
MV2N4391
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):- 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MV2N4391UB
10+: 667.6546 100+: 655.7322 1000+: 649.7710 3000+: 631.8874
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Microsemi Corporation
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):- 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MV2N4392
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):- 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MV2N4392UB
10+: 667.6546 100+: 655.7322 1000+: 649.7710 3000+: 631.8874
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Microsemi Corporation
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):- 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MV2N4393
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):- 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MV2N4393UB
10+: 667.6546 100+: 655.7322 1000+: 649.7710 3000+: 631.8874
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Microsemi Corporation
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):- 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MV2N4856
散装
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18(TO-206AA)
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):40V *漏源极电压(vdss):40V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V *电阻 - rds(开):25 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18(TO-206AA) 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1
MV2N4856UB
10+: 689.8279 100+: 677.5096 1000+: 671.3504 3000+: 652.8729
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Microsemi Corporation
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):- 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MV2N4857
散装
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18(TO-206AA)
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):40V *漏源极电压(vdss):40V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V *电阻 - rds(开):40 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18(TO-206AA) 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1
MV2N4857UB
10+: 689.8279 100+: 677.5096 1000+: 671.3504 3000+: 652.8729
我要买
Microsemi Corporation
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):- 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MV2N4858
散装
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18(TO-206AA)
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):40V *漏源极电压(vdss):40V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V *电阻 - rds(开):60 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18(TO-206AA) 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1
MV2N4858UB
10+: 689.8279 100+: 677.5096 1000+: 671.3504 3000+: 652.8729
我要买
Microsemi Corporation
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):- 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MV2N4859
散装
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18(TO-206AA)
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V *电阻 - rds(开):25 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18(TO-206AA) 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1
MV2N4859UB
10+: 689.8279 100+: 677.5096 1000+: 671.3504 3000+: 652.8729
我要买
Microsemi Corporation
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):- 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MV2N4860
散装
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V *电阻 - rds(开):40 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1
MV2N4860UB
10+: 689.8279 100+: 677.5096 1000+: 671.3504 3000+: 652.8729
我要买
Microsemi Corporation
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):- 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MV2N4861
散装
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18(TO-206AA)
描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V *电阻 - rds(开):60 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18(TO-206AA) 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1
MV2N5114
散装
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18(TO-206AA)
描述:P CHANNEL JFET *fet 类型:P 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):90mA @ 18V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):10V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):25pF @ 15V *电阻 - rds(开):75 Ohms *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18(TO-206AA) 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1
MV2N5116
10+: 665.0475 100+: 653.1716 1000+: 647.2337 3000+: 629.4199
我要买
Microsemi Corporation TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18(TO-206AA)
描述:P CHANNEL JFET *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):25mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:25mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):27pF @ 15V *电阻 - rds(开):100 Ohms *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18(TO-206AA) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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