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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
JANTX2N4857
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-18 |
描述:JFET N-CH 40V 360MW TO-18
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):40V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):100mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:100mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):6V @ 500pA
不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V(VGS)
*电阻 - rds(开):40 Ohms
*功率 - 最大值:360mW
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2N3822
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | TO-206AF,TO-72-4 金属罐 | TO-72 |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):50V
*漏源极电压(vdss):50V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):10mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:10mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):6V @ 500pA
不同 vds 时的输入电容(ciss):6pF @ 15V
*电阻 - rds(开):6pF @ 15V
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐
供应商器件封装:TO-72
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4093
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-18 |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):40V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):8mA @ 20V
漏极电流(id) - 最大值:8mA @ 20V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):8mA @ 20V
不同 vds 时的输入电容(ciss):16pF @ 20V
*电阻 - rds(开):80 Ohms
*功率 - 最大值:360mW
工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2N5114UB
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | 3-SMD,无引线 | UB |
描述:P CHANNEL JFET
*fet 类型:P 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):90mA @ 18V
漏极电流(id) - 最大值:90mA @ 18V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):10V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):25pF @ 15V
*电阻 - rds(开):75 Ohms
*功率 - 最大值:500mW
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:3-SMD,无引线
供应商器件封装:UB
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2N5116UB
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | 3-SMD,无引线 | UB |
描述:P CHANNEL JFET
*fet 类型:P 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):25mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:25mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):4V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):27pF @ 15V
*电阻 - rds(开):175 Ohms
*功率 - 最大值:500mW
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:3-SMD,无引线
供应商器件封装:UB
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MV2N4092
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Microsemi Corporation | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-18(TO-206AA) |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):40V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):15mA @ 20V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):16pF @ 20V
*电阻 - rds(开):50 Ohms
*功率 - 最大值:360mW
工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18(TO-206AA)
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
MV2N4391
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:-
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):-
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|||
MV2N4391UB
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:-
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):-
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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MV2N4392
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:-
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):-
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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MV2N4392UB
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:-
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):-
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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MV2N4393
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:-
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):-
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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|||
MV2N4393UB
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:-
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):-
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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MV2N4856
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Microsemi Corporation | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-18(TO-206AA) |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):40V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):175mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):10V @ 500pA
不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V
*电阻 - rds(开):25 Ohms
*功率 - 最大值:360mW
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18(TO-206AA)
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
MV2N4856UB
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:-
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):-
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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MV2N4857
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Microsemi Corporation | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-18(TO-206AA) |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):40V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):100mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):6V @ 500pA
不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V
*电阻 - rds(开):40 Ohms
*功率 - 最大值:360mW
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18(TO-206AA)
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
MV2N4857UB
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:-
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):-
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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MV2N4858
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Microsemi Corporation | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-18(TO-206AA) |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):40V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):80mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):4V @ 0.5nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V
*电阻 - rds(开):60 Ohms
*功率 - 最大值:360mW
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18(TO-206AA)
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
MV2N4858UB
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:-
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):-
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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MV2N4859
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Microsemi Corporation | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-18(TO-206AA) |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):175mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):10V @ 500pA
不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V
*电阻 - rds(开):25 Ohms
*功率 - 最大值:360mW
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18(TO-206AA)
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
MV2N4859UB
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:-
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):-
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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MV2N4860
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Microsemi Corporation | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-18 |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):100mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):6V @ 500pA
不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V
*电阻 - rds(开):40 Ohms
*功率 - 最大值:360mW
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
MV2N4860UB
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:-
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):-
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|||
MV2N4861
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Microsemi Corporation | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-18(TO-206AA) |
描述:N CHANNEL JFET
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):80mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):4V @ 0.5nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):18pF @ 10V
*电阻 - rds(开):60 Ohms
*功率 - 最大值:360mW
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18(TO-206AA)
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
MV2N5114
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Microsemi Corporation | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-18(TO-206AA) |
描述:P CHANNEL JFET
*fet 类型:P 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):90mA @ 18V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):10V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):25pF @ 15V
*电阻 - rds(开):75 Ohms
*功率 - 最大值:500mW
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18(TO-206AA)
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
MV2N5116
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-18(TO-206AA) |
描述:P CHANNEL JFET
*fet 类型:P 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):25mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:25mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):6V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):27pF @ 15V
*电阻 - rds(开):100 Ohms
*功率 - 最大值:500mW
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18(TO-206AA)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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